公开(公告)号：KR101903355B1

公开(公告)日：2018-11-22

申请号：KR1020177008419

申请日：2013-01-10

申请人： 생-고뱅 세라믹스 앤드 플라스틱스, 인코포레이티드

发明人： 칫티,올리비에 ,  푸르카드,줄리엔,피. ,  캐즈미에룩쟈크,안드레아

IPC分类号： C04B38/00 ,  C04B35/101 ,  C04B35/66 ,  C03B17/06

CPC分类号： C04B35/1015 ,  C03B17/064 ,  C04B35/111 ,  C04B35/117 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/349 ,  C04B2235/6027 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/95 ,  C04B2235/96 ,  Y02P40/57

摘要： 내화체는적어도대략 10 wt%의 AlO및적어도대략 1 wt%의 SiO를포함한다. 실시태양에서, 내화체는첨가제를포함한다. 특정실시태양에서, 첨가제는 TiO, YO, SrO, BaO, CaO, TaO, FeO, ZnO, 또는 MgO를포함한다. 내화체는적어도대략 3 wt%의첨가제를포함한다. 추가실시태양에서, 내화체는대략 8 wt% 이하의첨가제를포함한다. 또다른실시태양에서, 내화체의크리프속도는적어도대략 1 x 10h이다. 다른실시태양에서, 내화체의크리프속도는대략 5 x 10h이하이다. 예시적실시태양에서, 내화체는유리넘침통또는성형블록을포함한다.

公开(公告)号：KR1020170020437A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：KR1020177000886

申请日：2014-06-11

申请人： 생-고뱅 생트레 드 레체르체 에 데투드 유로삐엔

发明人： 드빌,실뱅 ,  부빌르,플로리안 ,  스티븐슨,아담

IPC分类号： C04B38/06 ,  C04B41/81 ,  C04B41/91 ,  C04B41/00 ,  C04B35/638 ,  C04B35/626

CPC分类号： C04B35/62655 ,  B28B1/007 ,  B28B1/26 ,  B28B11/04 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/111 ,  C04B35/119 ,  C04B35/472 ,  C04B35/495 ,  C04B35/497 ,  C04B35/499 ,  C04B35/583 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/634 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  C04B38/0605 ,  C04B2111/00387 ,  C04B2111/00853 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/386 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/5292 ,  C04B2235/5296 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5472 ,  C04B2235/602 ,  C04B2235/608 ,  C04B2235/612 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/787 ,  C04B2235/788 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  H01M8/1246 ,  H01M10/0562 ,  H01M2008/1293 ,  H01M2300/0071 ,  H01M2300/0074 ,  Y02E60/525 ,  Y02P70/56 ,  C04B35/62625 ,  C04B41/0063 ,  C04B41/81 ,  C04B41/91 ,  C04B2111/0037 ,  C04B2235/6027 ,  C04B2235/76 ,  C04B35/00 ,  C04B38/0051 ,  C04B38/0058 ,  C04B38/0074

摘要： 본발명은다음단계들을포함하는방법에관한것이다: a) 4% 초과및 50% 미만의세라믹입자들을포함하는슬립을제조하는단계그리고이 슬립은다음을포함함: b) 중앙길이 L'를가지고세라믹입자들의 1% 초과를나타내는배향가능(orientable) 입자들로이루어지는제1 입자성부분, 및 c) L'보다적어도열 배작은중앙길이 D을가지고세라믹입자들의 1% 초과를나타내는제2 입자성부분, 상기제1 및제2 입자성부분들을합쳐세라믹입자들의총 양기준의체적백분율로상기세라믹입자들의 80% 초과를나타냄; d) 상기세라믹입자들의포위속도보다낮은속도로응고전선(solidification front)을이동시켜상기슬립을배향냉동하는단계; e) 상기블록의응고된액상결정을제거하는단계; 및 f) 선택적으로소결하는단계.

摘要翻译： 本发明涉及一种包括以下步骤的方法：a）产生包含超过4％且小于50％的陶瓷颗粒的滑动剂，其包含：b）由可定向颗粒组成的第一颗粒级分，其中间长度为L' 50并且表示超过1％的陶瓷颗粒，以及c）具有比L'50短至少十倍的中值长度D50并且表示大于1％的陶瓷颗粒的第二颗粒级分，第一和第二颗粒级分 一起占所有陶瓷颗粒的80％以体积百分比计，基于陶瓷颗粒的总量; d）通过以比陶瓷颗粒的包封速度更低的速度移动固化前沿来定向冷冻滑动; e）消除所述块的凝固液相的晶体; 和f）可选地烧结。

