公开(公告)号：KR1020110139715A

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：KR1020117023332

申请日：2010-02-26

申请人： 코리아번들테크 주식회사

发明人： 초이,브로냐 ,  보디쉬브스키,주리디미트리에비치

IPC分类号： H01L31/06 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/076

CPC分类号： H01L31/06 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0725 ,  Y02E10/544 ,  H01L31/076

摘要： 본 발명은 반도체 전자기 방사 변환기들에 관한 것이다. 본 발명의 제1 양상에 따르면, 전자기 방사 변환기의 광-변환부가 청구되고, 상기 광-변환부는 점점 깊어지는 동종접합들의 시퀀스를 사이에 형성하는 반도체 층들의 시퀀스를 포함하며, 상기 시퀀스는 하나를 초과하는 상이한 타입의 접합을 포함한다. 본 발명의 제2 양상에 따르면, 전자기 방사 변환기의 광-변환부가 청구되고, 상기 광-변환부는 점점 깊어지는 동종접합들의 시퀀스를 사이에 형성하는 반도체 층들의 시퀀스를 포함하며, 상기 시퀀스는 하나를 초과하는 상이한 타입의 접합을 포함하며, 단일 타입의 전도성을 갖는 전술한 층들 중 적어도 일부는 병렬로 정류된다. 전자기 방사 변환기가 또한 개시되며, 상기 변환기는 적어도 M≥1개의 광-변환부들 및 전류-수집 전극들을 포함하며, 상기 변환기에서 상기 M개의 광-변환부들 중 적어도 하나는 점점 깊어지는 동종접합들의 시퀀스를 사이에 형성하는 정류된 반도체 층들의 시퀀스를 포함하며, 상기 시퀀스는 하나를 초과하는 상이한-타입의 접합을 포함한다. 결과로서 해결되는 문제점은 광범위한 파장들 및 강도들(적외선 방사에서 자외선 방사까지) 내에서 매우 효율적인 변환을 가지는 매우 효율적인 광대역 전자기 방사 변환기들의 생성이다.

摘要翻译： 本发明涉及电磁辐射半导体转换器。 根据第一方面，提出了一种电磁辐射转换器的光转换部件，包括一系列半导体层，彼此形成一系列具有增加深度的均匀结的序列，所述序列包括多于一个不同类型的结。 根据第二方面，提出了一种电磁辐射转换器的光转换部件，包括一系列半导体层，彼此形成一系列具有增加深度的均匀结的序列，所述序列包括多于一个不同类型的具有在 相同导电类型的至少一些所述层平行切换。 还公开了一种电磁辐射转换器，其包括至少M≥1个光转换部件和集电电极，其中至少一个af M光转换部件包括彼此形成一系列均匀结的切换半导体层序列 所述序列包括多于一个不同类型的结。 结果，解决了在宽范围的EMR波和从IR到UV的强度下提供具有高转换效率的高效宽带电磁辐射转换器的问题。

公开(公告)号：KR101089485B1

公开(公告)日：2011-12-02

申请号：KR1020100136794

申请日：2010-12-28

申请人： 현대중공업 주식회사

发明人： 이형내

IPC分类号： H01L31/04 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/06

CPC分类号： Y02E10/50 ,  H01L31/04 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

摘要： PURPOSE: A solar battery and a manufacturing method thereof are provided to arrange a reflection barrier film structure by successively laminating a plurality of different thin films, thereby minimizing a surface reflection rate. CONSTITUTION: A first conductive type crystalline silicon substrate(201) is prepared. A second conductive type semiconductor layer(203) is arranged on the upper part of the substrate. A first antireflection film(204) and second antireflection film(205) with different reflective indices are successively laminated on the semiconductor layer. The first antireflection film is comprised of a silicon nitride layer. The second antireflection film is comprised of a hydrogenated amorphous carbon layer.

