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    円柱光学系を用いた楕円ビーム設計
    1.
    发明专利
    円柱光学系を用いた楕円ビーム設計 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021533345A

    公开(公告)日：2021-12-02

    申请号：JP2021505218

    申请日：2019-07-30

    申请人： イオンキュー インコーポレイテッド ,  デューク ユニバーシティ

    发明人： キム ジュンサン ,  ウォン−カンポス デイヴィッド ,  フデック カイ

    IPC分类号： B82Y10/00 ,  B82B1/00 ,  G21K1/00

    摘要： 本開示は、量子情報処理(QIP)システムを含む、異なる用途で使用され得る円柱光学系を用いた楕円ビーム設計のための技術の様々な態様を説明する。一態様では、開示は、第一の焦点距離を有する第一の光学構成と、第二の焦点距離を有し、第一の方向に整列された第二の光学構成と、第三の焦点距離を有し、第一の方向に直交する第二の方向に整列された第三の光学構成とを有する光学システムを説明する。光学システムは、1つまたは複数の光ビーム(例えば、円形または楕円)を受け取り、1つまたは複数の楕円ガウス光ビームを画像化するために、1つまたは複数の光ビームに、第一の方向および第二の方向に異なる倍率を適用するように構成される。また、上述したようなシステムを用いて楕円光ビームを生成する方法も開示される。 【選択図】図4A

    表面改質装置および表面改質方法
    3.
    发明专利
    表面改質装置および表面改質方法 有权

    公开(公告)号：JP2021089819A

    公开(公告)日：2021-06-10

    申请号：JP2019218552

    申请日：2019-12-03

    申请人： 株式会社ソディック

    发明人： 井上 基弘

    IPC分类号： H05H1/24 ,  G21K1/00 ,  G21K5/04 ,  H01J37/20 ,  B01J19/08 ,  H01J37/30

    摘要： 【課題】 シンプルな構造で製造費、維持管理費などの費用を大幅に低減可能であり、かつ被照射体の照射孔の内側面を容易に改質可能な表面改質装置および表面改質方法を提供すること。 【解決手段】 本発明は、被照射体(7)の照射孔(7A)の内側面(7B)に向けて電子を放出する円柱状のカソード電極(5A)と、前記カソード電極(5A)から放出された電子を回収するコレクタ(5C)を備えた表面改質装置(100)であって、前記コレクタ(5C)と前記被照射体(7)との間に絶縁部材(8)が設けられていることを特徴とする。 【選択図】図1

    イオン発生複合ターゲット及びそれを使用したレーザー駆動イオン加速装置
    6.
    发明专利
    イオン発生複合ターゲット及びそれを使用したレーザー駆動イオン加速装置 有权

    公开(公告)号：JP2021022552A

    公开(公告)日：2021-02-18

    申请号：JP2019211070

    申请日：2019-11-22

    申请人： 國立中央大學 , 

    发明人： ▲温▼偉源 ,  蔵満康浩

    IPC分类号： B82Y30/00 ,  G21K1/00 ,  H05H15/00 ,  H01J27/24

    摘要： 【課題】レーザー航跡場加速メカニズムでは、ターゲットの厚さがある程度まで小さくなると、かえって高エネルギーレーザーからのプレパルスレーザーの衝突に耐えられなくなってしまう。また、レーザー航跡場を用いて基本粒子を加速する場合、薄いターゲットはプレパルスの衝撃に耐えられず、主パルスが到着する前に壊れて使用できなくなり、厚いターゲットはプレパルスに耐えられるが、その厚さはイオン加速効率を全体的に低下させる原因になる。 【解決手段】イオン放射技術に応用されるイオン発生複合ターゲットであり、貫通孔を含む基板と、1nm〜3nmの厚さと400μmを超える長辺を有し、イオン化されて陽子または炭素イオンのいずれかを放出する、基板上配置されて貫通孔を横切るグラフェン薄膜とを備える。 【選択図】図11

    イオン注入装置
    8.
    发明专利
    イオン注入装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2020155256A

