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    ＭｎＺｎ계 페라이트 및 그 제조 방법
    11.
    发明公开
    ＭｎＺｎ계 페라이트 및 그 제조 방법 审中-实审
    MnZn基铁氧体及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020170044130A

    公开(公告)日：2017-04-24

    申请号：KR1020177006579

    申请日：2015-08-31

    申请人： 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤

    发明人： 타다,토모유키 ,  미요시,야스하루 ,  코유하라,노리카즈

    IPC分类号： H01F1/34

    CPC分类号： H01F1/34 ,  C01G9/02 ,  C01G45/02 ,  C01G49/06 ,  H01F1/344

    摘要： 저(低)자심손실로, 분위기산소농도의제어에의해서고온환경하에서의자기특성의시간경과변화의억제에있어서자심손실의증가를억제하는것이가능한 MnZn계페라이트와그 제조방법을제공한다. MnZn계페라이트는, FeO환산으로 53.25몰% 이상 54.00몰% 이하, ZnO 환산으로 2.50몰% 이상 8.50몰% 이하, 및 MnO 환산으로잔부로하며, SiO환산으로 0.001질량% 초과 0.02질량% 미만, CaCO환산으로 0.04질량% 초과 0.4질량% 미만, CoO환산으로 0.5질량% 미만, BiO환산으로 0.05질량% 미만, TaO환산으로 0.05질량% 미만, NbO환산으로 0.05질량% 미만, TiO환산으로 0.3질량% 미만, SnO환산으로 0.3질량% 미만을만족하며, 단환산된 TaO와 NbO의총량은 0.05질량% 미만이며, 환산된 TiO와 SnO의총량은 0.3질량% 미만이다.

    摘要翻译： 箱（低）到磁芯损耗，通过大气中的氧含量的控制提供了一种MnZn系铁氧体，它是能够抑制在变化的抑制磁芯损耗的制造方法在高温环境下的磁特性的时间的增加。 锰锌铁氧体是大于0.02％以下摩尔质量53.25％，并在以摩尔％54.00杯的至少一部分，氧化锌在以FeO方面中的，碳酸钙术语的至少2.50％（摩尔）8.50摩尔％以下，和MnO的基础上，一氧化硅超过0.001质量％计 小于0.4％重量小于按重量计的基础大于0.04％，按重量计的CoO计为0.5％，小于0.05质量％至生物而言，小于0.05质量％或的TaO而言，小于0.05质量％至的NbO的基础上，以质量以TiO术语小于0.3％ ，且满足小于按质量计0.3％，SnO 2计，它仅在TAO的NbO的总量计小于0.05质量％，以TiO和SnO的总量计小于0.3％（质量）。

    액상마스크층을 이용한 산화아연 나노구조체의 제조방법
    17.
    发明公开
    액상마스크층을 이용한 산화아연 나노구조체의 제조방법 有权
    使用液体掩蔽层制备氧化锌纳米结构的方法

    公开(公告)号：KR1020160043793A

    公开(公告)日：2016-04-22

    申请号：KR1020140138442

    申请日：2014-10-14

    申请人： 광주과학기술원

    发明人： 고흥조 ,  장훈수 ,  정건영 ,  손보경 ,  송희

    IPC分类号： C01G9/02 ,  B82B3/00

    CPC分类号： H01L21/02645 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C18/04 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/125 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02642 ,  H01L51/0026 ,  H01L51/426 ,  C01G9/02

    摘要： 산화아연나노구조체의제조방법이제공된다. 상세하게는, 액상마스크층을이용한산화아연나노구조체의제조방법에관한것으로, 산화아연씨드층이형성된기판을준비하는단계, 하부액상마스크층, 수열합성용전구용액층, 및상부액상마스크층이순차적으로구비된반응기내에상기기판을배치하는단계, 및상기수열합성용전구용액층에열을가하여수열합성반응을통해상기기판상에패턴화된산화아연나노구조체를형성하는단계를포함할수 있다. 이에, 본발명은상/하부액상마스크층및 수열합성용전구용액층의유동성에의해평면기판또는비평면기판등의기판의표면형태에관계없이, 산화아연나노구조체를고르게형성할수 있다. 또한, 기판의배치상태또는수열합성용전구용액층의높이를조절하여산화아연나노구조체의성장및 패터닝을용이하게제어할수 있다. 아울러, 상부액상마스크층에의해수열합성용전구용액층과외부환경의접촉을효과적으로차단하고상기수열합성용전구용액층의 pH 및부피를안정적으로유지시킬수 있다.

