公开(公告)号：KR101901068B1

公开(公告)日：2018-09-20

申请号：KR1020170100942

申请日：2017-08-09

申请人： 고려대학교 산학협력단

发明人： 강윤묵 ,  김동환 ,  이해석 ,  박세진 ,  배수현

IPC分类号： H01L31/06 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/05

CPC分类号： Y02E10/50 ,  H01L31/06 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/0504

摘要： 본발명은탠덤태양전지를제공한다. 이탠덤태양전지는, 기판; 상기기판상에형성된하부셀; 상기하부셀 상에배치된상부셀; 및상기상부셀과상기하부셀 사이에배치된케리어수집패턴을포함한다. 상기상부셀은페로브스카이트구조의상부광흡수층을포함하고, 상기케리어수집패턴은서로이격되어배치된아일랜드형태이고, 상기하부셀에서공급되는제1 케리어와상기상부셀에서공급되는제2 케리어의재결합사이트를제공한다.

公开(公告)号：KR1020170027698A

公开(公告)日：2017-03-10

申请号：KR1020167029985

申请日：2015-03-27

申请人： 빅 솔라 리미티드

发明人： 토핑,알렉산더존

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/047 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/06 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/035281 ,  H01L31/047 ,  Y02E10/50 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/035218 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/03926 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

摘要： 광전자장치및 이를제조하는방법. 광전자장치는제1 및제2 실질적으로평평한면을갖는기판, 제1 실질적으로평평한면 내의일련의그루브-일련의그루브는제1 최외곽그루브와제2 최외곽그루브를포함, 및기판내의제1 및제2 개구를포함한다. 제1 개구는제1 최외곽그루브와기판의제2 실질적으로평평한면 사이에전기적통신을제공하고제2 개구는제2 최외곽그루브와기판의제2 실질적으로평평한면 사이에별도의전기적통신을제공한다. 기판의제2 실질적으로평평한면은제1 및제2 전기전도체를더 포함하고, 제1 및제2 전기전도체는서로전기적으로절연된다.

摘要翻译： 一种光电器件及其制造方法。 光电子器件包括具有第一和第二基本平坦的面的衬底。 第一基本上平坦的表面中的一系列凹槽，该系列凹槽包括第一最外槽和第二最外槽以及基板中的第一和第二孔。 第一孔口在第一最外槽和第二基本平坦的面之间提供电连通，第二孔提供第二最外槽与衬底的第二基本平坦表面之间的分开的电连通。 衬底的第二基本上平坦的面还包括第一和第二电导体，第一和第二电导体彼此电绝缘。

公开(公告)号：KR101693880B1

公开(公告)日：2017-01-06

申请号：KR1020110023292

申请日：2011-03-16

申请人： 소니 주식회사

发明人： 야마카와신야

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/06

CPC分类号： H01L27/14643 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14689 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/06

摘要： 고체촬상소자는, 각화소에마련된광전변환영역과; 각화소의상기광전변환영역에대해마련된트랜지스터와; 상기광전변환영역과상기트랜지스터를분리하는, 제 1 도전형의분리영역과; 상기광전변환영역과, 상기트랜지스터와, 상기제 1 도전형의분리영역이내부에형성된, 제 1 도전형의웰 영역과; 상기제 1 도전형의분리영역상에형성되고, 상기제 1 도전형의웰 영역을일정전위에고정하는전위를공급하는콘택트부와; 상기콘택트부와상기광전변환영역사이의상기제 1 도전형의분리영역내에, 상기제 1 도전형의분리영역의표면부터깊이방향으로늘어나형성되고, 상기제 1 도전형의분리영역과비교하여충분히높은불순물농도를갖는, 제 1 도전형의불순물영역을포함한다.