    公开(公告)日：2020-09-24

    申请号：JP2019051014

    申请日：2019-03-19

    申请人： 住友重機械イオンテクノロジー株式会社

    发明人： 松下 浩 ,  大西 亮太

    IPC分类号： G21K5/04 ,  G21K1/00 ,  G21K5/00 ,  G21K1/093 ,  H01L21/265 ,  G21F7/00 ,  H01J37/317

    摘要： 【課題】装置外の中性子線量率を抑制する。 【解決手段】イオン注入装置100は、装置本体58と、装置本体58を少なくとも部分的に包囲する筐体60とを備える。装置本体58は、イオンビームが輸送されるビームラインBLに沿って配置される複数のユニット12,14,16,18と、ビームラインBLの最下流に配置される基板搬送処理ユニット20とを含み、高エネルギーのイオンビームの衝突により中性子線が発生しうる中性子線発生源を有する。イオン注入装置100は、中性子線発生源から筐体60までの距離が所定以下となる方向に中性子線発生源から出射される中性子線が入射しうる位置に配置される中性子線散乱部材をさらに備える。 【選択図】図4

    散乱線情報推定装置、放射線治療用動体追跡システムおよび散乱線情報推定方法
    9.
    发明专利
    散乱線情報推定装置、放射線治療用動体追跡システムおよび散乱線情報推定方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2020120713A

    公开(公告)日：2020-08-13

    申请号：JP2019012813

    申请日：2019-01-29

    申请人： 株式会社島津製作所

    发明人： 皿上 順英

    IPC分类号： A61B6/00 ,  G21K5/02 ,  G21K1/00 ,  A61N5/10

    摘要： 【課題】治療用X線を照射することなく治療用X線による散乱線情報を推定することが可能な散乱線情報推定装置、放射線治療用動体追跡システムおよび散乱線情報推定方法を提供する。 【解決手段】この散乱線情報推定装置1は、患者80に治療用X線32を照射することにより治療を行う際に、動体追跡を行う放射線治療用動体追跡システム100における、治療用X線32の散乱を推定する散乱線情報推定装置であって、放射線治療用動体追跡システム100の設置位置の情報を取得する設置位置情報取得部11と、患者80の外形形状の情報を含む患者情報を取得する患者情報取得部12と、患者80の治療計画から治療用X線32のビーム情報を取得するビーム情報取得部13と、設置位置の情報と、患者情報と、治療用X線32のビーム情報とに基づいて、治療用X線32が散乱することにより生じる第1散乱線推定情報33を取得する散乱線推定情報取得部14と、を含む。 【選択図】図1

    中性子捕捉療法システム
    10.
    发明专利
    中性子捕捉療法システム 审中-公开

    公开(公告)号：JP2020518352A

    公开(公告)日：2020-06-25

    申请号：JP2019559284

    申请日：2018-08-17

    申请人： 南京中硼▲聯▼康医▲療▼科技有限公司 ,  Neuboron Medtech Ltd.

    发明人： ▲劉▼渊豪 ,  陳▲韋▼霖

    IPC分类号： G21K1/00 ,  G21K5/08 ,  G21K5/00 ,  H05H6/00 ,  H05H3/06 ,  A61N5/10

    摘要： 一種の中性子捕捉療法システム(100)は、荷電粒子ビーム(P)を発生するための加速器(200)、荷電粒子ビーム(P)と反応して中性子ビーム(N)を発生する中性子発生部(10)及びビーム整形体(20)を含み、前記ビーム整形体(20)は収容部(21)、減速体(22)、反射体(23)、熱中性子吸収体(24)、放射遮蔽(25)及び射束出口(26)を含み、収容部(21)には加速器(200)に接続する真空管(30)が設けられ、真空管(30)は加速器(200)によって加速された後の荷電粒子ビーム(P)を中性子発生部に転送して、中性子発生部が荷電粒子ビーム(P)と反応して中性子を発生でき、中性子発生部(10)は第一位置と第二位置の間に運動し、第一位置において、中性子発生部(10)が荷電粒子ビーム(P)と反応して中性子を発生することができ、第二位置において、中性子発生部(10)がビーム整形体(20)から脱落する。即ち、中性子発生部(10)が有する部分真空管(30)を取り外すことで中性子発生部(10)をビーム整形体(20)の中から脱落し、作業者が核反応の発生した後の中性子発生部(10)との間の直接な接触を減少して、作業者の放射線のリスクを低減する。