公开(公告)号：KR101916968B1

公开(公告)日：2018-11-08

申请号：KR1020127034088

申请日：2011-08-04

申请人： 엑스-셀레프린트 리미티드

发明人： 메이틀,매튜 ,  보워,크리스토퍼 ,  메나르,에띠엔느 ,  카터,제임스 ,  그레이,알렌 ,  보나페드,살바토르

IPC分类号： H01L21/306

CPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/7813 ,  H01L23/053 ,  H01L23/28 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/048 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1844 ,  H01L31/1892 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/544 ,  H01L2924/00

摘要： 전사가능한반도체장치를제조하는방법은기판위에인듐알루미늄인화물을포함하는박리층을제공하는단계, 및박리층위에지지층을제공하는단계를포함한다. 지지층및 기판은박리층이상기지지층및 기판에비해에칭선택성을갖도록하는각각의물질, 예컨대비소화물-기재의물질을포함한다. 1개이상의장치층이지지층위에제공된다. 박리층은지지층및 기판의실질적에칭없이선택적으로에칭된다. 관련구조물및 방법또한논의된다.

公开(公告)号：KR101908742B1

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：KR1020137006454

申请日：2011-09-23

申请人： 더 보잉 컴파니

发明人： 우,로빈,엘. ,  로우,다니엘,씨. ,  보스버트,조셉,찰스

IPC分类号： H01L31/0693 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/0693 ,  H01L29/88 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0735 ,  Y02E10/544

摘要： p-도핑된 AlGaInAs 터널층및 n-도핑된 InP 터널층을포함하는타입-II 터널접합이개시된다. 또한, 광서브셀들사이에서고 밴드갭타입-II 터널접합을포함하는태양전지들이개시된다.

公开(公告)号：KR101879319B1

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：KR1020147017071

申请日：2012-11-12

申请人： 소이텍

发明人： 아레나샹탈 ,  스콧로빈 ,  카니자레스클라우디오

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0687 ,  H01L21/02 ,  H01L33/32 ,  H01L31/042

CPC分类号： H01L33/32 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02664 ,  H01L27/153 ,  H01L31/03048 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/1848 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/08 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/32358 ,  Y02E10/544

摘要： 이미형성된질화물의적어도일부를아세닉을포함하는희석질화물 III-V족반도체물질로변형하기위해이미형성된질화물물질내에서일부 N 원자들을 As 원자들로대체함으로써희석질화물 III-V족반도체물질들이형성될수 있다. 이방법들은광전지들및 광에미터들과같은광활성소자들의제조에채용될수 있다. 상기방법들은금속유기화학기상증착(MOCVD) 또는기상에피택시(HVPE) 챔버와같은퇴적챔버내에서수행될수 있다.

公开(公告)号：KR101874663B1

公开(公告)日：2018-07-04

申请号：KR1020137022386

申请日：2012-03-05

申请人： 내셔날 인스티튜트 오브 어드밴스드 인더스트리얼 사이언스 앤드 테크놀로지

发明人： 다카다도모유키 ,  야마나카사다노리 ,  시마다마사오 ,  하타마사히코 ,  이타타니다로 ,  이시이히로유키 ,  구메에이지

IPC分类号： H01L31/10 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L31/032 ,  H01L29/24 ,  H01L31/036 ,  H01L31/09 ,  H01L31/1085 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1844 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 표면의전부또는일부가실리콘결정면인베이스기판과, 베이스기판의위에위치하고, 실리콘결정면에도달하는개구를갖고, 결정의성장을저해하는저해체와, 개구에의해노출되는실리콘결정면의위에위치하고, SiGe(0≤x

公开(公告)号：KR20180063866A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：KR20180010984

申请日：2018-01-29

IPC分类号： H01L31/0687 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/05 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02E10/544 ,  Y02P70/521