摘要翻译： 本文公开了一种固态摄像元件，包括：光电转换区域; 晶体管 第一导电类型的隔离区域，被配置为将光电转换区域和晶体管彼此隔离; 具有形成在其中的第一导电类型的光电转换区域，晶体管和隔离区域的第一导电类型的阱区域; 接触部分，被配置为提供用于将所述阱区域固定到给定电位的电位; 以及第一导电类型的杂质区域，形成为在接触部分和光电转换区域之间的第一导电类型的隔离区域中从第一导电类型的隔离区域的表面沿深度方向延伸，以及 具有比第一导电类型的隔离区的杂质浓度足够高的杂质浓度。

公开(公告)号：KR1020150055168A

公开(公告)日：2015-05-21

申请号：KR1020130136387

申请日：2013-11-11

申请人： 한국전자통신연구원

发明人： 임정욱 ,  윤선진 ,  이성현

IPC分类号： H01L31/04

CPC分类号： H01L31/0549 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/056 ,  H01L31/06 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/548

摘要： 본발명의실시예에따른실리콘태양전지는제 1 전극, 상기제 1 전극상에배치된하부광 흡수층, 상기하부광 흡수층상에배치된상부광 흡수층; 및상기하부광 흡수층과상기상부광 흡수층사이에제공된중간반사층을포함하되, 상기중간반사층은구리산화물을포함한다.

摘要翻译： 根据本发明实施例的硅太阳能电池包括第一电极，布置在第一电极上的底部光吸收层，设置在底部光吸收层上的顶部光吸收层和中间反射层 其设置在底部光吸收层和顶部光吸收层之间。 中间反射层包括氧化铜。

公开(公告)号：KR1020140029380A

公开(公告)日：2014-03-10

申请号：KR1020137018533

申请日：2011-12-13

申请人： 어센트 솔라 테크놀로지스, 인크.

发明人： 우즈로렌스엠. ,  암스트롱조셉에이치.

IPC分类号： H01L25/04 ,  H01L31/18 ,  H01L27/142

CPC分类号： H01L31/0304 ,  H01L31/043 ,  H01L31/0465 ,  H01L31/065 ,  H01L31/1896 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/50 ,  H01L25/04 ,  H01L27/142 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18 ,  H01L2924/00

摘要： 광기전(PV) 소자는 기판 상에 적어도 하나의 하부 PV 셀을 갖되, 셀은 금속 후면 접속 및 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ 흡수체, 및 투명 도체층을 갖는다. 상부 PV 셀은 스택을 형성하도록, 직렬로 전기적으로 하부 PV 셀에 부착된다. 상부 PV 셀은 Ⅲ-Ⅴ 흡수체 및 접합층들을 갖되, 셀들은 저온 솔더 또는 전도성 나노구조물들의 필러를 갖는 투명 전도성 접착제에 의해 부착된다. 상부 PV 셀은 기판을 갖지 않는다. 구체예는 하부 셀들의 후면 접속 및 상부 셀들의 꼭대기 모두에 접속하여 직렬로 함께 결합하는 패터닝된 도체의 적어도 하나의 형상을 갖는다. 구체예에서, 패터닝된 도체의 형상은 상부 셀에 하부 셀의 초과 영역으로부터 전류를 인출하고, 대안적인 구체예에서 패터닝된 도체의 형상은 직렬 스트링으로 상부 셀들의 기저를 이루지 않는 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ 셀들을 결합하고, 스트링은 적어도 하나의 스택과 병렬이다. 구체예에서, 본딩제는 전도성 나노구조물을 포함하는 폴리머 접착제이다. 구체예에서, Ⅲ-Ⅴ 흡수체는 단일 결정, 기판 상에 성장된다. 소자를 형성하는 방법이 설명된다.

公开(公告)号：KR101361343B1

公开(公告)日：2014-02-13

申请号：KR1020120139987

申请日：2012-12-05

申请人： 현대중공업 주식회사

发明人： 이정우 ,  김연경 ,  이준성

IPC分类号： H01L31/042 ,  H01L31/06 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02E10/50 ,  H01L31/042 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

