A/D 변환기, 이미지 센서 디바이스 및 아날로그 신호로부터 디지털 신호를 생성하는 방법

    公开(公告)号:KR101743800B1

    公开(公告)日:2017-06-05

    申请号:KR1020137021590

    申请日:2012-02-17

    Abstract: 적분형 A/D 변환과, 그잔차아날로그신호에대한순회형 A/D 변환을행하는 A/D 변환기를싱글엔드구성에의해실현하는것을목적으로한다. A/D 변환기에의하면, 동일한회로구성에있어서의동작순서의제어에의해, 적분형 A/D 변환을행하기위한제1의 A/D 변환동작과순회형 A/D 변환을행하기위한제2의 A/D 변환동작이실현된다. 또, 제1의 A/D 변환동작에있어서, 출력신호의적분에이용되는캐패시터의용량은입력아날로그신호및 기준참조전압의격납에이용되는캐패시터의용량보다크기때문에, 적분형 A/D 변환에있어서입력되는아날로그신호는그 용량비에따라감쇠되어샘플링및 적분된다. 이런이유로적분형 A/D 변환에있어서출력되는아날로그신호의전압범위도캐패시터의용량비에따라작아지므로, 싱글엔드구성에의해 A/D 변환기를구성할수 있다.

    센서 집적 회로
    4.
    发明授权
    센서 집적 회로 有权
    传感器集成电路

    公开(公告)号:KR101271303B1

    公开(公告)日:2013-06-04

    申请号:KR1020117022164

    申请日:2010-04-16

    CPC classification number: H04N5/378 H04N5/3575 H04N5/3745

    Abstract: 센서 회로로부터 신호 처리 회로로의 신호 전달 시간을 최종값의 정확도를 손상시키는 일이 없이 단축 가능한 센서 집적 회로를 제공한다. 센서 회로(13)는 출력 저항 Rs를 가지고, 신호선(19)에 접속된 출력(13a)과 이미지 센서용의 화소(21)를 포함한다. 신호 처리 회로(15a)는 센서 회로(13)의 출력에 신호선(19)을 통해 접속된다. 신호 처리 회로(15a)는 제1의 입력 용량값을 가지는 입력(16a)을 포함하고, 센서 회로(13)로부터 신호선(19)을 통해 받은 신호를 처리한다. 충전 회로(17)는 신호선(19)에 접속된 출력(17a), 입력(17b)을 포함한다. 출력(17a)의 출력 저항 R2는 출력 저항 Rs보다 작고, 입력(17b)의 입력 용량값은 제1의 입력 용량값보다 작다. 충전 회로(17)는 입력(17b)에서의 전위 V
    COL 에 응답하여 출력(17a)을 통해 신호선(19)에의 충전을 개시하고, 구동 기간 T
    DRV 의 종점의 시각 t1의 전의 시각 t2에 충전을 종료한다.

    광정보 취득 소자, 광정보 취득 소자 어레이 및 하이브리드형 고체 촬상 장치
    5.
    发明公开
    광정보 취득 소자, 광정보 취득 소자 어레이 및 하이브리드형 고체 촬상 장치 有权
    光学信息获取元件,获取元件阵列的光学信息和混合固态图像拾取器件

    公开(公告)号:KR1020120114359A

    公开(公告)日:2012-10-16

    申请号:KR1020127021443

    申请日:2011-02-04

    Abstract: p형의 반도체층(31); 반도체층(31)과 포토 다이오드를 구성하도록 반도체층(31)에 매립된 n형의 표면 매립 영역(33); 표면 매립 영역(33)에 매립되고, 포토 다이오드가 생성한 전하를 축적하는 n형의 전하 축적 영역(36); 표면 매립 영역(33)에 매립되고, 반도체층(31)와 함께 표면 매립 영역(33)을 사이에 끼움으로써 전위 장벽을 형성하는 p형의 장벽 형성 영역; 및 반도체층(31)에 매립되고, 전위 장벽을 넘어 전하 축적 영역(36)으로부터 유출된 과잉의 전하를 저장하여 추출하는 n형의 전하 배출 영역(34)을 포함하고, 광통신 신호를 수신하여, 전하 축적 영역(36)의 전위의 변화를 신호로서 인출함으로써, 광이 생성한 전자를 고속으로 전송하는 광정보 취득 소자, 광정보 취득 소자 어레이, 고속으로 화상 취득과 광통신에 의한 정보 취득을 행하는 하이브리드형 고체 촬상 장치를 제공한다.

