公开(公告)号：KR1020070042956A

公开(公告)日：2007-04-24

申请号：KR1020077000010

申请日：2005-05-25

申请人： 코닌클리케 필립스 엔.브이.

发明人： 뮬러,저드오 ,  뮬러-마흐,레기나비. ,  크램스,마이클알. ,  슈미트,피터제이. ,  베크텔,헬무트 ,  메이어,저그 ,  데그래프,잔 ,  캅,데오아놀드

IPC分类号： H01L33/50

CPC分类号： H01L33/502 ,  C04B35/44 ,  C04B35/547 ,  C04B35/584 ,  C04B35/597 ,  C04B35/6268 ,  C04B35/64 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/6027 ,  C04B2235/662 ,  C09K11/7774 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/50 ,  H01L33/501 ,  H01L33/505 ,  H01L33/508 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/58 ,  H01L33/62 ,  H01L33/641 ,  H01L33/644 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2933/0075 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor light emitting device comprises a light emitting layer disposed between an n-type region and a p-type region is combined with a ceramic layer which is disposed in a path of light emitted by the light emitting layer. The light emitting device is supported by a submount or a host substrate. A heat extraction structure thermally couples the first ceramic layer to the submount or host substrate, respectively.

摘要翻译： 包括设置在n型区域和p型区域之间的发光层与设置在由发光层发射的光的路径中的陶瓷层组合的半导体发光器件。 发光器件由底座或主机衬底支撑。 散热结构分别将第一陶瓷层热耦合到底座或主机基板。

公开(公告)号：KR101228849B1

公开(公告)日：2013-02-01

申请号：KR1020077000010

申请日：2005-05-25

申请人： 코닌클리케 필립스 엔.브이.

发明人： 뮬러,저드오 ,  뮬러-마흐,레기나비. ,  크램스,마이클알. ,  슈미트,피터제이. ,  베크텔,헬무트 ,  메이어,저그 ,  데그래프,잔 ,  캅,데오아놀드

IPC分类号： H01L33/50

CPC分类号： H01L33/502 ,  C04B35/44 ,  C04B35/547 ,  C04B35/584 ,  C04B35/597 ,  C04B35/6268 ,  C04B35/64 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/6027 ,  C04B2235/662 ,  C09K11/7774 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/50 ,  H01L33/501 ,  H01L33/505 ,  H01L33/508 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/58 ,  H01L33/62 ,  H01L33/641 ,  H01L33/644 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2933/0075 ,  H01L2924/00

摘要： n형 영역과 p형 영역 사이에 배치된 발광층을 포함하는 반도체 발광 디바이스는, 발광층에 의해 방출된 광의 경로 내에 배치된 세라믹층과 결합된다. 세라믹층은 인광체와 같은 파장 변환 재료로 이루어지거나 그를 포함한다. 본 발명의 실시예들에 따른 냉광 세라믹층은 종래의 인광체층보다 온도에 덜 민감하고 더 강건할 수 있다. 또한, 냉광 세라믹은 더 적은 산란을 나타내며, 따라서 종래의 인광체층에 비해 변환 효율을 향상시킬 수 있다.
반도체 발광 디바이스, 냉광 세라믹, 파장 변환 재료, 발광체층

摘要翻译： 包括设置在n型区域和p型区域之间的发光层与设置在由发光层发射的光的路径中的陶瓷层组合的半导体发光器件。 发光器件由底座或主机衬底支撑。 散热结构分别将第一陶瓷层热耦合到底座或主机基板。