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公开(公告)号:KR101907940B1
公开(公告)日:2018-10-16
申请号:KR1020137026523
申请日:2012-06-08
申请人: 사까이가가꾸고오교가부시끼가이샤
IPC分类号: C01B15/047 , A61K8/27 , A61Q17/04 , C01G9/02 , C09C1/04
CPC分类号: C01B15/047 , A61K8/0241 , A61K8/27 , A61K2800/412 , A61Q17/04 , A61Q19/00 , B82Y30/00 , C01G9/00 , C01G9/02 , C01P2002/72 , C01P2004/32 , C01P2004/51 , C01P2004/54 , C01P2004/64 , C01P2006/12 , C01P2006/60 , C09C1/04 , C09C1/043 , C09K5/14 , Y10T428/2982
摘要: [과제] 평균입자경이 0.04㎛이상이며, 어스펙트비가작고, 구상형상에가깝다는점에서우수한성능을갖는입자경이큰 둥근형상과산화아연입자, 그것을소성해서얻어지는어스펙트비가작고, 입도분포가샤프한둥근형상산화아연입자, 그들의제조방법, 및그러한둥근형상산화아연입자를배합한화장료, 방열성필러를제공한다. [해결수단] 평균입자경이 0.04㎛이상, 어스펙트비가 2.0 이하인둥근형상과산화아연입자및 당해둥근형상과산화아연입자를열분해함에의해얻어진평균입자경이 0.04㎛이상, 어스펙트비가 2.0 이하인둥근형상산화아연입자.
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公开(公告)号:KR101877319B1
公开(公告)日:2018-07-11
申请号:KR1020170066154
申请日:2017-05-29
申请人: 충남대학교산학협력단
IPC分类号: C01G9/02
CPC分类号: C01G9/02 , C01P2004/16
摘要: 산화아연나노와이어의제조장치및 방법이개시되어있다. 본발명은, 실리콘기판상부에탄소촉매층을형성하는단계; 및상기탄소촉매층에산화아연증기를열화학기상증착방법을통해서증착시켜서다수의산화아연나노와이어를상기실리콘기판에대해수직방향으로성장시키는단계:를포함하는것을특징으로한다.
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公开(公告)号:KR101860383B1
公开(公告)日:2018-05-23
申请号:KR1020137022021
申请日:2011-03-23
申请人: 엠. 테크닉 가부시키가이샤
IPC分类号: C04B35/626 , B01F5/06 , C01G9/02 , C01G23/04
CPC分类号: C01B33/113 , B01F7/00775 , B01F7/00791 , B01J14/00 , B01J19/1887 , C01B9/00 , C01B13/14 , C01B13/16 , C01B13/36 , C01B19/00 , C01B21/00 , C01B32/00 , C01B33/00 , C01B33/193 , C01B35/00 , C01G9/02 , C01G23/003 , C01P2002/72 , C01P2004/04 , C04B35/62625 , C04B2235/3284 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/76
摘要: 보다적절한세라믹스미립자의제조방법을제공한다. 적어도 2종류의피처리유동체를사용하고, 그중에서적어도 1종류의피처리유동체는세라믹스원료를염기성용매에혼합및/또는용해한세라믹스원료액을포함하는유체이며, 세라믹스원료액이외의유체중 적어도 1종류의피처리유동체는세라믹스미립자석출용용매를포함하는유체이며, 대향해서배치되고, 접근·이반가능하고, 적어도한쪽이다른쪽에대하여회전하는적어도 2개의처리용면(1, 2) 사이에형성된박막유체중에서세라믹스원료액을포함하는유체와세라믹스미립자석출용용매를포함하는유체를혼합시켜서세라믹스미립자를석출시킨다. 그직후에석출시킨세라믹스미립자의석출물을포함하는유체와산성물질을포함하는유체를혼합함으로써결정성을향상시킨세라믹스미립자를얻는다.
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公开(公告)号:KR20180044276A
公开(公告)日:2018-05-02
申请号:KR20187004826
申请日:2016-08-25
摘要: 본발명의산화아연분체는, 1차입자의단경이 35nm 이상이고또한 350nm 이하, 및 1차입자의헤이우드직경이 35nm 이상이고또한 400nm 이하인산화아연입자를함유하며, 상기 1차입자의헤이우드직경의개수분포에있어서의변동계수가 50% 이하이다.