摘要翻译： 目的：提供一种太阳能电池及其制造方法，通过连续层叠多个不同的薄膜来配置反射阻挡膜结构，从而使表面反射率最小化。 构成：制备第一导电型晶体硅衬底（201）。 第二导电型半导体层（203）布置在衬底的上部。 在半导体层上依次层叠具有不同反射率的第一抗反射膜（204）和第二抗反射膜（205）。 第一抗反射膜由氮化硅层构成。 第二抗反射膜由氢化无定形碳层组成。

公开(公告)号：KR1020110109862A

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：KR1020110023292

申请日：2011-03-16

申请人： 소니 주식회사

发明人： 야마카와신야

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/06

CPC分类号： H01L27/14643 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14689 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/06

摘要： 고체촬상소자는, 각 화소에 마련된 광전변환 영역과; 각 화소의 상기 광전변환 영역에 대해 마련된 트랜지스터와; 상기 광전변환 영역과 상기 트랜지스터를 분리하는, 제 1 도전형의 분리 영역과; 상기 광전변환 영역과, 상기 트랜지스터와, 상기 제 1 도전형의 분리 영역이 내부에 형성된, 제 1 도전형의 웰 영역과; 상기 제 1 도전형의 분리 영역상에 형성되고, 상기 제 1 도전형의 웰 영역을 일정 전위에 고정하는 전위를 공급하는 콘택트부와; 상기 콘택트부와 상기 광전변환 영역 사이의 상기 제 1 도전형의 분리 영역 내에, 상기 제 1 도전형의 분리 영역의 표면부터 깊이 방향으로 늘어나 형성되고, 상기 제 1 도전형의 분리 영역과 비교하여 충분히 높은 불순물 농도를 갖는, 제 1 도전형의 불순물 영역을 포함한다.

摘要翻译： 本文公开了一种固态摄像元件，包括：光电转换区域; 晶体管 第一导电类型的隔离区域，被配置为将光电转换区域和晶体管彼此隔离; 具有形成在其中的第一导电类型的光电转换区域，晶体管和隔离区域的第一导电类型的阱区域; 接触部分，被配置为提供用于将所述阱区域固定到给定电位的电位; 以及第一导电类型的杂质区域，形成为在接触部分和光电转换区域之间的第一导电类型的隔离区域中从第一导电类型的隔离区域的表面沿深度方向延伸，以及 具有比第一导电类型的隔离区的杂质浓度足够高的杂质浓度。

公开(公告)号：KR101066436B1

公开(公告)日：2011-09-23

申请号：KR1020100111360

申请日：2010-11-10

申请人： 한국과학기술원

发明人： 최양규 ,  문동일 ,  한진우

IPC分类号： H01L31/101

CPC分类号： H01L31/08 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

摘要： 본 발명의 광소자 제조 방법은 기판상에 매립 절연산화막을 형성하는 단계; 상기 매립 절연 산화막 상에 단결정 반도체층을 형성한 후 제1 타입의 반도체 형성을 위한 이온주입을 실시하는 단계; 상기 단결정 반도체층을 식각하여 활성 반도체층을 형성하는 단계; 상기 활성 반도체층에서 상기 제1 타입의 반도체로 남겨둘 부위에 감광막을 형성한 상태에서 제2 타입의 반도체 형성을 위한 이온주입을 실시하는 단계; 상기 감광막을 제거한 후 상기 활성 반도체층에 제2 타입-제1 타입-제2 타입의 반도체 접합구조를 완성하는 단계; 및 상기 활성 반도체층으로 입사되는 빛을 투과시키고 이외의 영역에 입사되는 빛을 차단하는 금속층을 형성하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020110027938A

公开(公告)日：2011-03-17

申请号：KR1020090085769

申请日：2009-09-11

申请人： 태창엔이티 주식회사

发明人： 지인호

IPC分类号： H01L31/04

CPC分类号： H01L31/0547 ,  Y02E10/52 ,  H01L31/047 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/06

摘要： PURPOSE: A resonant solar cell is provided to resonate light particles of a near-infrared ray area through a resonance hole to convert the light particles into electrical energy, thereby increasing efficiency of a solar cell. CONSTITUTION: An N channel layer(11) and a P channel layer(12) are made of a photoelectric semiconductor layer. A plurality of resonant holes(100) resonates a wavelength of light on a surface of the N channel layer. A resonant hole is resonated at 900~1300nm which is a central wavelength of a near-infrared ray area. The height of a sidewall(102) of the resonant hole is twice longer than the diameter of the resonant hole. A light incident part(110) is formed in an inlet of the resonant hole.

