公开(公告)号：JP6962497B1

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：JP2021506772

申请日：2020-10-13

Applicant: 三菱電機株式会社

Inventor： 内山 麻美 ,  大和屋 武

IPC: H01S5/0625 ,  H01S5/026

Abstract: 変調器集積半導体レーザ(100)は、半導体レーザ(101)と、半導体レーザ(101)の後段に直列にモノリシック集積された電界吸収型変調器(102)及び光減衰器(103)とを有する。制御部(44)は、変調器集積半導体レーザ(100)の温度が上昇するほど光減衰器(103)に印加するDCバイアス電圧が大きくなるように制御する。

公开(公告)号：JP6656144B2

公开(公告)日：2020-03-04

申请号：JP2016516589

申请日：2014-08-11

IPC: H01S5/068 ,  H01S5/0625 ,  H01S5/40

公开(公告)号：JPWO2018037747A1

公开(公告)日：2019-06-20

申请号：JP2017025342

申请日：2017-07-12

Applicant: ソニー株式会社

Inventor： 大野 智輝 ,  大畑 豊治 ,  小山 享宏 ,  滝口 幹夫 ,  田中 雅之

IPC: H01S5/0625 ,  H01S5/22

Abstract: 本開示の一実施の形態の半導体レーザにおいて、リッジ部は、複数の利得領域および複数のQスイッチ領域がリッジ部の延在方向に、分離領域を介して交互に配置された構造を有している。各分離領域は、互いに隣接する利得領域およびQスイッチ領域を空間分離する分離溝を有している。分離溝は、第2半導体層内であって、かつリッジ部の両脇のすそ野に相当する部分よりも高い位置に底面を有している。

公开(公告)号：JP2018117161A

公开(公告)日：2018-07-26

申请号：JP2018088007

申请日：2018-05-01

Applicant: 住友電工デバイス・イノベーション株式会社

Inventor： 宮田 充宜 ,  柴田 雅央 ,  田中 宏和

IPC: H01S5/0625

Abstract: 【課題】 グリッドレス制御を行う際に高精度の温度制御を不要とすることができる波長可変レーザの制御方法を提供する。 【解決手段】 第2波長を入力する第1ステップと、波長可変レーザを第1波長でレーザ発振させるためのエタロンの設定温度を含む駆動条件を取得する第2ステップと、第1波長と第2波長との波長差分およびエタロンの設定温度に基づいて、第2波長でレーザ発振させるためのエタロンの設定温度を算出する第3ステップと、エタロンの温度をエタロンの設定温度に制御し第1光電流と第2光電流との比が第1目標値となるように波長可変レーザの温度をフィードバック制御する第4ステップと、第2波長からの波長シフト量を示す情報を入力する第5ステップと、当該波長シフト量を実現するための第1光電流と第2光電流との比の第2目標値を算出する第6ステップと、当該比が第2目標値となるように波長可変レーザの温度を制御する第7ステップとを含む。 【選択図】 図10

公开(公告)号：JP2018041758A

公开(公告)日：2018-03-15

申请号：JP2016172792

申请日：2016-09-05

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 角野 努 ,  斎藤 真司 ,  山根 統

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/22 ,  H01S5/024 ,  H01S5/0625 ,  H01S5/12

CPC classification number: H01S5/0604 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/02415 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/0612 ,  H01S5/06258 ,  H01S5/1096 ,  H01S5/12 ,  H01S5/1203 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3402 ,  H01S5/34313

Abstract: 【課題】2つの赤外線の差周波としてテラヘルツ波を放出可能な量子カスケードレーザ装置を提供する。 【解決手段】テラヘルツ量子カスケードレーザ装置は、基板と、半導体積層体と、第1電極と、を有する。半導体積層体は、サブバンド間光学遷移により赤外線レーザ光を放出可能でありかつ基板上に設けられた活性層と、活性層の上に設けられた第1クラッド層と、を有し、リッジ導波路が設けられる。第1クラッド層の上面にはリッジ導波路の延在方向に沿って離間して設けられた第1分布帰還領域および第2分布帰還領域が設けられる。第1電極は、第1クラッド層の上面に設けられる。第1分布帰還領域の平面サイズは、第2分布帰還領域の平面サイズよりも小さい。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2017107892A

公开(公告)日：2017-06-15

申请号：JP2015238250

申请日：2015-12-07

Applicant: 株式会社ソディック

Inventor： 津田 裕樹 ,  松舘 政茂

IPC: H01S5/0625 ,  H01L33/38 ,  H01S5/042

Abstract: 【課題】複数の光を調節することができる、光発振装置を提供すること。 【解決手段】発光デバイスは、p型不純物が添加された間接遷移型半導体からなるp型添加部分と、n型不純物が添加された間接遷移型半導体からなるn型添加部分と、p型添加部分とn型添加部分との境界部分に形成されるpn活性部分と、p型添加部分の表面に形成される第1電極と、n型添加部分の表面に形成される第2電極と、を有し、電流が印加されることにより電子が添加され、電子が付与されることによって、p型添加部分、n型添加部分およびpn活性部分の一部またはすべての領域からなる発光部が発光する発光デバイスと、発光デバイスに電流を供給する電源と、電源を制御する制御部と、を備え、第1電極と第2電極のうちの少なくとも一方は複数電極からなり、制御部は、複数電極に対して電流が独立して印加されるように、電源を制御する。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP2016046526A