摘要： The present invention relates to a method for fabricating a solar cell, and the method is provided to improve the process efficiency by forming p-type emitter and n-type front-surface electric-field layer through a single diffusion process while omitting a diffusion preventive layer forming process on the front and back surfaces of a substrate. The method for fabricating a solar cell according to the present invention includes: a step of preparing a p-type crystalline silicon substrate; a step of depositing a BSG layer on the back surface of the substrate; a step of forming a p-type emitter in the back surface of the substrate by supplying gas which includes n-type impurity ions into a chamber and thermally processing while mounting the substrate in the chamber and forming an n-type front-surface electric-field layer; a step of depositing anti-reflection film on the front surface of the substrate; a step of forming a passivation layer on each of the front and back surfaces of the substrate; a step of forming an Al2O3 passivation layer on each of the front and back surfaces of the substrate using an atomic layer deposition method; a step of forming a capping layer on the passivation layer on the back surface of the substrate; a step of forming a contact hole which expose the p-type emitter of the substrate by removing a part of the capping layer and passivation layer of the back surface of the substrate; a step of coating conductive paste for back surface busbar electrode on the capping layer, coating aluminum paste on the entire back surface of the substrate to sufficiently fill the contact hole and coating conductive past for a front electrode on the front surface of the substrate; and a step of forming the back surface busbar electrode, front electrode and BSF layer by thermally processing the substrate. [Reference numerals] (S101) Preparing a p-type crystalline silicon substrate; (S102) Texturing - all the front surface/back surface or only the front surface; (S103) Forming a p-type emitter and n-type front-surface electric field layer; (S104) Forming an antireflection layer; (S105) Forming front surface passivation layer and back surface passivation layer - Al_2O_3 using an ALD process; (S106) Forming a capping layer; (S107) Forming a contact hole by partially removing the capping layer and back surface passivation layer; (S108) Printing back surface busbar electrode, front electrode and aluminum paste; (S109) Sintering - Forming back surface busbar electrode, front electrode and BSF layer

摘要翻译： 本发明涉及一种太阳能电池的制造方法，提供了通过单次扩散处理形成p型发射极和n型正面电场层，同时省略扩散预防措施来提高工艺效率的方法 在基板的正面和背面上形成层。 根据本发明的太阳能电池的制造方法包括：制备p型晶体硅衬底的步骤; 在衬底的背面上沉积BSG层的步骤; 通过将包括n型杂质离子的气体供应到室中并在将衬底安装在腔室中进行热处理并形成n型前表面电极形成在衬底的背面中形成p型发射体的步骤， 场层; 将抗反射膜沉积在基板的前表面上的步骤; 在基板的前表面和后表面的每一个上形成钝化层的步骤; 使用原子层沉积法在衬底的前表面和后表面上形成Al 2 O 3钝化层的步骤; 在衬底的背面上的钝化层上形成覆盖层的步骤; 形成接触孔的步骤，通过去除衬底的一部分覆盖层和衬底的后表面的钝化层来暴露衬底的p型发射极; 在覆盖层上涂布背面母线电极的导电膏的步骤，在基板的整个背面上涂覆铝浆以充分填充接触孔并在基板的前表面上涂覆用于前电极的导电过孔; 以及通过热处理基板来形成背面母线电极，前电极和BSF层的步骤。 （附图标记）（S101）准备p型结晶硅基板; （S102）纹理 - 所有前表面/后表面或仅前表面; （S103）形成p型发射极和n型正面电场层; （S104）形成抗反射层; （S105）使用ALD工艺形成正面钝化层和背面钝化层Al_2O_3; （S106）形成盖层; （S107）通过部分去除覆盖层和背面钝化层形成接触孔; （S108）印刷背面母线电极，前电极和铝膏; （S109）烧结 - 形成背面母线电极，前电极和BSF层

公开(公告)号：KR1020140013221A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：KR1020120079564

申请日：2012-07-20

申请人： 주성엔지니어링(주)

发明人： 조원태 ,  신용우 ,  김두영

IPC分类号： H01L31/06 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/06 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

摘要： The present invention relates to a method for manufacturing a solar cell and in detail, to a method for manufacturing a solar cell capable of easily controlling the thickness and forming speed of a photoelectric transducer made from polycrystalline silicon. The present invention comprises steps of: forming a first electrode on a substrate; forming a first conductive semiconductor in a set temperature range as an amorphous silicon layer; forming a first I type semiconductor layer using amorphous silicon; forming a second conductive semiconductor layer by a polycrystalline silicon layer; forming a second I type semiconductor layer using amorphous silicon; forming a third conductive semiconductor layer as an amorphous silicon layer of which type is opposite to the type of the first conductive semiconductor layer; forming a second electrode on the photoelectric transducer; and arranging a substrate at the second electrode. [Reference numerals] (AA) SiH_4 particle

摘要翻译： 本发明涉及太阳能电池的制造方法，详细地说，涉及能够容易地控制由多晶硅制成的光电传感器的厚度和形成速度的太阳能电池的制造方法。 本发明包括以下步骤：在衬底上形成第一电极; 在设定温度范围内形成作为非晶硅层的第一导电半导体; 使用非晶硅形成第一I型半导体层; 通过多晶硅层形成第二导电半导体层; 使用非晶硅形成第二I型半导体层; 形成与所述第一导电半导体层的类型相反的非晶硅层的第三导电半导体层; 在所述光电变换器上形成第二电极; 以及在所述第二电极处布置基板。 （AA）SiH_4颗粒