摘要翻译： 目的：提供一种谐振太阳能电池，用于通过谐振孔谐振近红外线区域的光粒子，将光粒子转换为电能，从而提高太阳能电池的效率。 构成：N沟道层（11）和P沟道层（12）由光电半导体层制成。 多个谐振孔（100）谐振N沟道层表面上的波长。 谐振孔谐振在900〜1300nm，是近红外线区域的中心波长。 谐振孔的侧壁（102）的高度比谐振孔的直径长两倍。 光入射部分（110）形成在谐振孔的入口中。

公开(公告)号：KR1020100039371A

公开(公告)日：2010-04-15

申请号：KR1020107002161

申请日：2008-07-02

申请人： 솔라스타, 인코포레이티드

发明人： 켐파,크르지츠토프 ,  노튼,마이클

IPC分类号： H01L31/04 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01L31/06 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50

摘要： A photovoltaic device includes a plurality of photovoltaic cells. Each photovoltaic cell of the plurality of photovoltaic cells includes a first electrode, a second electrode which is shared with at least one adjacent photovoltaic cell, and a photovoltaic material located between and in electrical contact with the first and the second electrodes. A thickness of the second electrode in a direction from one photovoltaic cell to an adjacent photovoltaic cell is less than an optical skin depth of the second electrode material, and a separation between first electrodes of adjacent photovoltaic cells is less than a peak wavelength of incident radiation.

摘要翻译： 光伏器件包括多个光伏电池。 多个光伏电池的每个光伏电池包括第一电极，与至少一个相邻的光伏电池共用的第二电极和位于第一和第二电极之间并与之电接触的光伏材料。 在从一个光伏电池到相邻的光伏电池的方向上的第二电极的厚度小于第二电极材料的光学趋肤深度，并且相邻的光伏电池的第一电极之间的间隔小于入射辐射的峰值波长 。

公开(公告)号：KR1020100016990A

公开(公告)日：2010-02-16

申请号：KR1020080076669

申请日：2008-08-05

申请人： 삼성디스플레이 주식회사 ,  삼성에스디아이 주식회사

发明人： 배주한

IPC分类号： H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/0475 ,  Y02E10/50 ,  H01L31/18 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/308 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/06

摘要： PURPOSE: A solar cell and a method of manufacturing the same are provided to facilitate patterning of a semiconductor pattern of a solar battery, and a bottom electrode and an upper electrode by implementing the etching process using a mask pattern formed by the etch back as an etching mask. CONSTITUTION: A substrate(100) is prepared to have a cell separation domain(SA) between two cell region(C1, C2) which are adjacent to a plurality of cell regions. A first conductive layer and a semiconductor layer are formed on the substrate. A first mask pattern formed with one or more first opening corresponding to the cell separation domain is formed on an upper part of the semiconductor layer. A first bottom electrode(120a) and a second bottom electrode(120b) are formed respectively on the cell region by eliminating the first conductive layer on the cell separation domain. A semiconductor pattern(160) is prepared on the first bottom electrode and the second bottom electrode. First through third upper electrodes(201, 205, 208) are included on the semiconductor pattern.