公开(公告)号：KR1020160085210A

公开(公告)日：2016-07-15

申请号：KR1020157025800

申请日：2014-10-21

申请人： 미쓰이금속광업주식회사

发明人： 이시다신타로 ,  하세가와준

IPC分类号： C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  H01L21/02 ,  C04B35/453

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6027 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/81 ,  C23C14/086 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

摘要： 본발명은, In, Ga 및 Zn의산화물로이루어지는스퍼터링타깃으로서, 80℃의 28질량% 염산에, 당해염산에대해서 40질량%의양의상기스퍼터링타깃을 24시간침지했을때에얻어지는용해잔사의, 상기침지한스퍼터링타깃에대한질량비가 0.5질량% 이하인스퍼터링타깃이다. 본발명의 In, Ga 및 Zn의산화물로이루어지는스퍼터링타깃은, 스퍼터시에아킹이나노듈의발생이적고, 이스퍼터링타깃으로부터수율이좋은산화물반도체막을얻을수 있다.

摘要翻译： 本发明是一种包含In，Ga和Zn的氧化物的溅射靶，当溅射靶的质量比为40质量％时，溶解残渣的质量比相对于28质量％的盐酸 在80℃下浸渍在盐酸中24小时，相对于浸渍溅射靶为0.5质量％。 包含In，Ga和Zn的氧化物的溅射靶在溅射期间具有低的电弧或结节的发生率，并且可以从该溅射靶以高产率获得氧化物半导体膜。

公开(公告)号：KR1020160031030A

公开(公告)日：2016-03-21

申请号：KR1020167005300

申请日：2012-03-09

申请人： 생-고뱅 세라믹스 앤드 플라스틱스, 인코포레이티드

发明人： 칫티,올리비에 ,  캐즈미에룩쟈크,안드레아

IPC分类号： C03B17/06 ,  C03C3/097 ,  C04B35/101 ,  C04B35/111 ,  C04B35/626

CPC分类号： C03B17/064 ,  C04B35/1015 ,  C04B35/111 ,  C04B35/62665 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6023 ,  C04B2235/6027 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/782 ,  C04B2235/783 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/788 ,  C04B2235/95 ,  Y02P40/57

摘要： 내화성물체는적어도 10 중량%의 AlO를포함할수 있다. 일실시예에서, 내화성물체는희토류원소, Ta, Nb, Hf, 또는이들의임의의조합의산화물을포함하는도펀트를추가로포함할수 있다. 다른실시예에서, 내화성물체는평균그레인크기가소결중에 500%를초과하여증가하지않도록하는특성, 약 4.0 미만의종횡비, 약 1.0×10μm/(μm×hr) 미만의크리프속도, 또는이들의임의의조합을가질수 있다. 특정실시예에서, 내화성물체는내화성블록또는유리오버플로우형성블록의형태일수 있다. 유리오버플로우형성블록은 Al-Si-Mg 유리시트를형성하는데유용할수 있다. 특정실시예에서, Mg-Al 산화물을포함하는층이 Al-Si-Mg 유리시트의형성시에유리오버플로우형성블록의노출표면을따라초기에형성될수 있다.

公开(公告)号：KR1020150096508A

公开(公告)日：2015-08-24

申请号：KR1020157019288

申请日：2013-12-20

申请人： 제라카브 리미티드

发明人： 픽앤서니노리스 ,  존스하이웰

IPC分类号： C04B35/565 ,  C04B35/626

CPC分类号： C04B35/565 ,  C04B35/6261 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/383 ,  C04B2235/3869 ,  C04B2235/3878 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/5427 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5463 ,  C04B2235/6027 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6586 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/764 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/783 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/96 ,  F41H5/0414

摘要： 고강도, 우수한 내열충격성, 마모에 대한 높은 저항성, 및 가혹한 환경 조건에 대한 화학적 안정성을 나타내는 탄화규소 기반 재료가 기술된다. 상기 카바이드 세라믹은 출발 재료로서 배치 혼합물에 혼입된 1종 이상의 희토류 산화물 소결 조제에 의해 소결이 촉진되는 β-사이알론 결합상을 포함한다. 잔류 희토류 소결 조제가 우수한 기계적 특성 및 내화 특성을 부여하도록 선택된다.

