公开(公告)号：KR102239478B1

公开(公告)日：2021-04-12

申请号：KR1020190093528A

申请日：2019-07-31

申请人： 인하대학교 산학협력단

发明人： 김명웅 ,  신내철 ,  김기민 ,  안솔

IPC分类号： H01L31/032 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/09 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/032 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/09 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50

摘要： 본 발명의 목적은 패턴화된 페로브스카이트 층을 형성하는 방법 및 이에 의하여 제조되는 패턴을 포함하는 페로브스카이트 층을 제공하는데 있다. 이를 위하여 본 발명은 기판 상에 고분자로 양각 패턴을 형성하는 단계(단계 1); 화학기상증착법을 이용하여 상기 기판 중 상기 양각 패턴이 형성되지 않은 부분에 선택적으로 페로브스카이트 구조를 위한 제1 전구체를 증착하는 단계(단계 2); 상기 선택적으로 증착된 제1 전구체와 페로브스카이트 구조를 위한 제2 전구체를 반응시켜 패턴화된 페로브스카이트 층을 형성하는 단계(단계 3);를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴화된 페로브스카이트 층의 형성방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 간단한 공정을 사용하면서도, 높은 선택도로 패터닝을 수행할 수 있어, 고품질의 패턴화된 페로브스카이트 층을 제조할 수 있고, 이에 따라, 이를 사용하는 태양전지의 광전변환효율을 향상시킬 수 있는 등, 적용분야에서의 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR20210026476A

公开(公告)日：2021-03-10

申请号：KR1020190107303A

申请日：2019-08-30

申请人： 한국전력공사 ,  고려대학교 산학협력단

发明人： 오승주 ,  강민수 ,  우호균

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/035209 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/186

摘要： 본 발명은 양자점 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판에 형성한 인듐 주석 산화물 투명전극과 상기 투명전극의 상부에 형성되며 합성한 산화아연 나노입자로 이루어진 전자이동층과 상기 전자이동층의 상부에 형성되며 액상 리간드 치환 기법으로 합성한 아이오드화 납을 리간드로 갖고 있는 황화 납으로 이루어진 광 흡수층과 상기 광 흡수층의 상부에 형성되며 EDT 리간드 황화납 양자점으로 이루어진 정공흡수층과 상기 정공흡수층의 상부에 형성된 양극을 포함한다. 본 발명은 저온, 상압, 용액 공정을 통해 광 변환 효율 9%의 양자점 태양전지를 제조할 수 있는 이점이 있다.

公开(公告)号：JPWO2018083722A1

公开(公告)日：2018-11-08

申请号：JP2016004824

申请日：2016-11-07

申请人： 信越化学工業株式会社

发明人： 橋上 洋 ,  渡部 武紀 ,  大塚 寛之 ,  三田 怜

IPC分类号： H01L31/068 ,  H01L31/056 ,  H01L31/0216

CPC分类号： H01L31/0682 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本発明は、結晶シリコン基板の第1主表面に、p型の導電型を有するp型領域と、n型の導電型を有しn型の導電型を付与する添加不純物の基板深さ方向における最大濃度が5×10 18 atoms/cm 3 以上であるn型領域とが配置され、p型領域とn型領域を覆うように第1パッシベーション膜が配置され、第1主表面の反対側の表面である第2主表面に、第2主表面を覆うように第2パッシベーション膜が配置された裏面電極型太陽電池であって、第1パッシベーション膜と第2パッシベーション膜が酸化アルミニウムを含む化合物からなる太陽電池である。これにより、安価かつ光電変換効率が高い太陽電池が提供される。

公开(公告)号：JP6383363B2

公开(公告)日：2018-08-29

申请号：JP2015550008

申请日：2013-12-18

申请人： メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ,  Merck Patent Gesellschaft mit beschraenkter Haftung

发明人： ケーラー,インゴ ,  ドル,オリヴァー ,  バース,セバスティアン

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/068 ,  H01L21/225

CPC分类号： H01L31/186 ,  C03C8/00 ,  C03C2205/00 ,  C09D183/00 ,  C09D183/04 ,  C23C18/08 ,  C23C18/10 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/122 ,  C23C18/1245 ,  C23C18/1254 ,  C23C18/14 ,  C30B29/06 ,  C30B31/04 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/2255 ,  H01L21/4867 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

