公开(公告)号：KR102042328B1

公开(公告)日：2019-11-07

申请号：KR1020177031334

申请日：2016-03-31

Applicant: 고쿠리츠 다이가꾸 호우진 시즈오까 다이가꾸

Inventor： 가와히토쇼지

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/361 ,  H04N5/369 ,  H04N5/3745 ,  G01S7/481 ,  H01L31/10

公开(公告)号：KR101596796B1

公开(公告)日：2016-02-23

申请号：KR1020117008619

申请日：2009-09-18

Applicant: 고쿠리츠 다이가꾸 호우진 시즈오까 다이가꾸

Inventor： 가와히토쇼지 ,  다카이이사무 ,  안도미치노리

IPC: H04B10/00 ,  H04B10/11 ,  H01L27/146

CPC classification number: H04N5/378 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14643 ,  H04N5/35518 ,  H04N5/374

Abstract: 본발명은, 센서어레이를구성하는적어도하나이상의셀(X)이, 신호전하를생성하여축적하는광전변환축적소자(9), 이광전변환축적소자(9)가생성한신호전하를전위의변화로서검출하는전위검출회로(14), 전위의변화를증폭하여출력신호선(B)에출력하는증폭회로(15), 증폭회로(15)와출력신호선(B)과의사이에설치된선택회로(19)를구비한다. 광전변환축적소자(9)와전위검출회로(14)는제1 전위단자(T1)와제2 전위단자(T2) 사이에직렬로접속된다. 전위검출회로(14)가, 광통신신호의수신시에, 전위의변화를약반전상태로검출하는절연게이트형트랜지스터(Tr14)를가진다.

公开(公告)号：KR1020140006885A

公开(公告)日：2014-01-16

申请号：KR1020137021590

申请日：2012-02-17

Applicant: 고쿠리츠 다이가꾸 호우진 시즈오까 다이가꾸

Inventor： 가와히토쇼지

IPC: H03M1/14

CPC classification number: H03M1/18 ,  H03M1/162 ,  H03M1/403 ,  H03M1/56 ,  H03M3/39 ,  H03M3/46 ,  H04N5/378

Abstract: 적분형 A/D 변환과, 그 잔차 아날로그 신호에 대한 순회형 A/D 변환을 행하는 A/D 변환기를 싱글 엔드 구성에 의해 실현하는 것을 목적으로 한다. A/D 변환기에 의하면, 동일한 회로 구성에 있어서의 동작 순서의 제어에 의해, 적분형 A/D 변환을 행하기 위한 제1의 A/D 변환 동작과 순회형 A/D 변환을 행하기 위한 제2의 A/D 변환 동작이 실현된다. 또, 제1의 A/D 변환 동작에 있어서, 출력 신호의 적분에 이용되는 캐패시터의 용량은 입력 아날로그 신호 및 기준 참조 전압의 격납에 이용되는 캐패시터의 용량보다 크기 때문에, 적분형 A/D 변환에 있어서 입력되는 아날로그 신호는 그 용량비에 따라 감쇠되어 샘플링 및 적분된다. 이런 이유로 적분형 A/D 변환에 있어서 출력되는 아날로그 신호의 전압 범위도 캐패시터의 용량비에 따라 작아지므로, 싱글 엔드 구성에 의해 A/D 변환기를 구성할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020110122199A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：KR1020117022164

申请日：2010-04-16

Applicant: 고쿠리츠 다이가꾸 호우진 시즈오까 다이가꾸

Inventor： 가와히토쇼지

IPC: H04N5/374 ,  H04N1/028

CPC classification number: H04N5/378 ,  H04N5/3575 ,  H04N5/3745

Abstract: 센서 회로로부터 신호 처리 회로로의 신호 전달 시간을 최종값의 정확도를 손상시키는 일이 없이 단축 가능한 센서 집적 회로를 제공한다. 센서 회로(13)는 출력 저항 Rs를 가지고, 신호선(19)에 접속된 출력(13a)과 이미지 센서용의 화소(21)를 포함한다. 신호 처리 회로(15a)는 센서 회로(13)의 출력에 신호선(19)을 통해 접속된다. 신호 처리 회로(15a)는 제1의 입력 용량값을 가지는 입력(16a)을 포함하고, 센서 회로(13)로부터 신호선(19)을 통해 받은 신호를 처리한다. 충전 회로(17)는 신호선(19)에 접속된 출력(17a), 입력(17b)을 포함한다. 출력(17a)의 출력 저항 R2는 출력 저항 Rs보다 작고, 입력(17b)의 입력 용량값은 제1의 입력 용량값보다 작다. 충전 회로(17)는 입력(17b)에서의 전위 V
COL 에 응답하여 출력(17a)을 통해 신호선(19)에의 충전을 개시하고, 구동 기간 T
DRV 의 종점의 시각 t1의 전의 시각 t2에 충전을 종료한다.

