公开(公告)号：KR1020150014060A

公开(公告)日：2015-02-06

申请号：KR1020130089231

申请日：2013-07-29

申请人： 한국생산기술연구원

发明人： 정채환 ,  정찬욱 ,  류상

IPC分类号： H01L31/04 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/04 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

摘要： 본 발명은 태양전지용 단결정 실리콘 소자에 마이크로 또는 나노와이어을 성장시킬 수 있는 실리콘 소자를 준비하는 단계, 상기 단결정 실리콘층에 마이크로 또는 나노와이어를 성장시키는 마이크로 또는 나노와이어 형성단계, 및 상기 나노와이어가 형성된 실리콘 소자에 패시베이션을 위한 증착층을 형성단계를 포함하는 산화알루미늄막이 형성된 실리콘 및 이의 제조방법을 제공한다.

摘要翻译： 提供具有氧化铝膜的硅及其制造。 该方法包括制备能够在单晶硅器件中生长微纳米线的硅元件，通过在单晶硅层中生长微纳米线或纳米线形成微纳米线或纳米线的步骤，以及形成用于 具有纳米线的硅器件中的钝化。

公开(公告)号：KR101489913B1

公开(公告)日：2015-02-06

申请号：KR1020140029474

申请日：2014-03-13

申请人： 한국과학기술연구원

发明人： 고형덕 ,  장호성 ,  고두현 ,  최원준 ,  임주원 ,  김정혁 ,  한일기

IPC分类号： H01L31/04

CPC分类号： Y02E10/50 ,  H01L31/04

摘要： 본 발명은 업컨버전 나노입자를 포함하는 GPR 및 이를 이용한 태양전지에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈몬 특성을 이용하여 업컨버전 나노물질의 발광 효율을 향상시킬 수 있고, 낮은 파워밀도에서도 우수한 발광 세기를 나타내며, 이를 태양전지에 이용할 경우, 보다 우수한 광전환 효율을 가질 수 있다.

摘要翻译： 本发明涉及包含上转换纳米颗粒的GPR和使用其的太阳能电池。 更具体地，本发明可以通过使用等离子体激元特性来提高上转换纳米材料的发光效率，即使在低功率密度下也显示出优异发光的强度，并且在用作太阳能电池时具有优异的光电转换效率。

公开(公告)号：KR1020150012706A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：KR1020130088552

申请日：2013-07-26

申请人： 주식회사 오리온

发明人： 황재권 ,  장동민

IPC分类号： H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02E10/542 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  H01L31/04

摘要： 본 발명은 봉지재의 누출 부위가 발생되는 경우, 염료감응형 태양전지의 패널에 천공부를 형성하고 해당 천공부를 통해 봉지재 보수물질을 주입하여 봉지재 노출 현상을 효과적으로 보수할 수 있는 염료감응형 태양전지의 봉지재 보수방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 염료감응형 태양전지의 봉지재 보수방법은 봉지재를 매개로 합착된 상부 투명기판과 하부 투명기판을 포함하는 염료감응형 태양전지의 봉지재 보수방법에 있어서, 봉지재 누출 부위에 해당되는 상부 투명기판 또는 하부 투명기판에 천공부를 형성하는 단계; 및 상기 천공부에 봉지재 보수물질을 주입하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

摘要翻译： 本发明涉及一种修补染料敏化太阳能电池的密封材料的方法，其能够通过在染料敏化太阳能电池的面板上形成穿孔单元并通过所述染料敏化太阳能电池的注入密封材料修复材料来有效地修复密封材料的暴露 在一部分密封材料暴露的情况下穿孔单元。 根据本发明，使用密封材料作为介质，将包括透明的上基板和透明下基板的染料敏化太阳能电池的密封材料的修复方法包括：形成穿孔的步骤 单元在透明上基板或透明下基板上，对应于密封材料的暴露部分; 以及将隐藏材料修复材料注入穿孔单元的步骤。

公开(公告)号：KR1020150012454A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：KR1020130087984

申请日：2013-07-25

申请人： 한국에너지기술연구원

发明人： 조준식 ,  어영주 ,  박주형 ,  곽지혜 ,  윤재호 ,  조아라 ,  신기식 ,  안승규 ,  윤경훈 ,  유진수 ,  박상현 ,  안세진