公开(公告)号：KR1020140010920A

公开(公告)日：2014-01-27

申请号：KR1020137000216

申请日：2011-10-03

申请人： 선파워 코포레이션

发明人： 임승범 ,  김태석 ,  스미스데이비드디 ,  커즌스피터제이

IPC分类号： H01L31/04 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L29/861 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0443 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  Y02E10/547 ,  H01L31/042 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

摘要： 태양 전지용 바이패스 다이오드가 기술된다. 일 실시예에서, 태양 전지용 바이패스 다이오드는 태양 전지의 기판을 포함한다. 제1 전도 유형의 제1 전도성 영역이 기판 위에 배치된다. 제1 전도 유형과 반대인 제2 전도 유형의 제2 전도성 영역이 제1 전도성 영역 상에 배치된다.

公开(公告)号：KR1020130098471A

公开(公告)日：2013-09-05

申请号：KR1020120020020

申请日：2012-02-28

申请人： 주성엔지니어링(주)

发明人： 이정현 ,  김민규 ,  김의경 ,  송명곤 ,  이장원 ,  최현곤

IPC分类号： H01L31/042 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/042 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

摘要： PURPOSE: A solar cell and a manufacturing method thereof are provided to improve the transmittance of sunlight by forming a first electrode and a second electrode on the rear of a semiconductor wafer to which the sunlight is not inputted. CONSTITUTION: A semiconductor wafer (100) has a fixed polarity. A first buffer layer (200) is formed on the rear of the semiconductor wafer. A first semiconductor layer (410) and a second semiconductor layer (420) are formed on the first buffer layer. A first electrode (510) is formed on the first semiconductor layer. A second electrode (520) is formed on the second semiconductor layer. The first semiconductor layer is isolated from the second semiconductor layer by a partition layer (300). The first electrode is isolated from the second electrode by the partition layer.

摘要翻译： 目的：提供一种太阳能电池及其制造方法，通过在未输入太阳光的半导体晶片的背面形成第一电极和第二电极来提高太阳光的透射率。 构成：半导体晶片（100）具有固定的极性。 第一缓冲层（200）形成在半导体晶片的后部。 第一半导体层（410）和第二半导体层（420）形成在第一缓冲层上。 第一电极（510）形成在第一半导体层上。 第二电极（520）形成在第二半导体层上。 第一半导体层通过分隔层（300）与第二半导体层隔离。 第一电极通过分隔层与第二电极隔离。

公开(公告)号：KR1020130093209A

公开(公告)日：2013-08-22

申请号：KR1020120014597

申请日：2012-02-14

申请人： 재단법인대구경북과학기술원

发明人： 우성호 ,  류홍근

IPC分类号： H01L31/06 ,  H01L31/042

CPC分类号： Y02E10/50 ,  H01L31/06 ,  H01L31/042

摘要： PURPOSE: A solar cell using a core-shell nanowire is provided to obtain high efficiency by forming an electrode after a previously manufactured core-shell nanowire is laminated on a substrate in parallel. CONSTITUTION: A first electrode (20) is laminated on a substrate (10). A core-shell nanowire (30) is horizontally laminated on the first electrode. The core-shell nanowire includes a core part (31) and a shell part (33) to surround the core part. The core part of the core-shell nanowire is formed with an n-type semiconductor. The shell part of the core-shell nanowire is formed with a p-type semiconductor. A second electrode (40) is connected to the core part of the core-shell nanowire on both ends of the core-shell nanowire.

摘要翻译： 目的：提供一种使用核 - 壳纳米线的太阳能电池，通过在先前制造的核 - 壳纳米线平行地层压在基板上形成电极来获得高效率。 构成：将第一电极（20）层叠在基板（10）上。 核 - 壳纳米线（30）水平层压在第一电极上。 核 - 壳纳米线包括芯部（31）和围绕芯部的壳部（33）。 核 - 壳纳米线的核心部分由n型半导体形成。 核 - 壳纳米线的外壳部分由p型半导体形成。 第二电极（40）连接到芯 - 壳纳米线的两端的核 - 壳纳米线的核心部分。