公开(公告)号：KR1020140138249A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：KR1020147027629

申请日：2013-03-01

申请人： 프라운호퍼-게젤샤프트 추르 푀르데룽 데어 안제반텐 포르슝 에 파우

发明人： 요하네스,마르티나 ,  슈나이더,옌스

IPC分类号： C04B35/486 ,  C04B35/488 ,  C04B35/626 ,  C04B35/645

CPC分类号： C04B35/48 ,  A61C5/70 ,  A61C5/77 ,  A61C13/0022 ,  A61L27/10 ,  C04B35/486 ,  C04B35/4885 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/64 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3246 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6027 ,  C04B2235/608 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/782 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9669 ,  Y10T428/268

摘要： 본 발명은 Y
2 O
3 -안정화된 지르코니아를 포함하며 이론학적 소결 밀도의 99% 이상의 소결 밀도를 가지는 소결된 세라믹 성형체에 관한 것으로서, 소결 성형체의 평균 입도 크기가 2 O
3 -안정화된 지르코니아를 포함하는 소결된 세라믹 성형체의 제조 공정에 관한 것으로서, 서브미크론 분말을 분산시키는 단계; 상기 서브미크론 분말을 분쇄하는 단계로서, 여기서 직경이 100 ㎛ 이하인 분쇄 매질을 이용해 상기 분산된 서브미크론 분말을 0.42 ㎛ 미만의 입자 크기 d
95 로 분쇄하는 단계; 분산액을 성형하여, 물체(body)를 형성하는 단계, 및 상기 물체를 소결하여, 소결 성형체를 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따른 소결 성형체는 임플란트, 기술 설비에서의 라이너(liner), 및 열수 노화로 처리될 수 있는 기술적 구성분에 사용될 수 있다.

摘要翻译： 公开了一种陶瓷烧结体，其含有烧结密度为理论烧结密度的至少99％且平均粒径<180nm的Y 2 O 3稳定化氧化锆。 烧结体的氧化锆部分包括四方晶相和立方相。 还公开了一种用于生产含有Y 2 O 3稳定的氧化锆的陶瓷烧结体的方法，该方法包括通过使用直径小于或等于100的研磨介质将亚微米粉末分散并分散分散的亚微米粉末 μm至粒径d95 <0.42μm; 使形成体的分散体成形，以及烧结体以形成烧结体。

公开(公告)号：KR101457504B1

公开(公告)日：2014-11-03

申请号：KR1020127005679

申请日：2010-08-20

申请人： 쟈판 스파 쿼츠 가부시키가이샤

发明人： 스도토시아키 ,  요시오카타쿠마 ,  키시히로시 ,  후지타타케시 ,  칸다미노루 ,  스즈키코이치 ,  키타하라켄

IPC分类号： C30B15/10 ,  C30B29/06 ,  C03B20/00

CPC分类号： C04B41/5022 ,  C03B5/025 ,  C03B19/02 ,  C03B19/09 ,  C03B19/095 ,  C03C17/004 ,  C03C17/02 ,  C03C2217/213 ,  C03C2218/13 ,  C03C2218/17 ,  C04B35/185 ,  C04B41/009 ,  C04B41/86 ,  C04B2235/6027 ,  C30B15/10 ,  C30B29/06 ,  C30B35/002 ,  Y02P40/57 ,  Y10T117/1032 ,  C04B41/4527

摘要： 내열강도가 높고 장시간의 인상에 사용될 수 있으며, 더욱 낮은 코스트로 제조될 수 있는 도가니 및 그 제조 방법을 제공한다.
복합 도가니(10)는, 도가니의 기본재료로서 뮬라이트(3Al
2 O
3 ·2SiO
2 )를 이용하며, 산화알루미늄과 실리카를 주성분으로 하는 뮬라이트 재료로 이루어지는 도가니 본체(11)와, 도가니 본체(11)의 내표면측에 형성되는 투명 실리카 유리층(12)을 구비하고, 투명 실리카 유리층(12)의 두께는 도가니 본체(11)의 두께보다도 얇다. 도가니 본체(11)는 슬립 캐스트법에 의해 형성될 수 있고, 투명 실리카 유리층(12)은 용사법에 의해 형성될 수 있다.

公开(公告)号：KR1020140015431A

公开(公告)日：2014-02-06

申请号：KR1020137026114

申请日：2012-03-09

申请人： 생-고뱅 세라믹스 앤드 플라스틱스, 인코포레이티드

发明人： 칫티,올리비에 ,  캐즈미에룩쟈크,안드레아

IPC分类号： C04B35/101 ,  C04B35/495 ,  C03C3/097 ,  C03B17/06

CPC分类号： C03B17/064 ,  C04B35/1015 ,  C04B35/111 ,  C04B35/62665 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6023 ,  C04B2235/6027 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/782 ,  C04B2235/783 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/788 ,  C04B2235/95 ,  Y02P40/57