IPC分类号： H01L31/04 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/04 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

摘要： 본 발명은 후면전극을 개량한 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 태양전지 모듈(module)의 뒷면으로 조사되는 빛을 투과시킬 수 있는 후면전극에 관한 것이다. 본 발명은 태양전지의 후면전극의 제조방법에 있어서, 태양전지의 투명기판(100) 위에 몰리브덴(Mo)층(200)을 형성시키는 단계(s1000); 상기 몰리브덴(Mo)층을 패터닝(patterning)하는 단계(s2000); 투명기판(100)과 그 위에 패터닝된 몰리브덴층(200)위에 투명전극층(210)을 형성시키는 단계(s3000); 를 포함하는 것을 특징으로 하는 광투과 후면전극의 제조방법을 제공한다.

摘要翻译： 本发明涉及一种具有改进的背面电极的太阳能电池及其制造方法。 特别地，本发明涉及一种能够发射到太阳能电池组件背面的光的背面电极。 在制造太阳能电池的背面电极的方法中，光透射背面电极的制造方法包括在透明基板（100）上形成Mo层（20）的工序（s1000）。 图案化Mo层的步骤（s2000）; 在透明基板（100）上形成图案的MO层（200）上形成透明电极层（210）的步骤（s3000）。

公开(公告)号：KR101464088B1

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：KR1020130144897

申请日：2013-11-26

申请人： 희성전자 주식회사

发明人： 최호진

IPC分类号： H01L31/04 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02E10/50 ,  H01L31/04 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

摘要： 본 발명은 광전변환소자층의 수광면에 옴 전극층, 씨드 메탈층 및 도금층을 순차적으로 적층하는 방식으로 수행되는 태양전지 전극 형성 방법에 있어서, 상기 광전변환소자층의 상면에 복수의 마스킹 볼을 밀집상태로 배열시키는 단계; 옴 전극층 및 씨드메탈층을 증착시키는 단계; 도금층을 형성하는 단계; 및 상기 마스킹 볼을 제거시키는 단계를 포함하는 태양전지 전극 형성 방법과, 이러한 방법에 의해 형성되는 전극의 종단면 형상이 상부로 테이퍼진 것을 특징으로 하는 태양전지 전극 구조에 대해 개시한다. 이러한 태양전지 전극 형성 방법은 반복적인 포토리소그래피, 식각 및 증착 공정을 생략함으로써 공정시간 및 비용을 절감할 수 있으며, 상기 전극 구조는 전극의 상방향에 입사하는 태양광을 광전소자층으로 유도함으로써 광전변환효율을 향상시킬 수 있다.

摘要翻译： 在通过在光电转换器件层的光接收表面上依次层叠欧姆电极层，种子金属层和镀层来形成太阳能电池的电极的方法中，形成太阳能电池的电极的方法 包括在光电转换装置层的上表面上紧密排列掩蔽球的步骤; 沉积欧姆电极层和种子金属层的步骤; 形成镀层的步骤; 以及去除掩蔽球的步骤，以及通过该方法形成的电极的垂直截面呈向上和锥形的太阳能电池的电结构。 通过省略重复光刻，蚀刻和沉积工艺，形成太阳能电池电极的方法可以节省加工时间和成本。 电极结构在光电器件层的上方引起入射的太阳光，从而提高光电转换效率。

公开(公告)号：KR101483254B1

公开(公告)日：2015-01-15

申请号：KR1020130082617

申请日：2013-07-15

申请人： 한국생산기술연구원

发明人： 김태원 ,  오익현 ,  박재철 ,  박현국 ,  김호성

IPC分类号： H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02E10/50 ,  H01L31/18 ,  H01L31/04

