公开(公告)号：KR101912677B1

公开(公告)日：2018-10-29

申请号：KR1020157006004

申请日：2013-08-05

申请人： 닛산 가가쿠 가부시키가이샤

发明人： 니시마키,히로카즈 ,  하시모토,케이스케 ,  신조,테츠야 ,  엔도,타카후미 ,  사카모토,리키마루

IPC分类号： G03F7/11 ,  C08G8/04 ,  C09D161/12

CPC分类号： G03F7/11 ,  C08G8/04 ,  C09D161/12 ,  G03F7/094 ,  G03F7/16 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/32139

摘要： [과제] 신규의레지스트하층막형성조성물을제공한다. [해결수단] 하기식(1a), 식(1b) 및식(1c): [식중, 2개의 R은각각독립적으로알킬기, 알케닐기, 방향족탄화수소기, 할로겐원자, 니트로기또는아미노기를나타내고, 2개의 R는각각독립적으로수소원자, 알킬기, 알케닐기, 아세탈기, 아실기또는글리시딜기를나타내고, R은치환기를가질수도있는방향족탄화수소기를나타내고, R는수소원자, 페닐기또는나프틸기를나타내고, 식(1b)에있어서 2개의 R이나타낸기 및 2개의 R가나타낸원자또는기는서로상이할수도있고, 2개의 k는각각독립적으로 0 또는 1을나타내고, m은 3 내지 500의정수를나타내고, n, n및 n는 2 내지 500의정수를나타내고, p는 3 내지 500의정수를나타내고, X는단결합또는헤테로원자를나타내고, 2개의 Q는각각독립적으로구조단위를나타낸다.]로표시되는반복구조단위중 어느하나또는 2개이상을갖는폴리머및 용제를포함하는레지스트하층막형성조성물.

公开(公告)号：KR101903853B1

公开(公告)日：2018-10-02

申请号：KR1020160137832

申请日：2016-10-21

申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

发明人： 웽밍-후에이 ,  로콴-신 ,  린웨이-리앙 ,  훙치-쳉

IPC分类号： H01L21/308 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/033

CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31144

摘要： 방법은, 기판을제공하는단계; 기판위에맨드릴패턴을형성하는단계; 및맨드릴패턴의측벽상에스페이서를형성하는단계를포함한다. 방법은, 맨드릴패턴을제거하여, 스페이서에의해적어도부분적으로둘러싸이는트렌치를형성하는단계를더 포함한다. 방법은, 유도자기조립하는(directed self-assembling) 공중합체재료를트렌치내에성막하는단계; 및공중합체재료내에미세상 분리를유도하여, 제2 구성중합체에의해둘러싸이는제1 구성중합체를형성하는단계를더 포함한다. 맨드릴패턴은제한된크기와제한된구성을가진다. 제1 구성중합체는직사각형어레이또는정사각형어레이로배열된원통이다.

公开(公告)号：KR101900153B1

公开(公告)日：2018-09-18

申请号：KR1020160128200

申请日：2016-10-05

申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

发明人： 린후웨이 ,  쉬치시엔 ,  우위헌 ,  천하이인 ,  왕잉하오 ,  치우위웨이

IPC分类号： G03F7/20 ,  H01L23/544 ,  H01L21/027

CPC分类号： H01L23/544 ,  G03F7/70141 ,  G03F7/70541 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/67282 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54433

摘要： 몇몇의실시예들에서, 본발명개시는리소그래피기판마킹툴에관한것이다. 리소그래피기판마킹툴은공유된하우징내에배열되고복수의노광들동안에제1 유형의전자기방사선을생성하도록구성된제1 리소그래피노광툴을갖는다. 이동식레티클은반도체기판위에있는감광성물질내에기판식별마크를노광하도록제1 유형의전자기방사선의일부를차단하도록각각구성된복수의상이한레티클필드들을갖는다. 복수의레티클필드들의개별적인레티클필드들이복수의노광들의개별적인노광들동안에감광성물질상에노광되도록횡단엘리먼트가이동식레티클을이동시키도록구성된다. 이에따라, 이동식레티클은동일한레티클을이용하여감광성물질내에기판식별마크들의상이한문자열들이형성되도록함으로써, 리소그래피기판마킹의경제적장점들을제공한다.