公开(公告)日：2016-04-04

申请号：JP2015160624

申请日：2015-08-17

Applicant: 住友電工デバイス・イノベーション株式会社

Inventor： 田中 宏和 ,  小田川 哲史 ,  河村 浩充 ,  柴田 雅央

IPC: H01S5/0625

CPC classification number: H01S5/06256 ,  H01S5/06258 ,  H01S5/0687 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/0683

Abstract: 【課題】出力光の波長制御の精度が向上された波長可変レーザシステムを提供する。 【解決手段】波長可変レーザシステム1は、波長可変半導体レーザと、波長可変半導体レーザと光結合された半導体光アンプと、半導体光アンプと光結合されたエタロン8と、エタロン8を透過する前の出力光を検知する第1の光検知素子と、エタロン8を透過した出力光を検知する第2の光検知素子と、波長可変半導体レーザから出力される光の波長を制御する制御部10と、を備える。制御部10は、第1及び第2の光検知素子の検知結果に基づいて出力光の波長を演算し、出力光の波長と目標波長との差に基づいて制御値を演算する。また、制御部10は、半導体光アンプを光吸収する状態に制御したうえでの第1及び第2の光検知素子のそれぞれが検知した光の強度を補正値として出力光の波長を演算する。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供具有改善的输出光的波长控制精度的波长可变激光系统。解决方案：波长可变激光系统1包括：波长可变半导体激光器; 光学耦合到所述波长可变半导体激光器的半导体光学放大器; 光学耦合到半导体光放大器的标准具8; 第一光检测元件，其在传送标准具8之前检测输出光; 检测发射了标准具8的输出光的第二光检测元件; 以及控制单元10，其控制从波长可变半导体激光器输出的光的波长。 控制单元10基于第一和第二光检测元件的检测结果来计算输出光的波长，并且基于输出光的波长和目标波长之间的差来计算控制值。 控制单元10还控制光吸收状态的半导体光放大器，并且使用由第一和第二光检测元件检测到的光的强度来计算输出光的波长作为校正值。图1

公开(公告)号：JP5457239B2

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：JP2010062272

申请日：2010-03-18

Applicant: 日本電信電話株式会社

Inventor： 伸浩 布谷 ,  直樹 藤原 ,  啓之 石井 ,  弘美 大橋

IPC: H01S5/0625

公开(公告)号：JP5320745B2

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：JP2008004435

申请日：2008-01-11

Applicant: 沖電気工業株式会社

Inventor： 慎 荒平

IPC: G02F1/01 ,  G02F1/015 ,  G02F1/017 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0625 ,  H01S5/125

CPC classification number: H04B10/5165 ,  H04B10/541

Abstract: The device is structured to have a first electric modulation signal generator, a second electric modulation signal generator, a two-mode beat light source and an optical intensity modulator. The first electric modulation signal generator generates and outputs a first electric modulation signal. The second electric modulation signal generator generates and outputs a second electric modulation signal of a same frequency as the first electric modulation signal and to which a phase difference of δ radians is provided (δ is a real number satisfying 0≦̸δ≦̸&pgr;). The two-mode beat light source is driven by the first electric modulation signal, and generates and outputs two-mode beat light. The two-mode beat light is inputted to the optical intensity modulator, and the optical intensity modulator generates and outputs a CS optical pulse train. Light transmittance of the optical intensity modulator is modulated by the second electric modulation signal.

公开(公告)号：JP2013197815A

公开(公告)日：2013-09-30

申请号：JP2012062022

申请日：2012-03-19

Applicant: Nippon Telegr & Teleph Corp ,  日本電信電話株式会社

Inventor： KAKIZUKA TAKAAKI ,  HASEBE KOICHI ,  MATSUO SHINJI

IPC: H04B10/556 ,  G02F1/01 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0625

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a modulation light source that allows downsizing and a method of generating a modulation signal.SOLUTION: A modulation signal generating device 200 includes: a voltage source 221 generating a driving modulation voltage Vm that is set according to phase modulation of a signal string; and a control circuit 222 generating a modulation voltage Vp according to the driving modulation voltage Vm and applying the modulation voltage Vp to a frequency modulation region 104 of a light source part.

Abstract translation: 要解决的问题：提供允许小型化的调制光源和产生调制信号的方法。解调器：调制信号产生装置200包括：产生根据相位调制设置的驱动调制电压Vm的电压源221 的信号串; 以及根据驱动调制电压Vm产生调制电压Vp并将调制电压Vp施加到光源部分的频率调制区域104的控制电路222。