Manufacturing method of ion implantation device and semiconductor device
    5.
    发明专利
    Manufacturing method of ion implantation device and semiconductor device 审中-公开
    离子植入装置和半导体器件的制造方法

    公开(公告)号:JP2006019048A

    公开(公告)日:2006-01-19

    申请号:JP2004193034

    申请日:2004-06-30

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an ion implantation device in which deterioration of characteristics of an element can be prevented. SOLUTION: The ion implantation device is provided with a sample board 22 at which a sample 21 having a main face is installed; an ion generating means 11 for generating a plurality of ions, which contains a container in which ion source gas is supplied, and a filament installed in the container and emitting thermions; injection means 13 to 19 for injecting an ion beam containing the plurality of ions into the main face of the sample 21; and controlling means 23 to 25 to control the position of the sample 21 so that the eccentric direction of the center of gravity of the ion beam coincides with a direction of normal line of the main face. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

    Abstract translation: 解决的问题:提供能够防止元件特性劣化的离子注入装置。 解决方案:离子注入装置设置有样品板22,在该样品板22上安装有具有主面的样品21; 用于产生多个离子的离子产生装置11,其包含供应离子源气体的容器和安装在容器中并发射热量的灯丝; 用于将含有多个离子的离子束注入样品21的主面的注入装置13〜19; 以及控制装置23至25来控制样品21的位置,使得离子束的重心的偏心方向与主面的法线方向一致。 版权所有(C)2006,JPO&NCIPI

    マルチ小ビーム露光装置において小ビーム位置を測定するための方法及び2つの小ビーム間の距離を測定するための方法
    7.
    发明专利
    マルチ小ビーム露光装置において小ビーム位置を測定するための方法及び2つの小ビーム間の距離を測定するための方法 有权
    用于测量的方法和两个子束之间的距离,用于测量在多子束曝光装置小束位置的方法

    公开(公告)号:JP2015517734A

    公开(公告)日:2015-06-22

    申请号:JP2015512021

    申请日:2013-05-14

    Abstract: 本発明は、荷電粒子マルチ小ビーム露光装置において小ビーム位置を測定するための方法に関する。装置には、荷電粒子エネルギを光に変換するための変換素子と、光感応検出器とを有するセンサが設けられている。変換素子には、小ビーム遮断領域と非遮断領域との2Dパターンが設けられたセンサ表面領域が設けられている。本方法は、複数の測定をすることと、測定によって生成された2D画像に基づいて2Dパターンに対する小ビームの位置を測定することとを具備する。各測定は、小ビームで2Dパターンの一部分上にフィーチャを露光することを含み、フィーチャ位置は各測定で異なる。各測定はまた、非遮断領域を透過された光を受光することと、受光された光を光強度値に変換して、測定がされた位置に光強度値を割り当てることとを含む。

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于测量在带电粒子多子束曝光装置小束位置的方法。 的装置,提供了一种具有用于将带电粒子的能量转换为光的换能器的传感器,和光敏感探测器。 小束阻挡区和非阻挡区域之间提供的2D模式的换能器,传感器表面区域中。 该方法包括该方法包括多次测量,并测量基于由测量生成的二维图像上的二维图案子束的位置。 每个测量包括暴露于2D图案的子束的一部分的特征,特征的位置是在每个测量不同。 每个测量还包括所述方法包括接收通过非阻挡区域透射的光,并且将接收的光转换为光强度值,和分配测量位于光强度值。

    Determination of parameters of emission from field emission sources
    10.
    发明专利
    Determination of parameters of emission from field emission sources 有权
    确定来自场排放源的排放参数

    公开(公告)号:JP2013152930A

    公开(公告)日:2013-08-08

    申请号:JP2013000272

    申请日:2013-01-05

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To simplify determination of emission characteristics of a field emission source.SOLUTION: The state of an emitter can be determined by measurements of how the current changes with the extraction voltage. A field factor β function is determined by a series of relatively simple measurements of charged particles emitted at different conditions. The β function can then be used to determine derived characteristics of the emission that, in the prior art, were difficult to determine without removing a source from a focusing column and mounting it in a specialized apparatus. The relations are determined by the source configuration and have been found to be independent of the emitter shape, and thus the emission characteristics can be determined even when the emitter shape changes over time, without having to determine the emitter shape and without having to redefine a relation between the β function and the series of relatively simple measurements and relations between the β function and other emission parameters.

    Abstract translation: 要解决的问题:简化场致发射源的发射特性的确定。解决方案:发射极的状态可以通过电流随提取电压的变化的测量来确定。 场因子 功能由在不同条件下发射的带电粒子的一系列相对简单的测量来确定。 &bgr 然后可以使用功能来确定在现有技术中难以确定的衍射特征,而不需要从聚焦柱移除源并将其安装在专门的装置中。 关系由源配置确定,并且已被发现与发射体形状无关,因此即使发射体形状随时间而变化也可以确定发射特性,而不必确定发射体形状,而不必重新定义 关系 功能和一系列相对简单的测量和关系 功能等发射参数。

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