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    PLASMA DEVICE PROVIDED WITH PLASMA EVALUATING DEVICE
    1.
    发明专利
    PLASMA DEVICE PROVIDED WITH PLASMA EVALUATING DEVICE 失效

    公开(公告)号：JPH05315095A

    公开(公告)日：1993-11-26

    申请号：JP11564992

    申请日：1992-05-08

    申请人： HITACHI SCIENCE SYSTEMS LTD

    发明人： KAWAZOE SHIGEYOSHI ,  NONAKA HIROTAKA ,  MUTO HIROSHI ,  TAKABORI SAKAE

    IPC分类号： B01J19/08 ,  C23F4/00 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/00 ,  H05H1/08 ,  H05H1/46

    摘要： PURPOSE:To provide a plasma evaluating device of good operability by providing an incident means of light for spectromeasuring an in-plasma substance and a light receiving means of outgoing light from plasma, in a plasma discharge chamber. CONSTITUTION:Parallel plate electrodes 2, 3 are provided in a discharge chamber 1 exhausted to a predetermined vacuum by a vacuumizing device 18. O2 or the like is supplied from a gas inflow port 4, and high frequency voltage is applied to the electrode 2 through a terminal 13 to change the O2 into plasma. The electrode 3 is connected to the earth through a terminal 5. An Si wafer on the electrode 2 is ash formation corrosion engraved by plasma gas. Light of a light source 16 passes through- optical fibers 21, inserted in a strut 9, to outgo from an outgoing end 10, and the light is guided to a spectroscope 20 via a light receiving end 12, strut 11 and fibers 22, spectroanalyzed and recorded. A fiber end is vertically long arranged in the outgoing end 10 and the light receiving end 12, and throttles 25, 26 are respectively provided in the light source 16 and the spectroscope 20, so that vertical lengthwise arrangement of the fiber 22 is partially selected to measure component distribution and concentration distribution of a height position of the plasma. A leakage electromagnetic wave from the periphery of the discharge chamber is shielded by a grounded shield 8.

    Light source for semiconductor lithography
    4.
    发明专利
    Light source for semiconductor lithography 审中-公开
    用于半导体光刻的光源

    公开(公告)号：JP2014175495A

    公开(公告)日：2014-09-22

    申请号：JP2013047227

    申请日：2013-03-08

    申请人： Kansai Univ ,  学校法人 関西大学

    发明人： ONISHI MASAMI ,  WAHEED HUGHGLASS

    IPC分类号： H01L21/027 ,  H05G2/00 ,  H05H1/08

    摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light source for lithography which allows for generation of high temperature, high density plasma, while recovering debris occurring with development of plasma effectively.SOLUTION: A light source for semiconductor lithography generating light of short wavelength for patterning a circuit on a semiconductor wafer includes a light source body having an outer peripheral wall defining an internal space filled with stannane gas under a state of negative pressure, reverse magnetic field configuration generation means for generating a reverse magnetic field configuration in the internal space, in order to generate plasma via stannane gas in the internal space of the light source body, and debris recovery means for recovering debris occurring by generation of plasma in the internal space of the light source body.

    摘要翻译： 要解决的问题：提供一种用于光刻的光源，其允许产生高温，高密度等离子体，同时有效地回收随着等离子体的发展而发生的碎片。解决方案：用于半导体光刻的光源，其产生短波长的光，用于图案化 半导体晶片上的电路包括在负压状态下具有限定填充有锡烷气体的内部空间的外周壁的光源体，按顺序在内部空间中产生反向磁场结构的反向磁场结构生成装置 以通过光源体的内部空间中的锡烷气体产生等离子体，以及碎片回收装置，用于回收通过在光源体的内部空间中产生等离子体而产生的碎片。

    Plasma electron generation system
    8.
    发明专利
    Plasma electron generation system 有权
    等离子体电子发生系统

    公开(公告)号：JP2013101134A

    公开(公告)日：2013-05-23

    申请号：JP2013000923

    申请日：2013-01-08

    申请人： Regents Of The Univ Of California ,  ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア

    发明人： ROSTOKER NORMAN ,  BINDERBAUER MICHL ,  WESSEL FRANK ,  CHEUNG ALEX ,  BYSTRITSKII VITALY ,  SONG YUANXU ,  ANDERSON MICHAEL ,  GARATE EUSEBIO ,  VANDRIE ALAN

    IPC分类号： G21B1/05 ,  H05H1/08

    CPC分类号： G21B1/052 ,  G21B1/05 ,  Y02E30/122 ,  Y02E30/126

    摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a closing system for reducing abnormal transport of ions and electrons.SOLUTION: Disclosed is a system and device for controlling fusion in a magnetic topology of Field Reversed Configuration (FRC), and for directly converting fusion product energy into power. It is preferable that plasma ions are confined in the FRC, and that plasma electrons are confined in an electrostatic state in a deep energy well generated by adjusting a magnetic field applied to the outside. Ions and electrons may have sufficient density and temperature so as to fuse with each other by a nuclear force in collision, and thereby forming a fusion product appearing in a form of an annular beam. Energy is extracted from the fusion product when the fusion product spirally passes through the electrode of an inverse cyclotron converter.

