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公开(公告)号:KR102239478B1
公开(公告)日:2021-04-12
申请号:KR1020190093528A
申请日:2019-07-31
申请人: 인하대학교 산학협력단
IPC分类号: H01L31/032 , H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/0392 , H01L31/09 , H01L31/18
CPC分类号: H01L31/032 , H01L31/02167 , H01L31/02366 , H01L31/0392 , H01L31/09 , H01L31/18 , Y02E10/50
摘要: 본 발명의 목적은 패턴화된 페로브스카이트 층을 형성하는 방법 및 이에 의하여 제조되는 패턴을 포함하는 페로브스카이트 층을 제공하는데 있다. 이를 위하여 본 발명은 기판 상에 고분자로 양각 패턴을 형성하는 단계(단계 1); 화학기상증착법을 이용하여 상기 기판 중 상기 양각 패턴이 형성되지 않은 부분에 선택적으로 페로브스카이트 구조를 위한 제1 전구체를 증착하는 단계(단계 2); 상기 선택적으로 증착된 제1 전구체와 페로브스카이트 구조를 위한 제2 전구체를 반응시켜 패턴화된 페로브스카이트 층을 형성하는 단계(단계 3);를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴화된 페로브스카이트 층의 형성방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 간단한 공정을 사용하면서도, 높은 선택도로 패터닝을 수행할 수 있어, 고품질의 패턴화된 페로브스카이트 층을 제조할 수 있고, 이에 따라, 이를 사용하는 태양전지의 광전변환효율을 향상시킬 수 있는 등, 적용분야에서의 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
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公开(公告)号:KR20210032154A
公开(公告)日:2021-03-24
申请号:KR1020190113566A
申请日:2019-09-16
申请人: 주식회사 한국인삼공사
IPC分类号: A01G9/24 , A01G9/22 , A01G22/35 , H01L31/0392
CPC分类号: A01G9/24 , A01G22/35 , A01G9/222 , A01G9/246 , H01L31/03923 , Y02E10/541
摘要: 본 발명은 태양광 발전병용 터널형 인삼 재배 시스템에 관한 것으로, 인삼밭에 마련되는 터널본체, 터널본체의 지붕을 덮도록 마련되는 CIGS 박막 태양전지, CIGS 박막 태양전지에서 생산된 전력에 의해 작동하며 터널본체의 내부 공기를 환풍시키는 환풍 유닛을 포함하는 것에 의하여, 인삼 재배 농가의 수익성을 높이고, 품질향상과 생산성을 증대시킬 수 있는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
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公开(公告)号:KR102226670B1
公开(公告)日:2021-03-11
申请号:KR1020167008223A
申请日:2014-10-06
申请人: 닛산 가가쿠 가부시키가이샤
IPC分类号: G03F7/00 , C07F7/08 , C07F7/18 , G03F7/028 , H01B13/00 , H01L27/146 , H01L31/0392
CPC分类号: C08F290/068 , B32B3/10 , C07F7/0838 , C07F7/18 , G03F7/0002 , G03F7/027 , G03F7/028 , G03F7/0755 , G03F7/0757 , H01B13/0026 , H01L27/146 , H01L31/0392 , Y10T428/24802
摘要: [과제] 신규한 임프린트 재료, 및 해당 재료로 제작되어, 패턴이 전사된 막을 제공한다.
[해결수단] (A)성분: 하기 식(1)로 표시되는 반복단위를 가지며, 식 중 X
0 으로 표시되는 중합성기를 2개 이상 갖는 실세스퀴옥산 화합물, (B)성분: 하기 식(2)로 표시되는 반복단위를 가지며, 말단에 중합성기를 2개 갖는 실리콘 화합물, (C)성분: 광중합개시제 및 (D)성분: 용제를 함유하고, 상기 (A)성분 및 (B)성분의 합계 100질량%에 대하여, 해당 (B)성분의 비율이 5질량% 이상 25질량% 이하인 임프린트 재료.
