波長可変レーザの波長切り替え方法
    4.
    发明专利
    波長可変レーザの波長切り替え方法 审中-公开
    用于切换波长变化激光波长的方法

    公开(公告)号:JP2015144191A

    公开(公告)日:2015-08-06

    申请号:JP2014016910

    申请日:2014-01-31

    Inventor: 宮田 充宜

    Abstract: 【課題】 波長可変レーザの波長切り替え開始後、外部へ光出力を行うまでの時間を短くすることのできる、波長可変レーザの波長切り替え方法を提供する。 【解決手段】 エタロンの温度を制御する温度制御装置を備え、エタロンの前後の光強度比によって波長可変レーザの出力波長を特定する波長検知部を持ち、その検知結果に基づいて波長可変レーザの波長を目標波長に制御する方法であって、波長可変レーザを第1波長で駆動し、第2波長を出力する命令に応じて波長可変レーザの光出力を抑制し、第2波長に対応した第2エタロン温度に向けて温度制御装置の制御を開始し、エタロンが第2エタロン温度に到達する前に、エタロンが、波長可変レーザの出力波長が第2波長に対応した許容範囲に対応した温度範囲に到達したことを検知して、波長可変レーザの光出力の抑制を解除し、温度制御装置が、第2エタロン温度に到達したことを検知する。 【選択図】 図10

    Abstract translation: 要解决的问题:提供一种用于切换波长可变激光器的波长的方法,通过该方法可以减少开始切换波长可变激光器的波长直到向外部输出光线之间的周期。解决方案:一种用于控制波长的方法 提供了一种波长可变激光器到目标波长的激光器,其中激光器包括温度控制器以控制标准具的温度和波长检测部分,以基于前面和之后的光的强度比来指定波长可变激光器的输出波长 在标准具之后,基于检测结果来控制波长可变激光器的波长。 该方法包括以下步骤:驱动第一波长的波长可变激光; 根据输出第二波长的指令抑制波长可变层的光的输出; 启动温度控制器以将温度控制到对应于第二波长的第二标准具温度; 检测到所述标准具达到对应于在所述标准具达到第二标准具温度之前对应于所述第二波长的所述波长可变激光器的输出波长的允许范围的温度范围; 消除波长可变激光器输出的抑制; 并通过温度控制器检测标准具达到第二标准具温度。

    Formation method of sampled grating and manufacturing method of semiconductor laser
    7.
    发明专利
    Formation method of sampled grating and manufacturing method of semiconductor laser 有权
    半导体激光的采样光栅形成方法及其制造方法

    公开(公告)号:JP2013016650A

    公开(公告)日:2013-01-24

    申请号:JP2011148497

    申请日:2011-07-04

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a formation method and the like capable of forming sampled gratings of various aspects at a low cost.SOLUTION: A formation method of a sampled grating 21P comprises the steps of: preparing a mold 1 for nanoimprint having a pattern surface 1P including a plurality of recesses 3; preparing a mask 7 having periodically provided light transmission parts 7T; forming a photoresist layer 27 and a resin part 29 in this order on a semiconductor layer 21; transferring shapes of a plurality of recesses 3 of the mold 1 to the resin part 29 in a thermal nanoimprint method; irradiating the photoresist layer 27 with exposed light LE via the mask 7; developing the photoresist layer 27; and transferring a shape of the photoresist layer 27 to the semiconductor layer 21.

    Abstract translation: 要解决的问题:提供能够以低成本形成各方面的采样光栅的形成方法等。 解决方案:采样光栅21P的形成方法包括以下步骤:制备具有包括多个凹槽3的图案表面1P的纳米压印模具1; 制备周期性地设置有光透射部分7T的荫罩7; 依次在半导体层21上形成光致抗蚀剂层27和树脂部29; 将模具1的多个凹部3的形状以热纳米压印方法转印到树脂部29; 通过掩模7对曝光的光LE照射光致抗蚀剂层27; 显影光致抗蚀剂层27; 并将光致抗蚀剂层27的形状转印到半导体层21上。(C)2013,JPO&INPIT

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