公开(公告)号：JP5977941B2

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：JP2011276733

申请日：2011-12-19

申请人： 株式会社ニューフレアテクノロジー

发明人： 吉川 良一 ,  小笠原 宗博

IPC分类号： G03F7/20 ,  H01J37/305 ,  H01J37/244 ,  H01L21/027

CPC分类号： G21K5/04 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/2059 ,  G03F7/2065 ,  G21K5/10 ,  H01J37/302 ,  H01J37/304 ,  H01J37/3177 ,  H01J2237/24507 ,  Y10S430/143

公开(公告)号：JP5965978B2

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：JP2014255245

申请日：2014-12-17

申请人： エフ イー アイ カンパニ ,  FEI COMPANY

发明人： バルト ヨゼフ ヤンセン ,  イヴァン ラジッチ ,  ハイス ファン ドゥイネン ,  ウーヴェ ルーケン ,  ロス デビッド サベージ ,  ステファヌス ヒューバータス レオナルダス ファン デン ブーム

IPC分类号： H01J37/09 ,  H01J37/26 ,  H01J37/22

CPC分类号： H01J37/28 ,  H01J37/20 ,  H01J37/244 ,  H01J37/265 ,  H01J37/295 ,  H01J2237/12 ,  H01J2237/14 ,  H01J2237/226 ,  H01J2237/24507 ,  H01J2237/2614 ,  H01J2237/2802 ,  H01J2237/2806

公开(公告)号：JP5766726B2

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：JP2012556070

申请日：2011-03-04

申请人： アクセリス テクノロジーズ, インコーポレイテッド

发明人： 佐藤 修

IPC分类号： H01J37/317

CPC分类号： H01J37/3171 ,  H01J37/1472 ,  H01J37/244 ,  H01J37/304 ,  H01J2237/24507 ,  H01J2237/30455 ,  H01J2237/30483 ,  H01J2237/31703

公开(公告)号：JP5368086B2

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：JP2008514265

申请日：2007-03-26

申请人： 株式会社アドバンテスト

发明人： 章夫 山田 ,  洋 安田 ,  光浩 中野 ,  隆 木内

IPC分类号： H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  H01J37/305

CPC分类号： B82Y40/00 ,  B82Y10/00 ,  H01J37/3045 ,  H01J37/3174 ,  H01J37/3177 ,  H01J2237/24507 ,  H01J2237/24521 ,  H01J2237/24535 ,  H01J2237/24542

摘要： A multi-column electron beam exposure apparatus includes: a plurality of column cells; a wafer stage including an electron-beam-property detecting unit for measuring an electron beam property; and a controller for measuring beam properties of electron beams used in all the column cells by using the electron-beam-property detecting unit, and for adjusting the electron beams of the respective column cells so that the properties of the electron beams used in the column cells may be approximately identical. The electron beam property may be any of a beam position, a beam intensity, and a beam shape of the electron beam to be emitted. The electron-beam-property detecting unit may be a chip for calibration with a reference mark formed thereon or a Faraday cup.

摘要翻译： 多列电子束曝光装置包括：多个柱单元; 包括用于测量电子束特性的电子束特性检测单元的晶片台; 以及用于通过使用电子束特性检测单元来测量在所有列单元中使用的电子束的光束特性的控制器，并且用于调节各个列单元的电子束，使得在列中使用的电子束的性质 细胞可以大致相同。 电子束特性可以是要发射的电子束的光束位置，光束强度和光束形状中的任何一个。 电子束特性检测单元可以是用于在其上形成有参考标记的校准用芯片或法拉第杯。

公开(公告)号：JP5263601B2

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：JP2008543331

申请日：2006-11-17

申请人： アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド

发明人： ロバート ラスメル ,  ボー ヴァンデルベルク

IPC分类号： H01J37/317 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01J37/3171 ,  H01J37/244 ,  H01J2237/24507 ,  H01J2237/24528 ,  H01J2237/24578 ,  H01J2237/31703