摘要： 본발명은텐덤태양전지및 그제조방법에관한것이며, 보다구체적으로, 실리콘태양전지상에페로브스카이트태양전지를적층하여접합시킨모놀리식(monolithic) 텐덤태양전지와이를제조하는방법에관한것이다. 본발명에따르면, 동종접합(homojuction) 실리콘태양전지로구현되는템덤태양전지에있어서, 제1 패시베이션패턴을도입하여제1 패시베이션패턴하부의에미터층의일부가노출되도록함으로써, 제2 전극을형성하기위한고온소성시제1 패시베이션패턴에의해에미터층이보호되어에미터층의표면결함을감소시켜페로브스카이트태양전지의특성열화문제를개선할수 있다.

公开(公告)号：KR1020170034763A

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：KR1020160091755

申请日：2016-07-20

申请人： 더 보잉 컴파니

发明人： 필립티.치우 ,  모란하다드 ,  리차드알.킹

IPC分类号： H01L31/0735 ,  H01L29/88 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/0687 ,  H01L31/03042 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/1844 ,  Y02E10/544

摘要： 반도체장치를위한터널접합이공개된다. 터널접합은 n-도핑된터널층및 p-도핑된터널층을포함한다. p-도핑된터널층은 AlGaAsSb(aluminum gallium arsenide antimonide)로구성된다. AlGaAsSb로구성된 p-도핑된터널층을가진터널접합을포함하는반도체장치가또한공개된다.

摘要翻译： 公开了一种用于半导体器件的隧道结。 隧道结包括n掺杂隧道层和p掺杂隧道层。 p掺杂隧道层由AlGaAsSb（砷化铝镓锑化物）组成。 还公开了包括具有由AlGaAsSb构成的p掺杂隧道层的隧道结的半导体器件。

公开(公告)号：KR101719857B1

公开(公告)日：2017-03-24

申请号：KR1020137006571

申请日：2011-09-21

申请人： 더 보잉 컴파니

发明人： 브사리다나나자이엠. ,  로우다니엘씨.

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L31/0693 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/205 ,  H01L31/043 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/1844 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

摘要： 본발명은직접웨이퍼접합방법을제공하기위한것으로, 제1 및제2 웨이퍼위에접합층을제공하고, 가열및 가압하에서제1 및제2 웨이퍼를서로직접적으로접합하는것을포함한다. 이방법은 GaAs계, InP계, GaP계또는 Ga(In)N계장치와 GaAS 장치사이에고농도로도프된 (Al)(Ga)InP(As)(Sb) 층을도입하는것에의해이들장치를직접적으로접합하는데사용될수 있다. 접합층재료는높은접합강도, 낮은전기저항및 높은광 투과율을가지는접합을형성하게된다.

公开(公告)号：KR101714812B1

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：KR1020127009157

申请日：2010-09-09

申请人： 더 리젠츠 오브 더 유니버시티 오브 미시간

发明人： 포레스트스티븐알 ,  짐머만제라미 ,  이규상 ,  슈퀜팅

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0392 ,  H01L21/78 ,  H01L31/0735

CPC分类号： H01L31/1892 ,  H01L21/7813 ,  H01L31/0735 ,  H01L31/1852 ,  H01L31/1896 ,  Y02E10/544

摘要： 본발명은에피택셜리프트오프의사용에의한감광성디바이스, 예컨대플렉시블광기전(PV) 디바이스의제조방법에관한것이다. 또한, 본발명은성장기판을갖는구조체를포함하며, 보호층의선택적에칭에의하여재사용에적절한평활한성장기판을생성하는, 플렉시블 PV 디바이스의제조방법에관한것이다.

