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公开(公告)号:KR20210032221A
公开(公告)日:2021-03-24
申请号:KR1020190113716A
申请日:2019-09-16
申请人: 삼성전자주식회사
CPC分类号: H01L51/0071 , C09B19/00 , C07D513/04 , C07F7/0816 , C09B21/00 , C09B57/00 , H01L51/0046 , H01L51/0047 , H01L51/0062 , H01L51/0068 , H01L51/0072 , H01L51/0094 , H01L51/441 , H01L51/447 , H01L51/42 , H01L51/4246 , H01L51/4253
摘要: 하기 화학식 1로 표현되는 화합물을 포함하는 근적외선 흡수재, 근적외선 흡수/차단 필름, 광전 소자, 유기 센서 및 전자 장치를 제공한다.
[화학식 1]
상기 화학식 1에서, X
1 , X
2 , Y
1 , Y
2 , Ar, Ar
1 및 Ar
2 는 상세한 설명에서 정의한 바와 같다.-
公开(公告)号:JP2018146336A
公开(公告)日:2018-09-20
申请号:JP2017040461
申请日:2017-03-03
申请人: 株式会社東芝
IPC分类号: G01T1/24
CPC分类号: H01L51/441 , G01T1/24 , G01T1/242 , H01L27/307 , H01L2251/301 , H01L2251/303 , Y02E10/549
摘要: 【課題】感度を向上できる放射線検出器を提供する。 【解決手段】放射線検出器110は、第1金属層10、第2金属層20及び有機半導体層30で構成され、前記第1金属層10と前記第2金属層20は電極であって、外光を遮光する機能やβ線を後方散乱させる機能を有し、さらに、第2金属層20は、金や白金からなり、仕事関数が大きく、ノイズ電流を抑制させ、高いホール取り出し効率を有し、放射線検出器110に印加するバイアスを小さくする。 【選択図】図1
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公开(公告)号:JP6386458B2
公开(公告)日:2018-09-05
申请号:JP2015524882
申请日:2013-07-24
发明人: リオズ エトガル , モハンマド カージャ ナゼールディン , ミハエル グレッツェル
IPC分类号: H01L51/44
CPC分类号: H01L51/4213 , H01L51/0032 , H01L51/005 , H01L51/0077 , H01L51/4226 , H01L51/441 , H01L51/447 , Y02E10/549
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公开(公告)号:JP6363959B2
公开(公告)日:2018-07-25
申请号:JP2014561503
申请日:2013-03-13
发明人: マリク,スラマ , カーター,ジュリアン , スカリオン,ローレンス , ベイカー,コリン , フレイスナー,アルネ , バロウズ,ジェレミー
CPC分类号: H01L51/5088 , H01L51/0035 , H01L51/0037 , H01L51/0038 , H01L51/0039 , H01L51/441 , H01L51/445 , H01L51/5212 , H01L51/5275 , H01L51/56 , H01L2251/5361 , Y02E10/549
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公开(公告)号:JP6352906B2
公开(公告)日:2018-07-04
申请号:JP2015515622
申请日:2013-06-03
申请人: コミサリア ア レネルジィ アトミーク エ オ ゼネ ルジイ アルテアナティーフ , COMMISSARIAT A L’ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , イソルグ
发明人: ジャン−マリー ベリアック , シャルロ シモン
IPC分类号: H01L51/44
CPC分类号: H01L51/0002 , H01L51/0018 , H01L51/0023 , H01L51/0026 , H01L51/0583 , H01L51/102 , H01L51/424 , H01L51/441 , H01L51/442 , H01L51/444 , H01L2251/5392 , H01L2251/568 , Y02E10/549
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公开(公告)号:JP6329181B2
公开(公告)日:2018-05-23
申请号:JP2015558471
申请日:2014-02-21
发明人: ウォルツァー, カルステン , プファイファー, マルティン , ワイス, アンドレ , ウーリッヒ, クリスティアン , レビチコヴァ, マリエタ , マッターステイク, グンター
IPC分类号: H01L51/46
CPC分类号: H01L51/4253 , B82Y10/00 , H01L51/0046 , H01L51/0054 , H01L51/0073 , H01L51/441 , Y02E10/549
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公开(公告)号:JP2017103450A
公开(公告)日:2017-06-08
申请号:JP2016196318
申请日:2016-10-04
申请人: パナソニック株式会社
CPC分类号: H01L51/4213 , H01L51/441 , H01L51/448 , Y02E10/549