    摘要翻译： 提供一种制造氧化锌纳米结构的方法。 更具体地，本发明涉及使用液体掩模层制造氧化锌纳米结构的方法，包括以下步骤：制备其上形成氧化锌种子层的基底; 将基板设置在具有下液体掩模层的反应器，用于水热合成的前体溶液层和上液体掩模层; 并将热量施加到用于水热合成的前体溶液层，以通过水热合成在衬底上形成图案化的氧化锌纳米结构。 因此，通过上下液体掩模层和用于水热合成的前体溶液层的流动性，可以形成均匀的氧化锌纳米结构，而不管表面形状如平面基板或非平面基板。 也可以通过调整基板的取向或用于水热合成的前体溶液层的高度来容易地控制氧化锌纳米结构的生长和图案化。 此外，可以通过上液体掩模层有效地中断前体溶液层与外部环境之间的接触，并且可以稳定地保持用于水热合成的前体溶液层的pH和体积。

    산화구리-산화아연/환원된 그래핀 옥사이드 복합체의 제조 방법
    19.
    发明授权
    산화구리-산화아연/환원된 그래핀 옥사이드 복합체의 제조 방법 有权
    氧化铜氧化物/还原氧化铜氧化物复合材料的方法

    公开(公告)号：KR101470927B1

    公开(公告)日：2014-12-09

    申请号：KR1020130110094

    申请日：2013-09-13

    申请人： 한국에너지기술연구원

    发明人： 남성찬 ,  송훈섭 ,  윤여일 ,  정순관 ,  박성열 ,  박문규 ,  안욱 ,  정민호 ,  크로셋에릭 ,  첸종웨이

    IPC分类号： C01G3/02 ,  C01B31/02 ,  B01J19/18 ,  B01J19/10

    CPC分类号： C01G3/02 ,  B01J19/10 ,  B01J19/126 ,  B01J19/18 ,  C01B32/23 ,  C01B2204/28 ,  C01G9/02

    摘要： 본 발명은 황화수소 흡착을 위한 산화구리-산화아연/환원된 그래핀 옥사이드 화합물의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 산화구리과 산화아연의 비율을 조정하여 탈황효율을 높인 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은, 흑연을 산과 산화제로 산화 후 박리시킨 그래핀 옥사이드를 준비하는 단계; 상기 그래핀 옥사이드에 에틸렌 글리콜(ethylene glycol)을 혼합 후 초음파 진동을 이용한 1차 분산 단계; 상기 1차 분산 단계를 거친 혼합액을 수산화 나트륨(sodium hydroxide, NaOH) 수용액과 혼합 후, 초음파 진동을 이용한 2차 분산 단계; 상기 2차 분산 단계를 거친 혼합액에 아연 아세테이트(Zinc Acetate, ZnAc) 수용액과 구리 아세테이트(Copper Acetate, CuAc)를 정해진 비율로 첨가하여 자석교반기로 혼합하는 단계; 상기 자석교반기로 혼합하는 단계를 거친 혼합액에 환원제를 첨가한 후 열처리하여 환원하는 단계; 상기 열처리하여 환원하는 단계를 거친 혼합액을 냉각하고 증류수로 세척한 후 냉동 진공건조기에서 건조시키는 단계를 포함하는, 산화구리-산화아연/환원된 그래핀 옥사이드 화합물의 제조 방법을 제공하여, 고온에 따른 산화아연 입자들의 뭉침현상을 방지하고, 황화수소 흡착율이 가장 좋은 산화구리-산화아연의 비율을 조정함으로써, 상기 화합물의 황화수소 흡착율을 극대화시킨다.