公开(公告)号：KR101899266B1

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：KR1020177001194

申请日：2015-07-09

申请人： 우시오덴키 가부시키가이샤

发明人： 오와다다츠시 ,  스즈키신지

IPC分类号： H01J61/90 ,  B01J19/12 ,  H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  G03F7/16

CPC分类号： G03F7/2004 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/165 ,  G03F7/168 ,  G03F7/70016 ,  G03F7/70041 ,  G03F7/7015 ,  G03F7/7035 ,  G03F7/70466 ,  G03F7/70933 ,  H01J61/16 ,  H01J61/368 ,  H01J61/545 ,  H01J61/86 ,  H01J61/90 ,  H01L21/0274 ,  H01S3/225 ,  H01S3/2253 ,  H01S3/2255 ,  H05B41/34

摘要： 산소를포함하는분위기중에진공자외광(VUV광)을조사했을때의오존발생량을억제가능하게한다. 광조사장치(100)는, 산소를포함하는분위기중에있어서, 소정의패턴이형성된마스크(M)를통해 VUV광을포함하는광을워크(W) 상에형성된자기조직화단분자막(SAM막)에조사함으로써, 상기 SAM막을패터닝처리한다. SAM막에조사하는 VUV광을포함하는광은펄스광이며, 발광의듀티비는 0.00001 이상 0.01 이하이다.

公开(公告)号：KR101888731B1

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：KR1020150151625

申请日：2015-10-30

申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

发明人： 하타케야마준 ,  가타야마가즈히로 ,  하세가와고지 ,  후나츠겐지

IPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/11 ,  G03F7/038

CPC分类号： G03F7/405 ,  C08F22/22 ,  C08F26/02 ,  C08F220/26 ,  C08F220/30 ,  C08F220/34 ,  C08F220/36 ,  C08F226/02 ,  C08F226/06 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/11 ,  G03F7/325 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0274

摘要： [해결수단] 카르복실기가산 불안정기로치환된반복단위를갖는고분자화합물과, 산발생제와, 유기용제를포함하는레지스트조성물을기판상에도포하여레지스트막을형성하고, 가열처리후에고에너지선으로상기레지스트막을노광하고, 가열처리후에유기용제의현상액을이용하여네가티브패턴을형성하고, 이네가티브패턴위로부터산 불안정기에의해서히드록시기및/또는카르복실기가치환된반복단위를갖는고분자화합물과탄소수 7~16의에스테르계용제및/또는탄소수 8~16의케톤계용제를함유하는수축제(shrink agent) 용액을도포하고, 베이크후 여분의수축제를유기용제현상액으로제거하여, 패턴의스페이스부분의치수를축소시키는패턴형성방법. [효과] 본발명에따르면, 레지스트패턴의스페이스부분의치수를치수제어가좋게축소시킬수 있다.

公开(公告)号：KR101885957B1

公开(公告)日：2018-08-06

申请号：KR1020160064811

申请日：2016-05-26

申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

发明人： 후지와라다카유키 ,  오하시마사키

IPC分类号： C07C307/02 ,  C07C311/09 ,  G03F7/20 ,  G03F1/48

CPC分类号： G03F7/0045 ,  C07C309/06 ,  C07C309/12 ,  C07C323/20 ,  C07C381/12 ,  C07C2601/14 ,  C07C2603/68 ,  C07C2603/74 ,  C07D295/26 ,  C07D305/06 ,  C07D307/77 ,  C07D327/06 ,  C07D327/08 ,  C07D333/46 ,  C07D333/76 ,  C07D335/02 ,  C07D335/16 ,  C08F220/18 ,  C08F220/28 ,  C08F220/30 ,  C08F220/38 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/11 ,  G03F7/168 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/2053 ,  G03F7/322 ,  G03F7/325 ,  G03F7/38 ,  H01L21/0274

摘要： [과제] 고에너지선을광원으로한 포토리소그래피에있어서, 고도로산 확산을억제하여, 감도, MEF, 초점심도가우수하고, 또한노광기오염의원인이될 수있는아웃가스가적고, 나아가상용성이우수하여, 디펙트가발현되기어려운화학증폭레지스트조성물에사용되는광산발생제, 및상기광산발생제를포함하는화학증폭레지스트조성물, 및상기레지스트조성물을이용한패턴형성방법을제공한다. [해결수단] 하기식(1)으로표시되는술포늄염.