    반도체 소자 및 고체 촬상 장치
    6.
    发明公开
    반도체 소자 및 고체 촬상 장치 有权
    半导体元件和固态图像拾取器件

    公开(公告)号:KR1020120060915A

    公开(公告)日:2012-06-12

    申请号:KR1020127012043

    申请日:2010-10-07

    CPC classification number: H01L27/14609 H01L27/14612 H01L27/14689 H04N5/3597

    Abstract: p형의 기체 영역(21), 기체 영역(21)과 포토 다이오드(D1)를 구성하도록 기체 영역(21)의 상부의 일부에 매립되어 제1 퍼텐셜 골(PW1)을 형성하는 n형의 전하 생성 매립 영역(23), 전하 생성 매립 영역(23)으로부터 이격되어 매립되고, 제1 퍼텐셜 골(PW1)보다 깊은 제2 퍼텐셜 골(PW2)을 형성하는 n형의 축적 영역(24), 전하 생성 매립 영역(23)과 축적 영역(24) 사이에 설치된 전송 게이트 절연막(33), 전송 게이트 절연막(33) 상에 설치되고, 전하 생성 매립 영역(23)과 축적 영역(24) 사이의 기체 영역(21)에 형성되는 전송 채널의 전위를 제어하는 전송 게이트 전극(31), 전송 채널 중에, 단차상 퍼텐셜 형상을 이루는 전자 셔터용 전위 장벽을 형성하는 계단 퍼텐셜 형성 수단을 구비하고, 전하의 완전 전송을 실현할 수 있고, 충분한 축적 전자 수를 확보할 수 있는 반도체 소자 및 고체 촬상 장치를 제공한다.

    반도체 소자 및 고체 촬상 장치
    7.
    发明公开
    반도체 소자 및 고체 촬상 장치 有权
    半导体元件和固态成像器件

    公开(公告)号:KR1020120060912A

    公开(公告)日:2012-06-12

    申请号:KR1020127011439

    申请日:2010-10-05

    Abstract: A solid-state imaging device, in which the transfer efficiency of charges is good, and the structure of the pixel is simple, and a high resolution and a high-speed operation are possible is disclosed, which encompasses a semiconductor region (21) of p-type; a buried region (23) of n-type, configured to serve as a photodiode together with the semiconductor region (21); a extraction region of n-type, configured to extract charges generated by the photodiode from the buried region (23), having higher impurity concentration than the buried region (23); a read-out region (28) of n-type, configured to accumulate charges, which are transferred from the buried region (23) having higher impurity concentration than the buried region (23); and a potential gradient changing means (31, 32), configured to control a potential of the channel, and to change a potential gradient of a potential profile from the buried region (23) to the read-out region (28) and a potential gradient of a potential profile from the buried region (23) to the extraction region, so as to control the transferring/ extraction of charges.

    수술 지원 장치, 방법 및 프로그램
    8.
    发明公开
    수술 지원 장치, 방법 및 프로그램 失效
    操作支持的设备,方法和程序

    公开(公告)号:KR1020070004074A

    公开(公告)日:2007-01-05

    申请号:KR1020067022552

    申请日:2005-03-29

    CPC classification number: A61B8/08 A61B8/0816 A61B8/4416

    Abstract: In an operation supporting device and method, a three-dimensional model of a region to be operated is created based on highly fine laminograms of the region taken before an operation, the surface of the region is optically measured in the operation, and a first positional information representing the three-dimensional position of each place on the surface of the region is obtained. Then, a non- exposed portion of the region to be operated is measured by an ultrasonic wave to obtain a second information representing the three-dimensional position of each place of the non-exposed portion of the region. Further, based on the first positional information and the second positional information, displacement and deformation of the each place of the region to be operated are estimated using the created three-dimensional model. Then, according to the estimated displacement and deformation of the each place of the region, the highly fine laminograms of the region taken before the operation are corrected, and the corrected laminograms are displayed. ® KIPO & WIPO 2007

    Abstract translation: 在操作支持装置和方法中,基于在操作之前拍摄的区域的高度精细的laminograms来创建要操作的区域的三维模型,在操作中光学地测量区域的表面,并且第一位置 获得表示该区域表面的各位置的三维位置的信息。 然后,通过超声波测量要操作的区域的未曝光部分,以获得表示区域的未曝光部分的每个位置的三维位置的第二信息。 此外,基于第一位置信息和第二位置信息,使用所创建的三维模型来估计要操作的区域的每个位置的位移和变形。 然后,根据该区域的每个位置的估计的位移和变形,校正在操作之前拍摄的区域的高精细的laminograms,并且显示校正的laminograms。 ®KIPO&WIPO 2007

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