    摘要翻译： 本发明涉及一种制备用于吸附硫化氢的氧化铜 - 氧化锌/还原型石墨烯氧化物复合体的制备方法，更具体地说，涉及通过调节氧化铜与氧化锌的比例而提高脱硫效率的制备方法。 本发明提供一种制备氧化铜 - 氧化锌/还原型石墨烯氧化物复合物的方法，所述方法包括以下步骤：制备石墨烯氧化物，其中石墨被酸和氧化剂氧化并被剥落; 将石墨烯氧化物与乙二醇混合，并通过使用超声波振动主要分散所得的混合溶液; 将一次分散步骤的混合溶液与氢氧化钠（NaOH）水溶液混合，并用超声振动二次分散所得混合溶液; 向经过二次分散步骤的混合溶液中以一定比例加入乙酸锌（ZnAc）水溶液和乙酸铜（CuAc），并将所得混合溶液与磁力搅拌器混合; 向混合溶液中加入还原剂，并用磁力搅拌器进行混合，对所得混合溶液进行热处理以进行还原; 并用蒸馏水冷却和洗涤，混合溶液进行热处理和还原步骤，并将所得混合溶液在真空冷冻干燥器中干燥。 根据本发明，防止了由于高温导致的氧化锌颗粒的聚集现象，通过调节氧化锌 - 氧化锌的比例使化合物相对于化合物的吸附速率最大化，其中氢的吸附速率 硫化物最好。

    산화아연 나노막대 어레이의 제조방법, 그것에 의해 제조된 산화아연 나노 막대 어레이 및 그것을 이용한 반도체 소자
    20.
    发明公开
    산화아연 나노막대 어레이의 제조방법, 그것에 의해 제조된 산화아연 나노 막대 어레이 및 그것을 이용한 반도체 소자 审中-实审
    氧化锌纳米棒阵列的制造方法和由其制造的纳米棒阵列和使用其的半导体器件

    公开(公告)号：KR1020140133723A

    公开(公告)日：2014-11-20

    申请号：KR1020130053164

    申请日：2013-05-10

    申请人： 포항공과대학교 산학협력단 ,  서울바이오시스 주식회사 ,  주식회사 글로우원

    发明人： 이종람 ,  김성주 ,  김범준

    IPC分类号： B82B3/00 ,  C01G9/02

    CPC分类号： C01G9/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/16 ,  C30B7/10 ,  C30B29/16 ,  C30B29/605

    摘要： 본 발명은 질화물 반도체의 선택적인 영역에 일정한 패턴으로 성장하는 산화아연 나노막대 어레이 제조방법 및 이에 의해 제조된 산화아연 나노막대 어레이에 관한 것이다. 본 발명에 따른 산화아연 나노막대 어레이 제조방법은 제1면 및 제2면을 갖는 성장기판을 준비하고; 상기 성장기판의 제1면 상에 질화물 반도체층을 성장시키고; 상기 질화물 반도체층 상에 지지기판을 배치하고; 상기 성장기판의 제2면 상에 레이저 조절 패턴을 형성하고; 상기 레이저 차단 패턴을 갖는 성장기판의 제2면으로부터 레이저를 조사하여 상기 성장기판을 상기 질화물 반도체층으로부터 제거하는 것을 포함할 수 있다.

    摘要翻译： 本发明涉及一种在具有恒定图案的氮化物半导体的选择区域中生长的氧化锌纳米棒阵列的制造方法以及由此制造的氧化锌纳米棒阵列。 根据本发明的氧化锌纳米棒阵列的制造方法包括：制备具有第一和第二表面的生长衬底; 在生长衬底的第一表面上生长氮化物半导体层; 在氮化物半导体层上布置支撑衬底; 在生长衬底的第二表面上形成激光控制图案; 以及通过从具有激光阻挡图案的生长衬底的第二表面照射激光来从氮化物半导体层去除生长衬底。