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公开(公告)号:KR101832069B1
公开(公告)日:2018-02-23
申请号:KR1020160145822
申请日:2016-11-03
申请人: 한국과학기술연구원
CPC分类号: C01G9/02 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01P2004/64 , C01P2006/42 , H05H2245/124
摘要: 본발명은수중플라즈마방전방법을이용하여자성을갖는나노구조체아연화합물을제조하는방법에관한것으로, 보다상세하게는아연이온을함유한전해액이충진된소정크기의반응조내에양극과음극으로이루어진전극을설치하는단계및 상기양극에전원을인가한후 플라즈마를발생시키는단계를포함하되, 상기양극은텅스텐이고, 상기음극은백금인것을특징으로하는수중플라즈마방전을이용한자성을갖는나노구조체아연화합물의제조방법에관한것이다.
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公开(公告)号:KR101825696B1
公开(公告)日:2018-02-05
申请号:KR1020160083680
申请日:2016-07-01
申请人: 주식회사 모다이노칩
IPC分类号: H01G4/40 , H01G4/232 , H01G2/14 , H01G4/30 , C01G51/00 , C01G9/02 , C01G45/02 , C01G29/00 , H01F17/00
CPC分类号: C01G9/02 , C01G29/00 , C01G45/02 , C01G51/00 , H01F17/00 , H01G2/14 , H01G4/232 , H01G4/30 , H01G4/40
摘要: 본발명은적층체와, 적층체의적어도일 영역에형성된표면개질부재를포함하고, 표면개질부재는적층체표면의적어도일부를노출시키도록형성된칩 부품및 그제조방법을제시한다.
摘要翻译: 本发明提供了一种芯片部件及其制造方法,该芯片部件包括层压体和在该层压体的至少一个区域上形成的表面改性部件,其中该表面改性部件暴露该层压体的至少一部分表面 层压板。
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公开(公告)号:KR101782851B1
公开(公告)日:2017-10-23
申请号:KR1020127000404
申请日:2010-06-04
发明人: 칸,미르띨 , 고프르-귀라르델,파비엔느 , 루비오-가르시아,야비에 , 맹고또,크리스토프 , 쇼드레,브뤼노
CPC分类号: C01G1/02 , B82Y30/00 , C01G9/02 , C01G11/00 , C01G15/00 , C01G17/02 , C01G19/02 , C01G23/04 , C01G25/02 , C01G27/02 , C01G29/00 , C01G49/02 , C01G51/04 , C01P2002/84 , C01P2004/04 , C01P2004/32 , C01P2004/39 , C01P2004/64 , C01P2006/60 , C08K3/22 , C08K13/02 , C08K13/04 , C08L71/02 , Y10T428/2982
摘要: 본발명은하나이상의헤테로원자를함유하는배위기에의해관능화되는하나이상의말단및 하나이상의 [-OCHCH]기를포함하는하나이상의 PEG 리간드의존재하에서비양성자성용매에서하나이상의유기금속전구체로부터금속산화물나노결정의조성물을비양성자성용매매질및 물에가용성이있도록제조하는방법에관한것이다. 또한, 본발명은상기방법에의해얻어지는금속산화물나노결정의수혼화성및 유기혼화성조성물에관한것이다.
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公开(公告)号:KR101768924B1
公开(公告)日:2017-08-17
申请号:KR1020127024464
申请日:2011-04-11
申请人: 사까이가가꾸고오교가부시끼가이샤
IPC分类号: C01G9/00 , C01G51/00 , C09D7/12 , C09D201/00
CPC分类号: C09C1/04 , C01G9/00 , C01G9/02 , C01P2002/50 , C01P2002/52 , C01P2002/54 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/34 , C01P2006/10 , C01P2006/11 , C01P2006/40 , C08J5/18 , C08K3/22 , C08L91/00 , C09C1/043 , C09D7/61 , C09D11/037 , C10M103/06 , C10M2201/0626 , C10N2210/01 , C10N2210/02 , C10N2220/082 , C10N2230/60 , C10N2240/20 , C10N2240/201 , C10N2240/202 , C10N2250/10 , C10N2250/12 , H01L31/048 , Y02E10/50
摘要: 본발명은, 하기화학식(1)으로표시되는복합산화아연으로이루어지는것을특징으로하는필러입자, 및당해필러입자를함유하는수지조성물, 그리스, 도료조성물에관한것이다. ZnMO(1) (식중, M은, Mg, Co, Li, K, Na 또는 Cu이며, M의가수를 n이라고하면, x+ny/2=1이다). 그리고, 본발명에의하면, 안정한절연성을갖는필러입자, 및그것을갖는수지조성물, 그리스, 도료조성물을얻을수 있다.