公开(公告)号：JP5100963B2

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：JP2004347834

申请日：2004-11-30

申请人： 株式会社Sen

发明人： 光昭 椛澤 ,  光国 月原

IPC分类号： H01J37/317

CPC分类号： H01J37/3171 ,  H01J27/024 ,  H01J37/023 ,  H01J37/05 ,  H01J37/1474 ,  H01J37/1478 ,  H01J37/15 ,  H01J37/3007 ,  H01J2237/0041 ,  H01J2237/0213 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/0458 ,  H01J2237/047 ,  H01J2237/0492 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/0835 ,  H01J2237/1536 ,  H01J2237/24405 ,  H01J2237/24507 ,  H01J2237/24528 ,  H01J2237/30477 ,  H01J2237/31705

公开(公告)号：JP2012516020A

公开(公告)日：2012-07-12

申请号：JP2011547963

申请日：2010-01-22

申请人： アクセリス テクノロジーズ, インコーポレイテッド

发明人： アイズナー，エドワード ,  アイディー，ポール ,  サカセ，タカオ ,  スミック，シオドア ,  ファーリー，マルヴィン ,  フリーア，ブライアン ,  ベッケル，ドノヴァン ,  ホーナー，ロナルド ,  ポルナー，ドナルド ,  ライディング，ジェフリー ,  ラムベルト，マーク

IPC分类号： H01J37/317

CPC分类号： H01J37/244 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/024 ,  H01J2237/24507 ,  H01J2237/24528 ,  H01J2237/24535 ,  H01J2237/24542

摘要： イオンビームの角度構成および放射測定システムを提供する。 上記システムは、細長いスリットを有する金属板であって、上記細長いスリットは、金属板の回転中心設置されており、ビームの第一の一部が上記細長いスリット内部を通過するような構成である金属板と、上記金属板の下流側に設置されており、ビームの第一の一部からのビームの第二の一部を通過させるように構成されているスリットを内部に備えており、ビームの第一の一部に関連した第一のビーム電流を測定するように構成されているビーム電流検出器と、上記ビーム電流検出器の下流側に設置されており、ビームの第二の一部に関連した第二のビーム電流を検出するように構成されたビーム角度検出器とを備えており、上記金属板、上記ビーム電流検出器、および上記ビーム角度検出器は、上記金属板の上記回転中心について集合的に回転するように構成されている。

公开(公告)号：JP4879288B2

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：JP2009027373

申请日：2009-02-09

申请人： アイシーティー インテグレーテッド サーキット テスティング ゲゼルシャフト フィーア ハルプライタープリーフテヒニック エム ベー ハー

发明人： アダメック パヴェル ,  シュー ファン

IPC分类号： H01J37/04 ,  H01J37/244

CPC分类号： H01J37/244 ,  H01J37/261 ,  H01J2237/2443 ,  H01J2237/24507 ,  H01J2237/2826

公开(公告)号：JP4786541B2

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：JP2006537057

申请日：2004-10-29

申请人： ロート・ウント・ラウ−マイクロ・システムズ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング

发明人： ディットリヒ・カール−ハインツ ,  マイ・ヨーアヒム ,  ラウ・ベルント ,  ロート・ディートマル

IPC分类号： H01J37/30 ,  B23K15/00 ,  B82B3/00 ,  H01J37/20 ,  H01J37/305 ,  H01J37/317

CPC分类号： H01J37/3053 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/20 ,  H01J37/317 ,  H01J37/3177 ,  H01J2237/20207 ,  H01J2237/20214 ,  H01J2237/20221 ,  H01J2237/20228 ,  H01J2237/20235 ,  H01J2237/2067 ,  H01J2237/24507 ,  H01J2237/30455 ,  H01J2237/31701 ,  H01J2237/3174 ,  H01J2237/31774

公开(公告)号：JP2011526064A

公开(公告)日：2011-09-29

申请号：JP2011516292

申请日：2009-06-23

申请人： アクセリス テクノロジーズ, インコーポレイテッド

发明人： グラント，ジョーン ,  スプリンター，パトリック

IPC分类号： H01J37/317

CPC分类号： H01J37/04 ,  H01J37/05 ,  H01J37/244 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/0455 ,  H01J2237/24507 ,  H01J2237/24542 ,  H01J2237/24578

摘要： An ion implantation system comprising an ion source configured to generate an ion beam along a beam path, a mass analyzer is located downstream of the ion source wherein the mass analyzer is configured to perform mass analysis of the ion beam and a beam complementary aperture located downstream of the mass analyzer and along the beam path, the beam complementary aperture having a size and shape corresponding to a cross-sectional beam envelope of the ion beam.