公开(公告)号：KR101878622B1

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：KR1020177004271

申请日：2015-07-22

申请人： 캐논 가부시끼가이샤

发明人： 이토도시키 ,  혼마다케시 ,  요네자와시오리 ,  오타니도모노리 ,  이와시타가즈미

IPC分类号： C08F2/50 ,  C08F222/10 ,  G03F7/00 ,  G03F7/027 ,  G03F7/029 ,  H01L21/027

CPC分类号： C08F220/18 ,  B05D3/06 ,  B05D3/12 ,  C08F2/48 ,  C08F222/10 ,  C08F222/1006 ,  C08F2222/102 ,  G02B1/04 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/027 ,  G03F7/029 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/4846 ,  H05K3/06 ,  H05K3/064

摘要： 중합성화합물; 및광중합개시제를포함하는광경화성조성물이며, 여기서상기광경화성조성물은상기중합성화합물로서하기일반식 (1)로나타내어지는화합물을함유하는광경화성조성물.여기서, 상기일반식 (1)에서, Ar은치환기를가질수 있는 1가의방향족기를나타내고, R은치환기를가질수 있는알킬기또는수소원자를나타내고, R는치환기를가질수 있는 (m+n)가의알킬기를나타내고, m은 2 이상의정수이고, n은 1 이상의정수이다.

公开(公告)号：KR101873727B1

公开(公告)日：2018-07-04

申请号：KR1020157027284

申请日：2014-03-14

申请人： 에이제트 일렉트로닉 머티어리얼스 (룩셈부르크) 에스.에이.알.엘.

发明人： 나가하라다쓰로 ,  세키토다카시 ,  야마모토가즈마 ,  고바야시마사카즈 ,  사타케노보루 ,  이시이마사히로

IPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/004 ,  C11D1/00 ,  C08L39/04 ,  C08L79/02

CPC分类号： G03F7/11 ,  C08L33/14 ,  C09D139/04 ,  G03F7/039 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/094 ,  G03F7/16 ,  G03F7/168 ,  G03F7/20 ,  G03F7/32 ,  G03F7/40 ,  G03F7/405 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/76816

摘要： [과제] 표면거칠음이적은, 미세한네가티브형포토레지스트패턴을형성할수 있는조성물과, 이를사용한패턴형성방법의제공. [해결수단] 화학증폭형포지티브형포토레지스트조성물을사용하여포지티브형레지스트패턴을형성시키는방법에있어서, 레지스트패턴을굵게함으로써패턴을미세화하기위해사용되는미세패턴형성용조성물로서, 반복단위중에아미노기를함유하는중합체와, 용제와, 산을포함하여이루어지는것을특징으로하는조성물. 현상후의포지티브형포토레지스트패턴에그 조성물을도포하고가열함으로써미세한패턴을형성시킬수 있다.

公开(公告)号：KR20180066007A

公开(公告)日：2018-06-18

申请号：KR20180065295

申请日：2018-06-07

申请人： ROHM & HAAS ELECT MATERIALS

发明人： KAUR IRVINDER ,  LIU CONG ,  XU CHENG BAI

IPC分类号： G03F7/004 ,  C07C309/23 ,  C07D493/08 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039

CPC分类号： C07C309/17 ,  C07C309/01 ,  C07C381/12 ,  C07C2601/14 ,  C07C2603/74 ,  C07D307/00 ,  C07D493/18 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  H01L21/0274

摘要： 특히포토레지스트조성물성분으로서유용한산 발생제화합물이제공된다. 한바람직한양태에서, 하나또는그 이상의친수성모이어티를포함하는산 발생제가제공된다.

公开(公告)号：KR20180065949A

公开(公告)日：2018-06-18

申请号：KR20170167602

申请日：2017-12-07

申请人： ULTRATECH INC

发明人： BISCHOFF PAUL M ,  TRUE EMILY M ,  ELLIS RAYMOND ,  CRESPIN A J

IPC分类号： G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC分类号： H01L22/20 ,  G03F1/36 ,  G03F7/20 ,  G03F9/7034 ,  G03F9/7046 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/67259 ,  H01L21/681 ,  H01L22/12 ,  H01L23/00 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13025

摘要： IC 칩들을지지하는재구성된웨이퍼를처리하는방법은, 초점심도및 초점평면을갖고재구성된웨이퍼상에노광필드들을형성하는리소그래피툴 내에재구성된웨이퍼를조작가능하게배치하는단계를포함하며, 각각의노광필드는 IC 칩들중 하나이상을포함한다. 본발명의방법은또한 IC 칩들에의해형성된재구성된웨이퍼의표면토포그래피를측정하기위해라인스캐너로재구성된웨이퍼를스캐닝하는단계를포함한다. 본발명의방법은또한, 주어진노광필드에대해: i) 상기주어진노광필드내의 IC 칩들의포토레지스트층들이초점심도내에있도록재구성된웨이퍼의위치및 배향중 적어도하나를조정하는단계; 및 ii) 주어진노광필드내의 IC 칩들의포토레지스트층들을패터닝하기위해리소그래피툴로노광을수행하는단계;를포함한다.