公开(公告)号：KR1020110044862A

公开(公告)日：2011-05-02

申请号：KR1020117002911

申请日：2009-07-30

Applicant: 고쿠리츠 다이가꾸 호우진 시즈오까 다이가꾸

Inventor： 가와히토쇼지

IPC: G01S17/10 ,  G01S17/89 ,  H04N5/225 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14603 ,  G01S7/4863 ,  G01S17/10 ,  G01S17/89 ,  H01L31/02024 ,  H04N5/341 ,  H04N13/254

Abstract: 거리 분해능의 저하없이 거리 계측 범위를 확대 가능한 거리 화상 센서를 제공한다. 방사원(13)은 시간축 상에 차례로 배열된 제1~ 제5의 프레임에 있어서 대상물에 조사되는 제1~ 제5의 펄스 P
T1 ~P
T5 의 열을 방사 펄스로서 제공한다. 프레임의 각각에서는 촬상 시각 T
PU1 ~T
PU5 는 각 프레임의 시점으로부터 소정의 시간 △T
PD 의 위치에 규정되고, 또 펄스 P
T1 ~P
T5 가 각각 제1~ 제5의 프레임의 시점으로부터 서로 다른 변위량으로 변위된다. 5개의 프레임의 각각에 있어서의 촬상 윈도우 A, B를 이용하여 화소 어레이(23)는 서로 다른 거리 범위의 대상물의 거리 정보를 가지는 요소 화상 신호 S
E1 ~S
E5 를 생성한다. 처리 장치(17)는 이들을 합성하여 화상 신호 S
IMAGE 를 생성한다. 5회의 비행시간 측정의 것을 이용하므로 넓은 거리 범위의 대상물의 거리 정보를 얻기 위해서 방사 펄스의 폭을 넓힐 필요가 없고 거리 분해능이 저하하지 않는다.

Abstract translation: 提供一种能够在不降低距离分辨率的情况下扩展距离测量范围的距离图像传感器。 放射线源13在时间轴上按顺序排列的第一至第五帧中的被照射到对象的第一至第五脉冲P（i = 1至5）照射对象，

公开(公告)号：KR101743800B1

公开(公告)日：2017-06-05

申请号：KR1020137021590

申请日：2012-02-17

Applicant: 고쿠리츠 다이가꾸 호우진 시즈오까 다이가꾸

Inventor： 가와히토쇼지

IPC: H03M1/14

CPC classification number: H03M1/18 ,  H03M1/162 ,  H03M1/403 ,  H03M1/56 ,  H03M3/39 ,  H03M3/46 ,  H04N5/378

Abstract: 적분형 A/D 변환과, 그잔차아날로그신호에대한순회형 A/D 변환을행하는 A/D 변환기를싱글엔드구성에의해실현하는것을목적으로한다. A/D 변환기에의하면, 동일한회로구성에있어서의동작순서의제어에의해, 적분형 A/D 변환을행하기위한제1의 A/D 변환동작과순회형 A/D 변환을행하기위한제2의 A/D 변환동작이실현된다. 또, 제1의 A/D 변환동작에있어서, 출력신호의적분에이용되는캐패시터의용량은입력아날로그신호및 기준참조전압의격납에이용되는캐패시터의용량보다크기때문에, 적분형 A/D 변환에있어서입력되는아날로그신호는그 용량비에따라감쇠되어샘플링및 적분된다. 이런이유로적분형 A/D 변환에있어서출력되는아날로그신호의전압범위도캐패시터의용량비에따라작아지므로, 싱글엔드구성에의해 A/D 변환기를구성할수 있다.

公开(公告)号：KR101271303B1

公开(公告)日：2013-06-04

申请号：KR1020117022164

申请日：2010-04-16

Applicant: 고쿠리츠 다이가꾸 호우진 시즈오까 다이가꾸

Inventor： 가와히토쇼지

IPC: H04N5/374 ,  H04N1/028

CPC classification number: H04N5/378 ,  H04N5/3575 ,  H04N5/3745

Abstract: 센서 회로로부터 신호 처리 회로로의 신호 전달 시간을 최종값의 정확도를 손상시키는 일이 없이 단축 가능한 센서 집적 회로를 제공한다. 센서 회로(13)는 출력 저항 Rs를 가지고, 신호선(19)에 접속된 출력(13a)과 이미지 센서용의 화소(21)를 포함한다. 신호 처리 회로(15a)는 센서 회로(13)의 출력에 신호선(19)을 통해 접속된다. 신호 처리 회로(15a)는 제1의 입력 용량값을 가지는 입력(16a)을 포함하고, 센서 회로(13)로부터 신호선(19)을 통해 받은 신호를 처리한다. 충전 회로(17)는 신호선(19)에 접속된 출력(17a), 입력(17b)을 포함한다. 출력(17a)의 출력 저항 R2는 출력 저항 Rs보다 작고, 입력(17b)의 입력 용량값은 제1의 입력 용량값보다 작다. 충전 회로(17)는 입력(17b)에서의 전위 V
COL 에 응답하여 출력(17a)을 통해 신호선(19)에의 충전을 개시하고, 구동 기간 T
DRV 의 종점의 시각 t1의 전의 시각 t2에 충전을 종료한다.