公开(公告)号：JP2018129511A

公开(公告)日：2018-08-16

申请号：JP2018019357

申请日：2018-02-06

申请人： エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド

发明人： チョ ヘチョン ,  オ トンヘ ,  チョン ジュファ ,  アン チョンヨン

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0224

CPC分类号： H01L31/022425 ,  C03C4/14 ,  C03C8/10 ,  C03C8/18 ,  C03C2204/00 ,  C03C2205/00 ,  H01B1/16 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/50

摘要： 【課題】開放電圧を向上させつつ、太陽電池の不良を減らすことができる構造の太陽電池を提供する。 【解決手段】太陽電池は、第1導電型の不純物を含有する半導体基板110と、第1導電型と反対の第2導電型の不純物を含有する第1導電型領域120と、誘電体材質を含む制御パッシベーション膜160と、第1導電型の不純物が半導体基板110より高濃度でドープされた多結晶シリコン材質を含む第2導電型領域170と、第1導電型領域120と接続される第1電極140と、第2導電型領域170と接続される第2電極150とを含み、第1、第2電極140、150のそれぞれは、金属粒子とガラスフリットを含み、第2電極150に含有される単位体積当たりのガラスフリットの含有量は、第1電極140に含有される単位体積当たりのガラスフリットの含有量より少ない。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2018521515A

公开(公告)日：2018-08-02

申请号：JP2018510325

申请日：2016-05-06

申请人： テトラサン インコーポレイテッド

发明人： ターナー,エイドリアン ブルース ,  エグルストン,ボンヌビル ダジョン ,  シュルツ−ヴィットマン,オリバー ,  クラフツ,ダグラス エドワード

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0224

CPC分类号： H01L31/02008 ,  B23K26/073 ,  B23K26/362 ,  B23K26/402 ,  B23K2103/50 ,  B23K2103/56 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/50

摘要： 光起電力デバイスを形成するのに用いられる方法が、ドープされた半導体層を半導体基板の表面上において形成する工程と、ドープされた半導体層上に金属膜を形成する工程とを含む。パターン化されエッチングされたレジストが前記金属膜上に形成され、誘電体層が、前記のドープされた半導体層及び前記エッチングされたレジスト上に形成される。パターン化されたエッチングレジストによって吸収可能な波長を有するレーザが、誘電体層を介して、パターン化されたエッチングレジストに照射され、パターン化されたエッチングレジストを除去する。

公开(公告)号：JP2018121053A

公开(公告)日：2018-08-02

申请号：JP2018006361

申请日：2018-01-18

申请人： エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド

发明人： スンフン リー ,  イルヒョン ジュン ,  ヒュンホ キム

IPC分类号： H01L31/074 ,  H01L31/0224

CPC分类号： H01L31/022475 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/074 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/50

摘要： 【課題】優れた効率と安定性を有し、高い生産性を有する太陽電池及びその製造方法を提供する。 【解決手段】太陽電池100は、半導体基板10と半導体基板10上に位置し、第1金属を含む第1化合物層で構成され第1キャリアを抽出する第1導電型領域20と半導体基板10上に位置し、第2金属を含む第2化合物層で構成され第2キャリアを抽出する第2導電型領域30と、第1導電型領域20に電気的に接続される第1電極42と、第2導電型領域30に電気的に接続される第2電極44を含む。第1電極42及び第2電極44の内、少なくとも1つが、透明電極層420と、透明電極層420上に位置する金属電極層422を含む。第1電極42及び第2電極44の内、少なくとも1つの透明電極層420の仕事関数が第2導電型領域30の仕事関数と同じかそれより大きく、第1導電型領域20の仕事関数と同じかそれより小さい。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6352939B2

公开(公告)日：2018-07-04

申请号：JP2015549420

申请日：2013-11-26

申请人： サンパワー コーポレイション

发明人： シェパード、マイケル ,  スミス、デービッド ディー.

IPC分类号： H01L31/068 ,  H01L31/0216

CPC分类号： H01L31/02 ,  H01L31/02002 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02245 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

公开(公告)号：JP6352233B2

公开(公告)日：2018-07-04

申请号：JP2015217011

申请日：2015-11-04

申请人： エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド

发明人： チ クァンソン ,  チョン チンウォン ,  リ ユジン

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/068

CPC分类号： H01L31/1872 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

公开(公告)号：JP6350279B2

公开(公告)日：2018-07-04

申请号：JP2014525901

申请日：2013-07-19

申请人： 日立化成株式会社

发明人： 服部 孝司 ,  松村 三江子 ,  渡邉 敬司 ,  森下 真年 ,  濱村 浩孝

IPC分类号： H01L31/068 ,  H01L21/316 ,  C09D1/00 ,  H01L31/0216

CPC分类号： H01L31/02167 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521