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公开(公告)号:KR1020180097784A
公开(公告)日:2018-08-31
申请号:KR1020187024182
申请日:2009-11-18
申请人: 나노코 테크놀로지스 리미티드
CPC分类号: H01L33/56 , B82Y15/00 , C09K11/02 , C09K11/565 , C09K11/70 , C09K11/883 , G01N33/588 , H01L33/005 , H01L33/04 , H01L33/501 , H01L33/502 , H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L33/50 , C09K11/00 , G01N33/53 , H01L33/505 , H01L33/52
摘要: 양자점발광소자들의제조방법에사용되는제법과상기제법들에관한것으로, 발광소자를제조하는데 사용되는제제(formulation)를제공하며, 상기제제는광학적투명매질(optically transparent medium)에포함된다수의개개의마이크로비드들내에결합된반도체나노입자의집단(population)을포함하며, 상기나노입자함유매질은호스트발광다이오드(LED) 봉지매질내에내장된다.
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公开(公告)号:KR101887942B1
公开(公告)日:2018-08-14
申请号:KR1020120048047
申请日:2012-05-07
申请人: 삼성전자주식회사
发明人: 김유식
CPC分类号: H01L33/504 , H01L24/05 , H01L33/0095 , H01L33/06 , H01L33/382 , H01L33/40 , H01L33/50 , H01L33/505 , H01L33/507 , H01L33/60 , H01L2224/48091 , H01L2933/0041 , H01L2924/00014
摘要: 본발명의일 실시형태에따른발광소자는, 지지기판; 반도체층의적층구조로이루어지며, 상기지지기판상에형성된적어도하나의발광적층체; 상기지지기판상에형성되어상기발광적층체를에워싸는벽부; 및상기발광적층체의상부에배치되는파장변환층;을포함할수 있다.
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公开(公告)号:KR101878371B1
公开(公告)日:2018-07-13
申请号:KR1020170037832
申请日:2017-03-24
申请人: 한국과학기술원
CPC分类号: C09K11/02 , C08G77/52 , C08G77/70 , C08G77/80 , C09K11/54 , C09K11/565 , C09K11/703 , C09K11/883 , H01L33/502 , H01L33/56 , H01L2933/0033 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , C08G77/18 , C08G77/08 , C08G2190/00 , C08K3/013 , C08K9/02 , C08K2201/011 , C08L83/04 , C08L2203/16 , C08L2203/20
摘要: 본발명은반도체나노결정실록산복합체수지조성물의제조방법및 이를이용한경화물에관한것이다. 상기제조방법은, 실록산구조를형성하기위한비가수솔-젤축합반응시에반도체나노결정을첨가함으로써, 실록산결합을포함하는치밀한무기망목의실록산수지가화학적상호작용및 화학결합을통해반도체나노결정에캡슐화(encapsulation)되어분산되도록함으로써, 외부의산화환경으로부터반도체나노결정의고유한특성 (양자효율)이저하되지않도록한다. 이에따라, 상기수지조성물의경화를수행하면, 우수한신뢰성을갖는반도체나노결정실록산복합체를포함한각종응용소자에적용가능한경화물을제공할수 있다.
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公开(公告)号:KR101846110B1
公开(公告)日:2018-05-18
申请号:KR1020167026053
申请日:2014-05-27
CPC分类号: H01L25/0753 , H01L24/97 , H01L25/50 , H01L33/501 , H01L33/505 , H01L33/507 , H01L33/54 , H01L2933/0033 , H01L2933/0041 , H01L2933/005
摘要: LED 라이트바를제조하는방법과 LED 라이트바를제작하는방법을이용하여제작되는 LED 라이트바(26). 방법은 : 투명한기판(20)을제공하는단계, 여기서 LED 칩들(23)을고정하기위한적어도하나의프레임워크영역(21)은투명한기판(20) 상에제공되고, 각프레임워크영역(21)의양측들에는프레임워크영역(21)과평행한적어도하나의연마홈(22)가각기제공되며, 연마홈(22)는투명한기판(20)의상부표면및 하부표면을관통하는(penetrating through) 홈바디임; 다이본드과정을통해프레임워크영역(21)에서몇몇 LED 칩들(23)을배열하는단계, 동일프레임워크영역(21)에서 LED 칩들(23)은 LED 칩기둥을형성함; 와이어-본딩공정을통해동일 LED 칩기둥내에인접한 LED 칩들의양 및음극들을연결하는단계; LED 칩들(23)이몰딩공정을통해배열된투명한기판(20)의영역의상부및 하부표면에, 형광파우더와혼합된포장접착제(25)를코팅하는단계, 및압력의작용하에서포장접착제(25)를구비하는연마홈(22)을완전히채우는단계; 및포장접착제(25)가응고된후에, 동일물주위접착제를구비하는 LED 라이트바를얻기위해연마홈(22)을따라서절단하는단계, 이에의해포장접착제(25)로코팅되도록절단함으로써마침내얻어지는 LED 라이트바(26)의네 측면들을모두허가하고, 원래의측-표면라이트누출의문제를극복한다. 방법을이용하여제조된 LED 라이트바(26)는균일한하이트를방사할뿐만아니라, 색온도일관성에의해형광파우더의이용을증가시키는것을필요로하지않고, 이에의해비용을줄인다.