摘要： 내화성 물체는 적어도 10 중량%의 Al
2 O
3 를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 내화성 물체는 희토류 원소, Ta, Nb, Hf, 또는 이들의 임의의 조합의 산화물을 포함하는 도펀트를 추가로 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 내화성 물체는 평균 그레인 크기가 소결 중에 500%를 초과하여 증가하지 않도록 하는 특성, 약 4.0 미만의 종횡비, 약 1.0x10
-5 μm/(μm x hr) 미만의 크리프 속도, 또는 이들의 임의의 조합을 가질 수 있다. 특정 실시예에서, 내화성 물체는 내화성 블록 또는 유리 오버플로우 형성 블록의 형태일 수 있다. 유리 오버플로우 형성 블록은 Al-Si-Mg 유리 시트를 형성하는데 유용할 수 있다. 특정 실시예에서, Mg-Al 산화물을 포함하는 층이 Al-Si-Mg 유리 시트의 형성 시에 유리 오버플로우 형성 블록의 노출 표면을 따라 초기에 형성될 수 있다.

公开(公告)号：KR101259713B1

公开(公告)日：2013-05-06

申请号：KR1020117011579

申请日：2010-10-20

申请人： 가부시키가이샤 아루박

发明人： 나가야마,사츠키 ,  사토노소노,카오루 ,  키우라,코우치 ,  히다카,나오토

IPC分类号： C04B35/00 ,  C04B35/453 ,  C04B35/622 ,  C23C14/34

CPC分类号： C04B35/457 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/6262 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5292 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5472 ,  C04B2235/6027 ,  C23C14/3414

摘要： 고품질인소결체를저가로제조할수 있는 ITO 소결체의제조방법및 ITO 스퍼터링타겟의제조방법을제공한다. 본발명의일실시형태와관련되는 ITO 소결체의제조방법은, 산화인듐및 산화주석을주성분으로하는소결편군을용기내에서교반하면서파쇄하는것으로, 제1 평균입자지름을갖는제1 ITO 분말을제작하는공정을포함한다. 상기제1 ITO 분말을매체교반밀 또는제트밀에의해파쇄하는것으로, 상기제1 평균입자지름보다작은제2 평균입자지름을갖는제2 ITO 분말이제작된다. 상기제2 ITO 분말에산화인듐분말및 산화주석분말을혼합하고, 그혼합분말을분쇄하는것으로, 상기제2 평균입자지름보다작은제3 평균입자지름을갖는제3 ITO 분말이제작된다. 상기제3 ITO 분말을포함한슬러리를거푸집에캐스트하는것으로성형체가제작된후, 소결된다.

公开(公告)号：KR101228849B1

公开(公告)日：2013-02-01

申请号：KR1020077000010

申请日：2005-05-25

申请人： 코닌클리케 필립스 엔.브이.

发明人： 뮬러,저드오 ,  뮬러-마흐,레기나비. ,  크램스,마이클알. ,  슈미트,피터제이. ,  베크텔,헬무트 ,  메이어,저그 ,  데그래프,잔 ,  캅,데오아놀드

IPC分类号： H01L33/50

CPC分类号： H01L33/502 ,  C04B35/44 ,  C04B35/547 ,  C04B35/584 ,  C04B35/597 ,  C04B35/6268 ,  C04B35/64 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/6027 ,  C04B2235/662 ,  C09K11/7774 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/50 ,  H01L33/501 ,  H01L33/505 ,  H01L33/508 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/58 ,  H01L33/62 ,  H01L33/641 ,  H01L33/644 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2933/0075 ,  H01L2924/00

摘要： n형 영역과 p형 영역 사이에 배치된 발광층을 포함하는 반도체 발광 디바이스는, 발광층에 의해 방출된 광의 경로 내에 배치된 세라믹층과 결합된다. 세라믹층은 인광체와 같은 파장 변환 재료로 이루어지거나 그를 포함한다. 본 발명의 실시예들에 따른 냉광 세라믹층은 종래의 인광체층보다 온도에 덜 민감하고 더 강건할 수 있다. 또한, 냉광 세라믹은 더 적은 산란을 나타내며, 따라서 종래의 인광체층에 비해 변환 효율을 향상시킬 수 있다.
반도체 발광 디바이스, 냉광 세라믹, 파장 변환 재료, 발광체층

摘要翻译： 包括设置在n型区域和p型区域之间的发光层与设置在由发光层发射的光的路径中的陶瓷层组合的半导体发光器件。 发光器件由底座或主机衬底支撑。 散热结构分别将第一陶瓷层热耦合到底座或主机基板。