二次粒子生成装置、放射性同位体生成装置、二次粒子生成方法、及び放射性同位体生成方法

    公开(公告)号:JP2021174617A

    公开(公告)日:2021-11-01

    申请号:JP2020075957

    申请日:2020-04-22

    IPC分类号: H05H7/04 G21K5/08 H05H7/12

    摘要: 【課題】中空状のビーム強度分布を有する中空荷電粒子ビームを形成して、パイオン及びミューオンをターゲットから効率的に取り出すことが可能な二次粒子生成装置、放射性同位体生成装置、二次粒子生成方法、及び放射性同位体生成方法を提供すること。 【解決手段】二次粒子生成装置(1)は、ビーム源(3)において生成される荷電粒子ビームを加速して出射する加速器(5)と、ターゲット(7)と、加速器とターゲットとの間であって、加速器から出射される荷電粒子ビームの進行経路上に少なくとも1つ以上設けられ6極以上の磁極を有し非線形の磁束密度分布を有する第1磁場を形成する多重極電磁石(50)と、を具備し、多重極電磁石内に荷電粒子ビームを通過させて中空荷電粒子ビーム(Bm)を生成し、中空荷電粒子ビームをターゲットの断面に照射させて少なくとも二次粒子を生成する。 【選択図】 図2

    中性子発生用リチウムターゲット及びその製造方法

    公开(公告)号:JP2021103104A

    公开(公告)日:2021-07-15

    申请号:JP2019233959

    申请日:2019-12-25

    发明人: 東又 厚

    摘要: 【課題】層間の剥離のおそれを抑え、より信頼性の高い中性子発生用リチウムターゲット及びその製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】本発明の一観点に係る中性子発生用リチウムターゲットは、基板と、基板上に形成されるリチウム層、リチウム層の上に形成される金属クロム層と、金属クロム層上に形成される傾斜窒化クロム層と、を有し、また、他の一観点に係る中性子発生用リチウムターゲットの製造方法として、基板上にリチウム層を形成する工程、リチウム層上に金属クロム層を形成する工程、金属クロム層上に傾斜窒化クロム層を形成する工程、を備えることを特徴とする。 【選択図】図1

    KR102232630B1 - Universal supporting hoder

    公开(公告)号:KR102232630B1

    公开(公告)日:2021-03-29

    申请号:KR1020190101255A

    申请日:2019-08-19

    IPC分类号: G01N1/36 G01D11/16 G21K5/08

    CPC分类号: G01N1/36 G01D11/16 G21K5/08

    摘要: 유니버셜 서포트 홀드 장치가 개시된다.
    본 발명의 일 실시예에 따르면, 스테이지; 상기 스테이지에 제1 방향을 따라 소정 길이로 연장되게 제공되는 슬라이딩 바; 상호 이격되도록 상기 슬라이딩 바에 복수 개가 제공되고, 상기 슬라이딩 바의 길이 방향을 따라 슬라이딩되며, 높이 방향을 따라 소정 높이만큼 연장되는 슬라이더; 및 높이 방향으로 상호 이격되도록 하나의 상기 슬라이더에 복수 개가 제공되며, 상기 슬라이더를 따라 높이 방향으로 슬라이딩되거나 소정 위치에 고정되고, 일측면에 시료가 고정되는 고정 블록;을 포함하는 유니버셜 서포트 홀드 장치가 제공될 수 있다.

    放射性核種の製造方法及び装置
    6.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2021004767A

    公开(公告)日:2021-01-14

    申请号:JP2019117781

    申请日:2019-06-25

    摘要: 【課題】電子線加速器を利用した放射性核種製造装置を基本として、さらなる製造効率の向上を図る。 【解決手段】電子線の照射方向に対し、種類の異なる複数の原料を並べて配置し、複数の原料のうち、初段の原料として、後段の原料よりも原子番号または密度が小さいものを用いる。初段の原料に電子線が照射されることにより制動放射線が生成し、この制動放射線により初段の原料が核反応を起こし放射性核種が生成される。また制動放射線の一部は初段の原料を透過して後段の原料に照射され、これにより後段の原料から核反応により別種の放射性核種が生成される。 【選択図】図1

    ターゲット装置
    7.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2020165659A

    公开(公告)日:2020-10-08

    申请号:JP2019063357

    申请日:2019-03-28

    发明人: 田中 栄士

    IPC分类号: G21K5/08 G21G1/10

    摘要: 【課題】品質の高い放射性ガス同位体を効率良く製造できるターゲット装置を提供する。 【解決手段】原料ガス供給ライン70は、原料ガスの流量を調整する第1の流量調整部70A及び第2の流量調整部70Bを有している。このうち、第2の流量調整部70Bは、第1の流量調整部70Aに比して少ない流量にて原料ガスを供給できる。この場合、ターゲットガス中の原料ガスの濃度を調整するとき、流量の多い第1の流量調整部70Aは、ある程度の量まで原料ガスをターゲットガス反応器20へ供給することができる。そして、流量の少ない第2の流量調整部70Bは、微少流量の原料ガスを供給することで、最終的な濃度の調整を厳密に行うことができる。第2の流量調整部70Bを用いることで、原料ガスの濃度を正確に調整して、RIガスの品質を高めることができる。 【選択図】図1

    ビーム標的およびビーム標的システム

    公开(公告)号:JP2020139882A

    公开(公告)日:2020-09-03

    申请号:JP2019036815

    申请日:2019-02-28

    摘要: 【課題】大強度のビームを受け止めることが可能なビーム標的および、生成された核反応生成物を効率的に利用可能なビーム標的システムを提供する。 【解決手段】ビーム発生源から得られるビームを照射して核反応生成物を生成するためのビーム標的であって、先端ほど径が小さくなるテーパ形状の内側面を有するコーン体と、前記コーン体の内側面に液体金属を供給して、前記内側面に前記液体金属による液膜を形成する供給手段と、を備える。コーン体表面に液体金属の液膜が形成されビームの照射面積を大きくする事ができるとともに、コーン体の周囲にLLFP等の対象物質を配置できるので液体金属へのビーム照射で生成される核反応生成物(例えば中性子)を効率的に利用できる。 【選択図】図1

    ターゲット装置
    9.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2020136031A

    公开(公告)日:2020-08-31

    申请号:JP2019026733

    申请日:2019-02-18

    发明人: 小笠原 毅

    IPC分类号: G21K5/08 H05H6/00

    摘要: 【課題】ターゲット液体の適切な位置に荷電粒子線が照射されるようにするターゲット装置を提供する。 【解決手段】ターゲット装置7は、ターゲット液体Tを収容するターゲット収容部27と、サイクロトロン3の真空箱9から出射された荷電粒子線Bをターゲット収容部27まで通過させるビーム通過路17と、ビーム通過路17内の所定位置に設けられ、所定位置におけるビーム通過路17の断面の一部を遮蔽して荷電粒子線Bの通過を許容しない遮蔽部位63を有すると共に断面の他部では荷電粒子線Bの通過を許容するコリメータ61と、を備える。 【選択図】図1