公开(公告)号：KR102483117B1

公开(公告)日：2022-12-29

申请号：KR1020177014781

申请日：2015-10-27

IPC分类号： H01L23/10 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

摘要： 비자성밀봉패키지는, 개방된캐비티를둘러싸는벽 ―벽의상부에지둘레에, 일반적으로평면인비자성의금속성시일링이연속루프로배치됨― ; 캐비티내에결합되는민감한컴포넌트; 및금속성시일에의해캐비티를폐쇄하기위해시일링에실링되는비자성덮개를포함한다.

公开(公告)号：KR102480379B1

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：KR1020200008888

申请日：2020-01-22

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L23/00 ,  H01L23/29 ,  H01L23/498

摘要： 본발명은복수의실리콘관통전극이구비되고범프전극이형성된기판상에비전도성필름을사용하여진공라미네이션(vacuum lamination) 후자외선조사를실시하여, 광경화전후용융점도상승을 30% 이하로조절할수 있으며, 이에따라열압착본딩시보이드없이본딩가능하며솔더중간에수지가끼이는현상을방지할수 있고, 필렛이최소화되어신뢰성을향상시킬수 있는반도체패키지의제조방법에관한것이다.

公开(公告)号：KR102480685B1

公开(公告)日：2022-12-22

申请号：KR1020200155562

申请日：2020-11-19

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/525 ,  H01L23/29 ,  H01L23/48 ,  H01L23/498 ,  H01L25/065

摘要： 반도체디바이스및 제조방법이제공되며, 반도체디바이스는반도체기판위에부착된다. 반도체기판및 반도체기판위의금속배선층 내에개구가형성되고, 개구를충진하기위해봉지재가배치된다. 봉지재가배치되면반도체기판이싱귤레이션되어디바이스를분리한다. 금속배선층의재료를리세싱하고개구를형성함으로써박리손상이감소되거나제거될수 있다.

公开(公告)号：KR102479906B1

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：KR1020187003647

申请日：2016-07-27

IPC分类号： C09J133/00 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  C08F2/44 ,  C08F265/06 ,  G02B3/00 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L27/14

摘要： (a) (메타)아크릴중합체와, (b) 적어도 2개의 (메타)아크릴로일기를가지는화합물과, (c) 중합개시제와, (d) 필러를함유하는, 접착제조성물.

公开(公告)号：KR102479636B1

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：KR1020207030304

申请日：2018-10-22

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L25/065 ,  H01L23/29 ,  H01L23/00 ,  H01L23/50

摘要： 본발명은플라스틱포장재, 회로기판, 수지스페이서, 제 1 칩, 제 2 칩및 전기적연결어셈블리를포함하는수지스페이서에기초한스텝형적층칩패키징구조체에관한것이다. 수지스페이서, 제 1 칩및 제 2 칩은각각회로기판상에적층된다. 제 2 칩은계단식으로제 1 칩위에적층된다. 회로기판, 제 1 칩및 제 2 칩은전기연결어셈블리를통해함께전기적으로연결된다. 수지스페이서는섬유유리직물을기본재료로사용하고, 섬유유리직물의중량 %는 10-60wt%이며, 다음구성요소는수지스페이서의총 중량에대한백분율로섬유유리직물에추가된다: 에폭시수지 8-40wt%, 석영분말 10-30wt%, 산화알루미늄 2-10wt%, 산화칼슘 1-8wt% 및경화제 1-8wt%. 본발명은또한수지스페이서의이면에접착필름을부착하고, 수지스페이서를절단한다음, 수지스페이서상에칩을스텝형포장을수행하고, 이는접착필름으로접착되는, 스텝형적층칩패키징구조체의제조방법을제공한다.

公开(公告)号：KR102478822B1

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：KR1020207024751

申请日：2019-05-06

IPC分类号： H01L21/56 ,  C23C14/00 ,  C23C14/06 ,  C23C14/58 ,  H01L21/02 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

摘要： 반도체장치는장치의단일주요표면 (면) 위에놓여적층된압축층및 인장층을모두갖는기판을갖는다. 인장층은장치의기판상에직접적층될수 있으며, 압축층은인장층위에놓인다. 전이물질(transition material)이인장층과압축층사이에위치할수 있다. 전이물질은인장층및 압축층중 하나또는둘 모두의성분을포함하는화합물일수 있다. 특정양태에서, 인장재료는질화규소일수 있고, 압축층은산화규소일수 있고, 전이물질은인장질화규소층의표면을산화시킴으로써형성될수 있는실리콘옥시-나이트라이드일수 있다. 장치의동일한면 상에인장층및 압축층을모두적층함으로써, 대향하는주요표면 (면)을자유롭게가공할수 있다.

公开(公告)号：KR102472566B1

公开(公告)日：2022-12-01

申请号：KR1020150170106

申请日：2015-12-01

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L25/065 ,  H01L27/146 ,  H01L23/29 ,  H01L23/00

摘要： 본발명의반도체패키지는제 1 패키지기판및 상기제 1 패키지기판상에적층된반도체칩을포함하는제 1 반도체패키지, 및상기제 1 반도체패키지상에적층되며, 제 2 패키지기판, 상기제 2 패키지기판상에적층된이미지센서칩, 상기이미지센서칩 상에배치된투명기판, 상기이미지센서칩과상기투명기판사이에개재되는접착패턴및 상기제 2 패키지기판과상기투명기판사이에배치되며, 상기투명기판을둘러싸는수지막을포함하는제 2 반도체패키지를포함하되, 상기접착패턴은상기이미지센서칩과접하는제 1 면및 상기제 1 면과마주보며상기투명기판과접하는제 2 면을포함하되, 상기접착패턴의상기제 2 면은상기제 1 면보다큰 폭을가질수 있다.

公开(公告)号：KR102466597B1

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：KR1020177015251

申请日：2015-12-02

IPC分类号： C08G59/24 ,  C08G59/68 ,  H01L23/29

摘要： 본발명은, 이하의측정방법으로구한나트륨이온의함유량이 1 ∼ 12 ppm 인테트라메틸비페놀형에폭시수지에관한것이다. (측정방법) 시료를 N-메틸피롤리돈에용해한용액을사용하고원자흡광법에의해측정한다.

公开(公告)号：KR102460973B1

公开(公告)日：2022-11-02

申请号：KR1020197012175

申请日：2017-08-28

IPC分类号： C07C237/40 ,  C08G69/26 ,  C08G73/08 ,  C08G73/10 ,  H01L23/12 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/12 ,  H05B33/22

摘要： 본발명은신규디아민화합물, 및그것을사용한내열성수지및 상기내열성수지를사용한수지조성물에관한것으로서, 이에의해 200℃이하의저온의가열처리일지라도, 내약품성과막특성이우수한경화막을얻을수 있다. 해당신규의디아민은하기일반식 (1)로표시된다. 본발명의내열성수지또는수지조성물은반도체소자의표면보호막, 층간절연막, 유기전계발광소자(유기 EL)의절연층이나평탄층등에적절하게사용할수 있다. JPEG112019043226708-pct00040.jpg33153

公开(公告)号：KR102455209B1

公开(公告)日：2022-10-17

申请号：KR1020197031729

申请日：2018-01-25

IPC分类号： H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  C09J133/00 ,  C09J7/20 ,  B32B25/08 ,  B32B27/30 ,  B32B27/34 ,  B32B7/02 ,  B32B7/12