摘要翻译： 本发明涉及一种通过使用外延剥离来制造诸如柔性光伏（PV）器件的光敏器件的方法。 本发明还涉及一种制造柔性PV器件的方法，该方法包括具有生长衬底的结构，其中通过选择性地蚀刻保护层来生产适用于再使用的柔性蚀刻片。

公开(公告)号：KR1020170020899A

公开(公告)日：2017-02-24

申请号：KR1020177001814

申请日：2015-06-22

申请人： 렌슬러 폴리테크닉 인스티튜트

发明人： 다할,라젠드라피. ,  바트,이슈와라비. ,  다논,야론 ,  루,제임스지안-치앙

IPC分类号： H01L31/115 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L31/115 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/0384 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1856 ,  Y02E10/544

摘要： 방사선검출-구조물및 그의제조방법을제공한다. 상기방법은예를들어기판을제공하고, 상기기판은그의상부표면으로부터상기기판내로연장되는적어도하나의트렌치를포함하며; 상기기판의적어도하나의트렌치의하나이상의측벽으로부터방사선-응답성반도체물질층을에피택셜하게형성시킴을포함하고, 상기방사선-응답성반도체물질층은상기중에전하운반체를생성시킴으로써입사방사선에응답한다. 하나의실시태양에서, 상기기판의적어도하나의트렌치의측벽은상기기판의 (111) 표면을포함하고, 이는상기방사선-응답성반도체물질층을에피택셜하게형성시킴을촉진한다. 또다른실시태양에서, 상기방사선-응답성반도체물질층은 6방정계질화붕소를포함하고, 상기에피택셜하게형성시킴은상기 6방정계질화붕소를상기트렌치의측벽에평행하게정렬된 a-축에따라제공함을포함한다.

摘要翻译： 提出了辐射检测结构及其制备方法。 所述方法包括例如：提供衬底，所述衬底包括从其上表面延伸到衬底中的至少一个沟槽; 并且从所述衬底的所述至少一个沟槽的一个或多个侧壁外延形成辐射响应半导体材料层，所述辐射响应半导体材料层通过在其中产生电荷载流子来响应入射辐射。 在一个实施例中，衬底的至少一个沟槽的侧壁包括衬底的（111）表面，其有助于外延形成辐射响应半导体材料层。 在另一个实施例中，辐射响应半导体材料层包括六方晶氮化硼，并且外延形成包括提供平行于沟槽侧壁的a轴取向的六方氮化硼。

公开(公告)号：KR101700728B1

公开(公告)日：2017-01-31

申请号：KR1020147030136

申请日：2013-03-13

申请人： 소이텍

发明人： 지슬랭브뤼노 ,  아레나샨탈 ,  딤로트프란크 ,  그레이브마티아스

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0256

CPC分类号： H01L31/0725 ,  C30B29/06 ,  C30B33/06 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0735 ,  H01L31/1844 ,  H01L31/1852 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

摘要： 본발명은, 최종베이스기판을제공하는단계; 제1 지퍼층및 제1 씨드층을포함하는제1 설계된기판을제공하는단계; 제2 기판을제공하는단계; 상기최종베이스기판으로제1 씨드층을전달하는단계; 상기최종베이스기판으로상기제1 씨드층을전달하는단계후에상기제1 씨드층상에적어도하나의제1 태양전지층을형성하여, 제1 웨이퍼구조를얻는단계; 상기제2 기판상에적어도하나의제2 태양전지층을형성하여, 제2 웨이퍼구조를얻는단계; 및상기제1 웨이퍼구조및 상기제2 웨이퍼구조를서로결합시키는단계;를포함하는다중접합태양전지소자를제조하는방법에관한것이다.

摘要翻译： 本发明涉及一种制造多结太阳能电池器件的方法，包括以下步骤：提供最终的基底; 提供包括第一拉链层和第一种子层的第一工程衬底; 提供第二基板; 将第一种子层转移到最终的基底; 在将所述第一种子层转移到所述最终基底基板之后，在所述第一籽晶层上形成至少一个第一太阳能电池层，从而获得第一晶片结构; 在所述第二基板上形成至少一个第二太阳能电池层，从而获得第二晶片结构; 以及将所述第一和第二晶片结构彼此接合。