-
公开(公告)号：KR102367433B1
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：KR1020190084544
申请日：2019-07-12
IPC分类号： C09D133/04 , C09D7/20 , C09D7/40 , H01L21/78 , H01L21/56
摘要： 본발명에의한웨이퍼가공용보호코팅제에의하면웨이퍼표면에유기수지코팅층을형성시킴으로써, 반도체제조공정중에웨이퍼의절삭을포함하는가공공정에서웨이퍼표면상에발생하는손상을근본적으로방지하며내오염성, 부착성을증가시킬수 있는보호코팅제를제조할수 있다.
-
公开(公告)号：KR1020220020768A
公开(公告)日：2022-02-21
申请号：KR1020210100678
申请日：2021-07-30
摘要： 보호막의흔적을초래하는보호막형성필름의권취에서기인하는흔적이잘 발생하지않는보호막형성용시트롤 및그 제조방법을제공하는것. 보호막형성필름과, 그일방의면에형성된제 1 박리필름과, 타방의면에형성된제 2 박리필름을갖는장척시트를권취한시트롤로서, 보호막형성필름으로부터의제 1 박리필름의박리력을 F1, 제 2 박리필름의박리력을 F2 로한 경우, F1 > F2 이고, 보호막형성필름의 10 ℃에 있어서의손실정접 tanδ10 이 1.2 이하이고, 시트롤의권회축이연직방향이되는방향에있어서, 권취된장척시트에중력을작용시켰을때, 연직방향에있어서의장척시트의최대변위량을 A [㎜] 로한 경우, A/tanδ10 이 2.0 이상인보호막형성용시트롤 및그 제조방법이다.
-
公开(公告)号：KR102365004B1
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：KR1020210037228
申请日：2021-03-23
IPC分类号： H01L23/367 , H01L21/52 , H01L21/56 , H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/78 , H01L23/373 , H01L23/544
摘要： 반도체패키지및 그제조방법이개시된다. 반도체패키지의제조방법은, 금속기판을준비하는단계, 상기금속기판상에미리결정된간격으로반도체다이들을부착하는단계, 상기반도체다이들상에본딩필름을부착하는단계, 상기반도체다이들및 상기금속기판상에몰드재료를부가하고경화하여몰드부재를형성하는단계, 상기몰드부재및 상기금속기판의일부두께를연마하는단계, 상기본딩필름을제거하는단계, 상기반도체다이들상에재배선층을부착하는단계, 및상기반도체다이들간을쏘잉하는단계를포함한다.
-
公开(公告)号：KR102363110B1
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：KR1020180009764
申请日：2018-01-26
摘要： 본발명은근적외선을투과시키고다른파장의전자파를반사시키는코팅층과, 이근적외선을흡수하는얼라인먼트마크를갖는피가공물의가공에적합한가공방법을제공하는것을목적으로한다. 피가공물을가공하는가공방법으로서, 근적외선을반사시키는유지면을갖는유지테이블에의해피가공물의얼라인먼트마크가형성되어있는표면측을유지하여이면측을노출시키는유지단계와, 유지테이블에의해유지된피가공물의이면측을향해근적외선을조사하고근적외선에감도가있으며피가공물의이면측에대면하는촬상수단으로피가공물을촬상하여촬상화상을형성하는촬상단계와, 촬상화상에기초하여얼라인먼트마크를검출하는얼라인먼트마크검출단계와, 검출된얼라인먼트마크에기초하여유지테이블에의해유지된피가공물을가공수단으로가공하는가공단계를포함한다.
-
公开(公告)号：KR102359873B1
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：KR1020150084926
申请日：2015-06-16
IPC分类号： H01L23/14 , H01L21/56 , H01L23/00 , H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/538
摘要： 패키지기판은절연기판, 내부회로들및 휨억제부재를포함할수 있다. 상기절연기판은반도체칩들이실장되는복수개의실장영역들, 및주변영역을가질수 있다. 상기내부회로들은상기절연기판의실장영역들내에형성될수 있다. 상기휨 억제부재는상기실장영역들중 적어도어느하나에배치되어, 상기절연기판의휘어짐을억제할수 있다. 따라서, 패키지기판의강도가휨 억제부재에의해서보강되어, 리플로우공정중에, 패키지기판이휘어지는것을억제할수 있다.