摘要翻译: 本发明涉及一种填充剂颗粒,其特征在于,含有由下述化学式(1)表示的复合氧化物锌,以及含有该填充剂颗粒的树脂组合物,润滑脂和涂料组合物。 ZnMO(1)其中M是Mg,Co,Li,K,Na或Cu,并且当M的尾数是n时,x + ny / 2 = 1。 根据本发明,可以获得具有稳定的绝缘性能的填料颗粒,以及含有它们的树脂组合物,润滑脂和涂料组合物。
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公开(公告)号:KR1020170074966A
公开(公告)日:2017-06-30
申请号:KR1020177014075
申请日:2015-10-01
申请人: 토소 화인켐 가부시키가이샤
CPC分类号: C01G9/02 , C01P2002/72 , C01P2002/86 , C01P2004/03 , C01P2006/60 , C07F3/02 , C07F3/06 , C07F5/06
摘要: 본발명은, 하기일반식 (1)로표시되는유기아연화합물의부분가수분해물및 제2족원소를유기용매에용해시킨용액인, 제2족원소를함유하는산화아연박막제조용조성물에관한것이다. 이용액은제13족원소를더 포함할수 있다. R-Zn-R(1) (식중, R은탄소수 1 내지 7의직쇄또는분기된알킬기이다) 본발명은, 제2족원소를함유하는산화아연박막의형성을하나의용액에서의도포성막으로가능하게하는, 제2족원소를함유하는산화아연박막제조용조성물및 그의제조방법이다.
摘要翻译: 本发明涉及一种用于生产包含第二组元素的溶液以溶解部分水解产物和在由该组合物所代表的有机溶剂中的有机锌化合物中的第二组的元素的氧化锌薄膜的通式(1)。 使用量还可以包括13族元素。 R-的Zn-R(1)(式中,R euntan是一个小数目,从1到7的直链或支链的烷基)本发明中,第二组可以使一氧化锌薄膜的含有eseoui涂膜形成的溶液中的元素形成 ,用于制备含有第2族元素的氧化锌薄膜的组合物及其制备方法。
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公开(公告)号:KR101729951B1
公开(公告)日:2017-04-25
申请号:KR1020127020412
申请日:2011-01-05
申请人: 린텍 가부시키가이샤
IPC分类号: H01L21/3065
CPC分类号: H01L31/02366 , C01G3/02 , C01G5/00 , C01G9/02 , C01G11/00 , C01G13/02 , C01G15/00 , C01G19/02 , C01G21/02 , C01G31/02 , C01G45/02 , C01G53/04 , C01P2002/85 , C01P2004/03 , C01P2006/40 , H01L51/0037 , H01L51/0096 , H01L51/441 , H01L51/447 , Y02E10/549
摘要: 소정의표면요철을갖는기재가, 안정적또한정밀도좋게얻어지는플라스마에칭처리를사용한표면요철형성방법, 및그러한형성방법에의해얻어지는전극부재를제공한다. 플라스마에칭처리를행할때에, 미세한표면요철을가짐과함께, 부분산화한금속염막을레지스트로서사용하여, 기재상에, 소정의표면요철패턴을형성하는표면요철형성방법등으로서, 기재에대하여, 금속염함유액상물을도포하여, 금속염막을형성하는제1 공정과, 금속염막에, 미세한표면요철을형성함과함께, 부분산화하여, 레지스트로하는제2 공정과, 레지스트와함께, 기재를플라스마에칭처리하여, 기재상에, 소정의표면요철을형성하는제3 공정을포함한다.
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