摘要： 이 발명은 CIGS(Copper, Indium, Gallium and Selenide) 박막 태양전지의 광흡수층 형성을 위한 스퍼터링 타겟용 4성분계 셀렌화합물 소결체의 제조방법으로서, 2성분계 셀렌화합물(Cu
2 Se, In
2 Se
3 , Ga
2 Se
3 )의 분말을 화학양론적 조성비로 혼합해 4성분계 셀렌화합물(Cu
y In
1-X Ga
X Se
2 )의 분말을 형성하는 단계와, 상기 4성분계 셀렌화합물의 분말을 소결 몰드에 삽입한 후 상기 소결 몰드를 소결 챔버에 장착하는 단계, 및 상기 4성분계 셀렌화합물의 분말을 방전플라즈마 분위기에서 소결해 4성분계 셀렌화합물 소결체를 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이 발명은 2성분계 분말 또는 4성분계 분말을 방전플라즈마 소결법을 이용하여 셀렌화공정이 필요 없는 스퍼터링 타겟용 4성분계 셀렌화합물 소결체를 제조할 수 있는 장점이 있다.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于制造溅射靶的四组分硒化合物烧结体的方法，以形成CIGS（铜，铟，镓和硒化物）薄膜太阳能电池的光吸收层，包括以下步骤： 通过以化学计量比混合双组分硒化合物（Cu_2Se，In_2_Se_3，Ga_2_Se_3）的粉末，形成四组分硒化合物（Cu_y_In_1-X_Ga_X_Se_2）的粉末; 将四组分硒基化合物的粉末插入烧结模具中之后，在烧结室中安装烧结模具; 并通过在放电等离子体烧结模式中烧结四组分硒基化合物的粉末来制造四组分硒化合物烧结体。 因此，可以通过使用双组分基粉末或四组分基粉末并且使用放电等离子体烧结方法而不需要硒化物工艺来制造用于溅射靶的四组分硒基复合烧结体。

公开(公告)号：KR1020150002554A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：KR1020140156206

申请日：2014-11-11

申请人： 주성엔지니어링(주)

发明人： 강형동 ,  조원태

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/04

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  H01L31/04

摘要： 본 발명은 기판 이송 라인 상에 인라인으로 배치된 전면전극층 형성 장비, 광전변환부 형성 장비, 후면전극층 형성 장비, 및 레이저 스크라이빙 장비를 이용하여 박막형 태양전지를 제조하는 방법에 있어서, 상기 제조 방법은, 기판을 상기 전면전극층 형성 장비로 이송하여 상기 기판 상에 전면전극층을 형성하는 공정; 상기 기판을 상기 기판 이송 라인을 따라 상기 광전변환부 형성 장비로 이송하여 상기 전면전극층 상에 광전변환부를 형성하는 공정; 상기 기판을 상기 기판 이송 라인을 따라 상기 후면전극층 형성 장비로 이송하여 상기 광전변화부 상에 후면전극층을 형성하는 공정; 및 상기 기판을 상기 기판 이송 라인을 따라 상기 레이저 스크라이빙 장비로 이송하여 제1 분리부, 콘택부, 및 제2 분리부를 형성하는 공정을 포함하여 이루어진 박막형 태양전지의 제조방법을 제공한다.

摘要翻译： 本发明涉及使用前电极层形成装置，光电转换单元形成装置，背电极层形成装置和布置在基板输送线上的激光划片装置的薄膜型太阳能电池的制造方法， 一致。 该制造方法提供了薄膜型太阳能电池的制造方法， 通过将基板转印到前电极层形成装置，在基板上形成前电极层的步骤; 在通过将基板沿着基板输送线转印到光电转换单元形成装置而形成的前电极层上形成光电转换单元的工序; 通过沿着基板输送线将基板转印到背面电极层形成装置，在光电转换单元上形成背面电极层的步骤; 通过沿着基板输送线将基板转印到激光划线装置，形成第一分离单元，接触单元和第二分离单元的步骤。

公开(公告)号：KR1020140145261A

公开(公告)日：2014-12-23

申请号：KR1020130067313

申请日：2013-06-12

申请人： 주식회사 이엠테크

发明人： 이홍 ,  이황진

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/04

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

摘要： 박막형 태양전지 기판의 박막층 상에 형성된 제1 패터닝 라인을 따라 제2 및 제3 패터닝 라인을 형성하는 방법이 개시된다. 개시된 방법은, 상기 제1 패터닝 라인 상에 복수개의 영상 인식점들을 설정하는 단계와, 상기 영상 인식점들의 위치값을 사용하여 상기 제1 패터닝 라인의 영상을 취득하는 단계와, 상기 영상이 취득된 제1 패터닝 라인에 평행하게 상기 제2 및 제3 패터닝 라인을 형성하는 단계를 포함한다.