    摘要翻译： 要解决的问题：提供一种用于减少离子和电子的异常运输的闭合系统。 解决方案：公开了一种用于控制场反转配置（FRC）的磁拓扑中的融合并用于将融合产物能量直接转换为功率的系统和装置。 优选的是，等离子体离子被限制在FRC中，并且等离子体电子被限制在静电状态下，通过调节施加到外部的磁场而产生的深能量中。 离子和电子可以具有足够的密度和温度，以便通过碰撞中的核力彼此融合，从而形成以环形束形式出现的熔融产物。 当融合产物螺旋地穿过反向回旋加速器的电极时，从熔融产物中提取能量。 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

    Pulsed discharge extreme ultraviolet source with magnetic shield
    9.
    发明专利
    Pulsed discharge extreme ultraviolet source with magnetic shield 审中-公开
    脉冲放电超声波超声波源与磁性屏蔽

    公开(公告)号：JP2012146637A

    公开(公告)日：2012-08-02

    申请号：JP2011268652

    申请日：2011-12-08

    申请人： Plex Llc ,  プレックス エルエルシーPlex Llc

    发明人： MALCOLM W MCGEOCH

    IPC分类号： H05G2/00 ,  H01L21/027 ,  H05H1/08 ,  H05H1/24

    CPC分类号： H05B41/2806 ,  H05G2/005 ,  Y02B20/22

    摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pulsed generator of a pinch plasma.SOLUTION: A magnetically shielded, efficient plasma generation configuration for a pulsed discharge extreme ultraviolet (EUV) source includes two opposed convex electrodes 10 and 20 mounted on axes parallel to a static magnetic field. A limiter aperture disposed between the electrodes, in conjunction with the field lines, defines a hollow plasma cylinder 90 connecting the electrodes. A high pulsed voltage and current compress the plasma cylinder 90 and its interior magnetic field to create a magnetic insulating layer at the same time as propelling a working gas from each side toward the space between the electrode tips. The plasma then collapses radially in three-dimensional compression to form a dense plasma on the axis of the device with radiation of extreme ultraviolet light.

    摘要翻译： 要解决的问题：提供夹紧等离子体的脉冲发生器。 解决方案：用于脉冲放电极紫外（EUV）源的磁屏蔽有效等离子体产生配置包括安装在平行于静磁场的轴上的两个相对的凸电极10和20。 设置在电极之间的限制器孔与场线一起限定连接电极的中空等离子体圆筒90。 高脉冲电压和电流压缩等离子体圆筒90及其内部磁场，以在从每侧朝向电极尖端之间的空间推动工作气体的同时产生磁性绝缘层。 然后等离子体在三维压缩中径向塌缩，以在具有极紫外光辐射的装置的轴上形成致密等离子体。 版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

    System and method for plasma confinement
    10.
    发明专利
    System and method for plasma confinement 审中-公开

    公开(公告)号：JP2007524957A

    公开(公告)日：2007-08-30

    申请号：JP2006507394

    申请日：2004-03-19

    申请人： ユタ州立大学

    发明人： エドワーズ，ダブリュー．，ファレル ,  ヘルド，エリック

    IPC分类号： H05H1/16 ,  G21B1/05 ,  G21B1/11 ,  G21B1/25 ,  G21K1/00 ,  H05G2/00 ,  H05H1/02 ,  H05H1/06 ,  H05H1/08 ,  H05H1/12 ,  H05H3/06

    CPC分类号： H05G2/003 ,  G21B1/05 ,  H05H1/02 ,  H05H3/06 ,  Y02E30/126

    摘要： プラズマ閉じ込めのための装置（１１２）および方法が開示されている。 プラズマ（１００）の安定平衡は、マックスウェル方程式、運動モーメント方程式、断熱方程式の対象となるシステムエネルギを、準中立状態を強いることなく、変化させることによって決定される。 ある実施例では、電子は、２つの流体の電荷分離によって発生する磁力および内部的な静電力によるイオンによって封じ込められる。 ある実施例では、エネルギ変化プロセスのための入力パラメータは、プラズマのベータパラメータ状態を満たすように選択され、それにより、制御変数の数を一つ減らしている。 一次元的に平衡な円筒状に対称なプラズマの半径方向の長さは、電子膜の深さによって特徴づけられている。 そのようなプラズマは、コンパクトな形状を有する高いアスペクト比のトロイドとして封じ込むことができる。 コンパクトなプラズマ溶融装置の出願は、中性子の発生、Ｘ線の発生、電力の発生を含む。