-
公开(公告)号：KR102359082B1
公开(公告)日：2022-02-07
申请号：KR1020177001609
申请日：2015-07-16
IPC分类号： H01L51/56 , H01L51/00 , H01L21/56 , H01L21/18 , H05B33/02 , H05B33/04 , H05B33/10 , B65G49/06
摘要： [과제] 기판의제조에있어서, 필름또는유리를반송용기판에붙이고또한용이하게박리할수 있는기술을제공한다. [해결수단] 표면에전자소자가형성되는기판의제조방법으로서, 표면에전자소자가형성되는기판의반송용기판이접합되는접합예정면과이 기판을반송하기위한반송용기판의접합예정면중 적어도한쪽에무기재료층을형성하는형성공정과, 기판과반송용기판을서로눌러붙여, 무기재료층을개재하여기판과반송용기판을접합하는접합공정과, 기판과반송용기판을박리하는박리공정을구비하는것을특징으로하는제조방법이제공된다.
-
公开(公告)号：KR102358091B1
公开(公告)日：2022-02-07
申请号：KR1020197005461
申请日：2017-08-04
摘要： 핫멜트성을가지며, 취급작업성및 경화특성이우수한동시에, 용융시의갭필성이우수하고, 실온으로부터 150℃정도의고온에서의유연성및 강인성이우수한경화물을제공하는경화성입상실리콘조성물, 및이 경화성입상실리콘조성물을성형하여이루어지는펠렛등을제공한다. [해결수단] (A) 연화점이 30℃이상이고, 하이드로실릴화반응성기 및/또는라디칼반응성기를갖는핫멜트성실리콘미립자, (B) 평균입자지름 10.0 ㎛이상의조대입자를실질적으로포함하지않는무기필러(미립자), 및 (C) 경화제를함유하여이루어지며, 경화에의해, 25℃와 150℃에서의저장탄성률이각각 2000 MPa 이하및 100 MPa 이하인경화물을제공하는것을특징으로하는경화성입상실리콘조성물및 그의용도.
-
公开(公告)号：KR102345187B1
公开(公告)日：2021-12-30
申请号：KR1020170167314
申请日：2017-12-07
摘要： 본발명은웨이퍼표면의디바이스영역이보호막으로덮인상태로플라즈마조사가가능하고, 디바이스의손상을억제할수 있는웨이퍼의가공방법을제공하는것을과제로한다. 웨이퍼의가공방법에있어서, 웨이퍼(W)의표면전체를피복하는보호막(70)을형성하는보호막형성공정과, 스트리트(ST)를따라서레이저광(LB)을조사하여기능층(72)을제거하여기판(71)을노출시키는레이저광조사공정과, 레이저광조사후의웨이퍼상의복수의디바이스(DV) 영역에서의보호막의피복상태를검출하는보호막검출공정과, 디바이스영역에보호막이피복되지않은부분이있는경우, 각디바이스영역을덮도록보호막을다시형성하는보호막재형성공정과, 웨이퍼에플라즈마조사하는플라즈마조사공정과, 스트리트를따르는절삭에의해웨이퍼를분할하는분할공정을포함한다.
-
公开(公告)号：KR102342005B1
公开(公告)日：2021-12-22
申请号：KR1020167020370
申请日：2015-02-12
摘要： 한측면에서, 코팅된전자부품이본 명세서에설명되어있다. 일부구현예로서, 코팅된전자부품은전자부품및 전자부품의표면에배치된그래핀코팅층을포함한다. 그래핀코팅층은, 일부구현에에서, 약 300 nm 이하의두께를갖는다. 다른측면에서, 전자장치의서비스수명을증가시키기위한방법이본 명에서설명되어있다. 일부구현예에서, 이러한방법은장치의전자부품의환경과대향하는표면에그래핀코팅층을배치하는것을포함하며, 여기서, 전자장치는그래핀코팅층을포함하지않는다른동등한전자장치와비교해서환경시험성능에서적어도 10%의개선을보이며, 본명세서에서기재하는상기환경시험성능은방수성시험, 아세트산시험, 당액시험또는메틸알콜시험에서의성능을포함한다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
4318 条记录 (耗时 0.017 秒)