摘要: 【課題】耐久性の高い太陽電池を提供する。 【解決手段】 本開示の一態様に係る太陽電池は、第1電極と、第1電極上に位置し、半導体を含む電子輸送層と、電子輸送層上に位置し、組成式AMX 3 (式中、Aは1価のカチオンであり、Mは2価のカチオンであり、Xはハロゲンアニオンである)で示されるペロブスカイト型化合物を含む光吸収層と、光吸収層上に位置する第2電極と、第1電極の少なくとも一部、電子輸送層、光吸収層、及び第2電極の少なくとも一部を封止する封止体とを備える。封止体と、封止体により封止された、第1電極の少なくとも一部、電子輸送層、光吸収層、及び第2電極の少なくとも一部との間に、酸素を含む気体が存在する。気体における酸素の濃度は体積分率で5%以上であり、水の濃度は体積分率で300ppm以下である。 【選択図】図1
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公开(公告)号:JP2017509746A
公开(公告)日:2017-04-06
申请号:JP2016553880
申请日:2015-02-24
申请人: セントレ ナショナル デ ラ ルシェルシェ サイエンティフィック−シーエヌアールエス , セントレ ナショナル デ ラ ルシェルシェ サイエンティフィック−シーエヌアールエス , ユニヴェルシテ エクス−マルセイユUniversite Aix−Marseille , ユニヴェルシテ エクス−マルセイユUniversite Aix−Marseille , ユニヴェルシテ・ドゥ・レンヌ・1
发明人: アッカーマン、イェルク , マーギート、オリヴィエール , ヒスラー、ミュリエル , アントイン ブイト、ピエール , アントイン ブイト、ピエール
CPC分类号: C09K11/02 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C07F9/65685 , C09K11/025 , C09K11/06 , C09K11/54 , C09K2211/1007 , C09K2211/1096 , H01L51/00 , H01L51/0071 , H01L51/441 , H01L51/5004 , H01L51/502 , H01L2251/305 , H01L2251/552 , H05B33/14 , Y10S977/774 , Y10S977/89 , Y10S977/95
摘要: 無機の第1の化合物を含む少なくとも1つの無機ナノ材料と;第1の凝集誘起発光部分を含む少なくとも1つの第2の化合物とを含み、前記少なくとも1つの第2の化合物は、前記無機の第1の化合物の表面の少なくとも一部上にグラフトされている発光ハイブリッドナノ材料。【選択図】図3
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公开(公告)号:JPWO2015012404A1
公开(公告)日:2017-03-02
申请号:JP2015528366
申请日:2014-07-25
申请人: コニカミノルタ株式会社
发明人: 博英 伊藤
CPC分类号: H01L51/5253 , H01L51/441 , H01L51/448 , H01L51/5203 , H01L51/5243 , H01L51/5246 , H01L51/56 , H01L2251/303
摘要: 本発明は、接合部からの水分や酸素の透過が低減され、安定性に優れる電子デバイスおよびその製造方法を提供することを目的とする。本発明は、基材と、前記基材上に、電子素子本体と、前記電子素子本体と接続された電極と、少なくとも前記電極を被覆するケイ素含有膜と、前記電子素子本体の周囲に設けられた前記ケイ素含有膜を有する接合部を介して前記基材と接合し、前記電子素子本体を封止する封止基材と、を含み、前記基材および前記封止基材の少なくとも一方はガスバリア性フィルムであり、前記ケイ素含有膜は、下記化学式(1)で表される組成を有する、電子デバイスおよびその製造方法である:【化1】式中、x、y、zはそれぞれケイ素に対する酸素、窒素、炭素の原子比であり、0≦y
摘要翻译: 另外,本发明通过联合降低的水分和氧渗透的,其目的在于,提供一种电子设备及其制造方法,在其稳定性优异。 本发明包括衬底,在所述衬底上,并且电子设备主体,和连接到所述电子设备主体的电极,和含硅膜至少覆盖所述电极,在所述电子设备主体的周围设置 经由所述接头具有含硅膜接合到衬底上,其中,用于电子设备主体密封密封基板,所述基板中的至少一个阻气和密封基板是 一性膜,该含硅膜具有由下列化学式表示的组成(1)是电子设备及其制造方法:## STR1 ##其中,X,Y,Z氧与硅的,分别 ,氮,碳的原子比,0≦ÿ<0.3,3 <2X + 5Y≦5,0.01
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公开(公告)号:JP2017028306A
公开(公告)日:2017-02-02
申请号:JP2016187394
申请日:2016-09-26
发明人: フォレスト,ステファン,アール. , リ,ニン
IPC分类号: H01L51/44
CPC分类号: H01L51/0046 , B82Y10/00 , H01L51/0048 , H01L51/005 , H01L51/0053 , H01L51/0055 , H01L51/0078 , H01L51/0081 , H01L51/0085 , H01L51/0092 , H01L51/0094 , H01L51/424 , H01L51/441 , Y02E10/549
摘要: 【課題】電子阻止および/または正孔阻止層を用いることによって感光性光電子デバイスの電力変換効率を増加させることができる方法を提供する。 【解決手段】有機感光性光電子デバイスは積層関係にあるアノードおよびカソードを含む2つの電極、2つの電極間で光活性領域(photo−active region)を形成する少なくとも一のドナー物質および少なくとも一のアクセプター物質、2つの電極間に配置された有機半導体、無機半導体、高分子、金属酸化物、またはこれらの組み合わせから選択される少なくとも一の物質を含む少なくとも一の電子阻止層または正孔阻止層、を含む。 【選択図】図2(b)
摘要翻译: 能够通过使用电子阻挡和/或空穴阻挡层中增加光敏光电子器件的功率转换效率的方法。 有机光敏光电子器件包括阳极和在叠层关系的阴极,至少一种供体材料和至少一种受体的两个电极以形成所述两个电极之间的光活性区域(光敏区域) 材料,布置在两个电极,无机半导体,聚合物,金属氧化物,或至少一种电子或含有至少一种材料的空穴阻挡层从它们的组合,所述有机之间半导体 包括。 点域2(b)中
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