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公开(公告)号:KR20180030216A
公开(公告)日:2018-03-21
申请号:KR20187006272
申请日:2011-09-23
申请人: LUMILEDS HOLDING B V
发明人: CAMRAS MICHAEL DAVID , SHCHEKIN OLEG BORISOVICH , ALDAZ GRANELL RAFAEL IGNACIO , GRILLOT PATRICK NOLAN , STERANKA FRANK MICHAEL
CPC分类号: H01L33/504 , H01L25/0753 , H01L33/22 , H01L33/28 , H01L33/30 , H01L33/44 , H01L33/507 , H01L33/508 , H01L33/58 , H01L2924/0002 , H01L2933/0041 , H01L2924/00
摘要: 본발명의실시예는제1 피크파장을가지는제1 광을방출할수 있는반도체발광장치(10) 및제1 광을흡수하고제2 피크파장을가지는제2 광을방출할수 있는반도체파장변환요소(12)를포함한다. 반도체파장변환요소(12)는지지부(51)에부착되고반도체발광장치에의해방출된광의경로에배치된다. 반도체파장변환요소는반도체파장변환물질의적어도두 개의제1 영역(46) 및상기적어도두 개의제1 영역사이에배치되는, 반도체파장변환물질이없는적어도하나의제2 영역(48)을포함하기위해패터닝된다.
摘要翻译: 本发明的实施例包括能够发射具有第一峰值波长的第一光的半导体发光器件(10)和能够吸收第一光并发射具有第二峰值波长的第二光的半导体波长转换元件(12)。 半导体波长转换元件(12)附接到支撑件(51)并且设置在由半导体发光器件发射的光的路径中。 半导体波长转换元件被图案化以包括半导体波长转换材料的至少两个第一区域(46)以及设置在至少两个第一区域之间的没有半导体波长转换材料的至少一个第二区域(48)。
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公开(公告)号:KR20180015146A
公开(公告)日:2018-02-12
申请号:KR20177034727
申请日:2016-05-26
CPC分类号: H01L33/502 , B28B11/14 , C09K11/02 , H01L33/505 , H01L2933/0041 , H01L33/005
摘要: 형광체플레이트의제조방법은, 형광체시트를준비하는공정 (1)과, 형광체시트에, 관통구멍및 관통구멍에면하는관통면을형성하는공정 (2)와, 형광체시트를절단하여, 관통면을포함하는복수의형광체플레이트를형성하는공정 (3)을순서대로구비한다.
摘要翻译: 荧光体板的制造方法,以及制备该荧光体片材,荧光体片材,在步骤(2),以形成的步骤(1)通过在面向所述通孔和通孔,以切割荧光体片材,通平面平面 以及形成包括荧光板的多个荧光板的步骤(3)。
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公开(公告)号:KR101819573B1
公开(公告)日:2018-01-18
申请号:KR1020167020226
申请日:2015-02-06
申请人: 나노코 테크놀로지스 리미티드
发明人: 다니엘스,스티븐 , 나라야나스와미,아룬
IPC分类号: C09K11/02 , C09K11/70 , H01L33/06 , H01L31/0352 , H01L33/50
CPC分类号: H01L33/502 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C09K11/025 , C09K11/703 , H01L2933/0041 , Y10S977/774 , Y10S977/81 , Y10S977/818 , Y10S977/824 , Y10S977/88 , Y10S977/882 , Y10S977/892 , Y10S977/95
摘要: 어떤디티오-화합물들은양자점나노입자를위한우수한캡핑리간드로판명되었다. 예시적인디티오-리간드는디티오카르밤산염리간드들을포함한다. 강하게결합하는이들리간드는양자점나노입자의표면상의전기적양성및 음성원자둘 모두에배위결합할 수있다. 리간드들은이좌배위자이고따라서양자점표면으로의접근시에단일좌배위자의접근시에나타나는입체적인방해가발생하지않는다. 이들리간드는따라서양자점표면을완전히피복한다.