摘要翻译： 公开了沿着形成在薄膜太阳能电池基板的薄膜层上的第一图案线形成第二图案线和第三图案线的方法。 所公开的方法包括以下步骤：在第一图案线上设置多个图像识别点; 使用图像识别点的位置值获得第一图案线的图像; 以及与获得图像的第一图案线平行地形成第二图案线和第三图案线。

公开(公告)号：KR1020140145260A

公开(公告)日：2014-12-23

申请号：KR1020130067312

申请日：2013-06-12

申请人： 주식회사 이엠테크

发明人： 이홍 ,  이황진

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/04

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

摘要： 기판의 박막층 상에 마련되어 상기 박막층을 선택적으로 제거하는 박막형 태양전지 제조용 선택적 박막 제거 장치가 제공된다. 상기 선택적 박막 제거 장치는, 박막층에 접촉하여 이동함으로써 일정한 폭으로 박막 제거 라인을 형성하는 것으로 그 선단면이 다각형 형상을 가지며 회전가능하게 마련되는 적어도 하나의 박막 제거 공구와, 상기 박막 제거 공구를 상하 이동시키며 상기 박막 제거 공구가 상기 박막층에 가하는 압력을 일정하게 하게 유지시키는 엑츄에이터;를 포함한다.

摘要翻译： 提供一种用于制造薄膜太阳能电池的选择性薄膜去除装置，其形成在基板的薄膜层上并选择性地去除薄膜层。 选择性薄膜去除装置包括至少一个通过与薄膜层接触移动而形成具有恒定宽度的薄膜去除线的薄膜去除工具，其具有多边形形状的前端并被旋转地形成， 致动器，其通过垂直移动薄膜去除工具来不断地保持从薄膜去除工具施加到薄膜层的压力。

公开(公告)号：KR1020140144391A

公开(公告)日：2014-12-19

申请号：KR1020130066155

申请日：2013-06-10

申请人： 엘지전자 주식회사

发明人： 박현정 ,  이진형 ,  심구환 ,  하정민 ,  최영호 ,  장재원

IPC分类号： H01L31/04 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/04 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

摘要： 본 발명은 태양전지의 제조 방법에 관한 것으로, 본 실시예의 제조 방법은 제1 도전성 타입을 갖는 기판의 후면(back surface) 일부 영역에 상기 제1 도전성 타입의 불순물을 함유하는 도펀트 페이스트를 도포하는 도펀트 페이스트 도포 단계; 도펀트 페이스트의 불순물을 열 확산법을 이용하여 기판의 후면으로 확산시켜, 기판의 후면에 국부적 후면 전계부(LBSF; local back surface field)를 형성하는 국부적 후면 전계부 형성 단계; 제1 도전성 타입의 반대인 제2 도전성 타입의 불순물을 함유하는 에미터부를 이온 주입법을 이용하여 기판의 전면(front surface)에 형성하는 에미터부 형성 단계; 및 에미터부와 연결된 전면 전극부 및 국부적 후면 전계부와 연결된 후면 전극부를 형성하는 전극부 형성 단계를 포함한다.

摘要翻译： 本发明涉及太阳能电池的制造方法。 本实施方式的制造方法包括：向第一导电型基板的背面的一部分涂布含有第一导电型杂质的掺杂剂浆料的掺杂剂浆料涂敷工序; 局部背面电场部分形成步骤，通过使用热扩散部分在衬底的背面扩散掺杂剂浆料的杂质，并在衬底的背面形成局部背面场（LBSF）; 发射部分形成步骤，通过使用离子注入法在基板的前表面上形成包含与第一导电类型杂质相反的第二导电类型杂质的发射部分; 以及电极部形成步骤，形成连接到发射器部分的前表面电极部分和连接到局部背面的后表面电极部分。