(식 중, R
1 및 R
2 는 각각 독립적으로 탄소원자수 1 내지 3의 알킬기를 나타내고, R
0 은 탄소원자수 1 내지 3의 알킬렌기를 나타내고, k는 0 내지 3의 정수를 나타낸다.)-
公开(公告)号:KR20210026476A
公开(公告)日:2021-03-10
申请号:KR1020190107303A
申请日:2019-08-30
申请人: 한국전력공사 , 고려대학교 산학협력단
IPC分类号: H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0392 , H01L31/18
CPC分类号: H01L31/035209 , H01L31/02167 , H01L31/022483 , H01L31/0392 , H01L31/186
摘要: 본 발명은 양자점 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판에 형성한 인듐 주석 산화물 투명전극과 상기 투명전극의 상부에 형성되며 합성한 산화아연 나노입자로 이루어진 전자이동층과 상기 전자이동층의 상부에 형성되며 액상 리간드 치환 기법으로 합성한 아이오드화 납을 리간드로 갖고 있는 황화 납으로 이루어진 광 흡수층과 상기 광 흡수층의 상부에 형성되며 EDT 리간드 황화납 양자점으로 이루어진 정공흡수층과 상기 정공흡수층의 상부에 형성된 양극을 포함한다. 본 발명은 저온, 상압, 용액 공정을 통해 광 변환 효율 9%의 양자점 태양전지를 제조할 수 있는 이점이 있다.
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公开(公告)号:JP2021035903A
公开(公告)日:2021-03-04
申请号:JP2020178821
申请日:2020-10-26
申请人: エプロ ディベロップメント リミテッド
发明人: ラウ アルバート プイ サン , ラウ リー チャン
IPC分类号: H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/0392 , H01M4/38 , H01M4/134 , H01M4/66 , C01B33/039
摘要: 【課題】太陽電池用途に好適な、炭素等の不純物が少ないシリコンナノ粒子、あるいはリチウムイオン二次電池に好適な、充電による体積膨張を抑制できるシリコン系電池極材を提供できるシリコンナノ粒子の製法を提供する。 【解決手段】シリコン原料からシリコンナノ粒子を製造する方法であって、シリコン原料を少なくとも1種の合金化用金属と混ぜて合金にする工程と、合金を加工処理して合金ナノ粒子を形成する工程と、合金ナノ粒子から合金化用金属を蒸留することによって、シリコンナノ粒子を製造する工程とを含む方法。得られたシリコンナノ粒子を繊維、糸、テキスタイルと複合化することにより、充電時の膨張を抑制し、電池容量を向上させることを含む方法。 【選択図】図1
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公开(公告)号:JP6785658B2
公开(公告)日:2020-11-18
申请号:JP2016555530
申请日:2015-01-14
发明人: リー−ヤー イェー
IPC分类号: B28D5/00 , C03B33/027 , C03B33/07 , G02F1/13 , G02F1/1333 , H01L31/0392 , H05B33/02 , H05B33/10 , H01L51/50 , H05B33/14 , C03B33/09
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公开(公告)号:JP6657073B2
公开(公告)日:2020-03-04
申请号:JP2016510449
申请日:2015-03-25
IPC分类号: H01L31/0749 , H01L31/0224 , H01L31/0392 , H01L31/18
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公开(公告)号:JP6593726B2
公开(公告)日:2019-10-23
申请号:JP2018166699
申请日:2018-09-06
申请人: 日本電気硝子株式会社
发明人: 六車 真人
IPC分类号: C03C21/00 , C03C3/091 , C03C3/093 , H01L31/0392 , C03C3/087
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10.
公开(公告)号:JP2019172970A
公开(公告)日:2019-10-10
申请号:JP2019035482
申请日:2019-02-28
申请人: 東レ株式会社
IPC分类号: C08G73/10 , H01L31/0392 , G02F1/1333 , C08L79/08
摘要: 【課題】支持体に成膜したときのストレスの発生が小さく、またレーザーリフトオフ時の照射エネルギーを低下させることができる表示デバイスまたは受光デバイスの基板用樹脂組成物の提供。 【解決手段】式(1)またはその前駆体で表される繰り返し単位を主成分とする樹脂を含み、表示デバイスまたは受光デバイスの基板として用いられる樹脂組成物。 (X:炭素数2以上の4価のテトラカルボン酸残基、Y:炭素数2以上の2価のジアミン残基。ただし、樹脂中の全てのXおよびYのうちの1モル%以上は、炭素数4〜8の脂環式炭化水素の少なくとも4つ以上の水素原子が炭素数4〜12の炭化水素基で置換された構造を有する、4価のテトラカルボン酸残基および/または2価のジアミン残基。) 【選択図】なし
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