摘要翻译: 已经发现一些二硫代化合物是用于量子点纳米颗粒的优异的封端配体。 示例性的二硫配体包括二硫代氨基甲酸盐配体。 这些强结合的配体可以与量子点纳米颗粒表面上带正电和负电的原子配位。 配体是这个左配体,因此当接近量子点表面时接近单个左配体时不会引起空间位阻。 这些配体因此完全覆盖量子点的表面。
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公开(公告)号:KR101795370B1
公开(公告)日:2017-11-08
申请号:KR1020110075141
申请日:2011-07-28
申请人: 삼성전자주식회사
IPC分类号: H01L33/50
CPC分类号: H01L33/52 , H01L33/505 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2933/0091
摘要: 본발명의실시형태에따른발광디바이스의제조방법은, 접착층상에복수의발광소자를실장하는단계; 누름부재를사용하여상기복수의발광소자의상면이서로평행하도록정렬시키는단계; 형광물질이함유된수지를도포하여상기접착층상에상기복수의발광소자를덮는파장변환부를형성하는단계; 누름부재를사용하여상기파장변환부의상면을평탄화하는단계; 및상기접착층을상기복수의발광소자로부터분리하는단계;를포함한다.
摘要翻译: 根据本发明实施例的发光器件的制造方法包括:将多个发光元件安装在粘合剂层上; 使用挤压构件使所述多个发光器件的上表面彼此平行地对齐; 施加包含荧光材料的树脂以形成覆盖所述粘合剂层上的所述多个发光器件的波长转换部分; 使用挤压构件平坦化波长转换部分的上表面; 并且从多个发光元件分离粘合剂层。
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公开(公告)号:KR101778848B1
公开(公告)日:2017-09-14
申请号:KR1020150117726
申请日:2015-08-21
申请人: 엘지전자 주식회사
CPC分类号: H01L25/0753 , H01L33/50 , H01L33/507 , H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H01L2933/0033 , H01L2933/0041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要: 실시예에따른발광소자패키지어셈블리는, 제 1 기판; 상기제 1 기판상에배치되는복수개의발광소자패키지; 및상기발광소자패키지상에배치되는광 변환부재를포함하고, 상기발광소자패키지는, 상기제 1 기판상에배치되고, 제 1 캐비티가형성된몸체; 상기제 1 캐비티내에배치되는광원; 상기발광소자상에배치되는제 1 매트릭스를포함하고, 상기광 변환부재는, 복수개의제 2 캐비티가형성된제 2 기판; 상기제 2 캐비티내에배치되는제 2 매트릭스; 및상기제 2 매트릭스내부에배치되는제 1 광변환입자를포함한다.
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公开(公告)号:KR1020170102957A
公开(公告)日:2017-09-12
申请号:KR1020177021933
申请日:2015-12-23
申请人: 코닌클리케 필립스 엔.브이.
IPC分类号: H01L33/50
CPC分类号: H01L33/502 , H01L33/0095 , H01L33/30 , H01L33/504 , H01L33/505 , H01L33/508 , H01L2933/0041
摘要: 본발명의실시예들에따른방법에서, 발광다이오드에의해생성되어호스트재료및 도펀트를포함하는형광체를포함하는형광체층에의해변환되는미리결정된양의광에대해, 그리고증가하는여기밀도에서의형광체의효율의미리결정된최대감소(즉, 최대허용된감쇠)에대해, 형광체층의최대도펀트농도가선택된다.
摘要翻译: 在根据本发明的实施例的方法中,对于由发光二极管产生并由包括主体材料和包括掺杂剂的磷光体的磷光体层转换的预定量的光以及在增加的激发密度下 对于预定的最大效率降低(即,最大允许衰减),选择磷光体层的最大掺杂剂浓度。
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