摘要翻译： 目的：提供一种太阳能电池及其制造方法，以通过使用由蚀刻形成的掩模图案实现蚀刻工艺来促进太阳能电池以及底部电极和上部电极的图案化，作为 蚀刻掩模 构成：准备基板（100）在与多个单元区域相邻的两个单元区域（C1，C2）之间具有单元分离区域（SA）。 在基板上形成第一导电层和半导体层。 在半导体层的上部形成有与细胞分离区域对应的一个或多个第一开口形成的第一掩模图案。 通过消除细胞分离区域上的第一导电层，分别在单元区域上形成第一底部电极（120a）和第二底部电极（120b）。 在第一底部电极和第二底部电极上制备半导体图案（160）。 第一至第三上电极（201,205,208）包括在半导体图案上。

公开(公告)号：KR1020100010381A

公开(公告)日：2010-02-01

申请号：KR1020080071326

申请日：2008-07-22

申请人： 포테그라랩스 주식회사

发明人： 정효수 ,  컬킨조셉브래들리 ,  켈러크리스토퍼워렌

IPC分类号： H01L31/06

CPC分类号： Y02E10/50 ,  H01L31/06

摘要： PURPOSE: A solar cell is provided to reduce manufacturing costs and miniature by allowing at least one layer to contain alkali - antimonide series compound. CONSTITUTION: An n-type semiconductor layer(120) is formed on a p-type semiconductor layer(110). A first electrode(130) is electrically connected to the p-type semiconductor layer. A second electrode(140) is electrically connected to the n-type semiconductor layer. The p-type semiconductor layer and n-type semiconductor layer has at least one containing alkali-antimonide series compound. A first electrode pad(150) is electrically connected to the first electrode. The second electrode pad(160) is electrically connected to the second electrode.

摘要翻译： 目的：提供太阳能电池，通过允许至少一层含有锑化锑系列化合物，降低制造成本和微型化。 构成：在p型半导体层（110）上形成n型半导体层（120）。 第一电极（130）电连接到p型半导体层。 第二电极（140）电连接到n型半导体层。 p型半导体层和n型半导体层具有含有碱金属锑化物系化合物的至少一种。 第一电极焊盘（150）电连接到第一电极。 第二电极焊盘（160）电连接到第二电极。

公开(公告)号：KR1020090120474A

公开(公告)日：2009-11-24

申请号：KR1020097018435

申请日：2008-02-11

申请人： 솔라스타, 인코포레이티드

发明人： 켐파,크르지츠토프 ,  노튼,마이클

IPC分类号： H01L31/04 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01L31/03529 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/06 ,  H01L51/0049 ,  H01L51/42 ,  H01L51/426 ,  Y02E10/549

摘要： A photovoltaic cell includes a first electrode, a first nanoparticle layer located in contact with the first electrode, a second electrode, a second nanoparticle layer located in contact with the second electrode, and a thin film photovoltaic material located between and in contact with the first and the second nanoparticle layers.

摘要翻译： 光伏电池包括第一电极，与第一电极接触的第一纳米颗粒层，第二电极，与第二电极接触的第二纳米颗粒层，以及位于第一电极之间并与第一电极接触的薄膜光伏材料 和第二纳米颗粒层。

公开(公告)号：KR1020090118333A

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：KR1020080044062

申请日：2008-05-13

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 김윤기 ,  이두열

IPC分类号： H01L31/06 ,  H01L31/04

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/06 ,  H01L31/04

摘要： PURPOSE: A solar cell and a forming method thereof are provided to minimize a moving distance of electron by forming a p-type electrode and an n-type electrode on a front surface. CONSTITUTION: A solar cell includes a first conductive type semiconductor substrate(110), a second conductive type semiconductor layer, and a pn junction. The second conductive type semiconductor layer(120) is positioned on the first conductive type semiconductor substrate. The pn junction is positioned in an interface between the first conductive type semiconductor substrate and the second conductive type semiconductor layer. A depth of the pn junction is less than 1000Å. The semiconductor substrate is made of single crystal silicon. The semiconductor layer is made of amorphous silicon.

摘要翻译： 目的：提供太阳能电池及其形成方法，以通过在前表面上形成p型电极和n型电极来最小化电子的移动距离。 构成：太阳能电池包括第一导电类型半导体衬底（110），第二导电类型半导体层和pn结。 第二导电型半导体层（120）位于第一导电型半导体基板上。 pn结位于第一导电类型半导体衬底和第二导电类型半导体层之间的界面中。 pn结的深度小于1000。 半导体衬底由单晶硅制成。 半导体层由非晶硅制成。