公开(公告)号：KR1020120114359A

公开(公告)日：2012-10-16

申请号：KR1020127021443

申请日：2011-02-04

Applicant: 고쿠리츠 다이가꾸 호우진 시즈오까 다이가꾸

Inventor： 가와히토쇼지

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/1443 ,  H01L27/14656 ,  H04N5/3745

Abstract: p형의 반도체층(31); 반도체층(31)과 포토 다이오드를 구성하도록 반도체층(31)에 매립된 n형의 표면 매립 영역(33); 표면 매립 영역(33)에 매립되고, 포토 다이오드가 생성한 전하를 축적하는 n형의 전하 축적 영역(36); 표면 매립 영역(33)에 매립되고, 반도체층(31)와 함께 표면 매립 영역(33)을 사이에 끼움으로써 전위 장벽을 형성하는 p형의 장벽 형성 영역; 및 반도체층(31)에 매립되고, 전위 장벽을 넘어 전하 축적 영역(36)으로부터 유출된 과잉의 전하를 저장하여 추출하는 n형의 전하 배출 영역(34)을 포함하고, 광통신 신호를 수신하여, 전하 축적 영역(36)의 전위의 변화를 신호로서 인출함으로써, 광이 생성한 전자를 고속으로 전송하는 광정보 취득 소자, 광정보 취득 소자 어레이, 고속으로 화상 취득과 광통신에 의한 정보 취득을 행하는 하이브리드형 고체 촬상 장치를 제공한다.

公开(公告)号：KR1020120060915A

公开(公告)日：2012-06-12

申请号：KR1020127012043

申请日：2010-10-07

Applicant: 고쿠리츠 다이가꾸 호우진 시즈오까 다이가꾸

Inventor： 가와히토쇼지 ,  야스토미게이타

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/374

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14689 ,  H04N5/3597

Abstract: p형의 기체 영역(21), 기체 영역(21)과 포토 다이오드(D1)를 구성하도록 기체 영역(21)의 상부의 일부에 매립되어 제1 퍼텐셜 골(PW1)을 형성하는 n형의 전하 생성 매립 영역(23), 전하 생성 매립 영역(23)으로부터 이격되어 매립되고, 제1 퍼텐셜 골(PW1)보다 깊은 제2 퍼텐셜 골(PW2)을 형성하는 n형의 축적 영역(24), 전하 생성 매립 영역(23)과 축적 영역(24) 사이에 설치된 전송 게이트 절연막(33), 전송 게이트 절연막(33) 상에 설치되고, 전하 생성 매립 영역(23)과 축적 영역(24) 사이의 기체 영역(21)에 형성되는 전송 채널의 전위를 제어하는 전송 게이트 전극(31), 전송 채널 중에, 단차상 퍼텐셜 형상을 이루는 전자 셔터용 전위 장벽을 형성하는 계단 퍼텐셜 형성 수단을 구비하고, 전하의 완전 전송을 실현할 수 있고, 충분한 축적 전자 수를 확보할 수 있는 반도체 소자 및 고체 촬상 장치를 제공한다.

公开(公告)号：KR1020120060912A

公开(公告)日：2012-06-12

申请号：KR1020127011439

申请日：2010-10-05

Applicant: 고쿠리츠 다이가꾸 호우진 시즈오까 다이가꾸

Inventor： 가와히토쇼지 ,  사와다도모나리

IPC: H04N5/335 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14609 ,  G01S7/4816 ,  G01S7/4863 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14656 ,  H04N5/359 ,  H04N5/37452 ,  H04N5/378

Abstract: A solid-state imaging device, in which the transfer efficiency of charges is good, and the structure of the pixel is simple, and a high resolution and a high-speed operation are possible is disclosed, which encompasses a semiconductor region (21) of p-type; a buried region (23) of n-type, configured to serve as a photodiode together with the semiconductor region (21); a extraction region of n-type, configured to extract charges generated by the photodiode from the buried region (23), having higher impurity concentration than the buried region (23); a read-out region (28) of n-type, configured to accumulate charges, which are transferred from the buried region (23) having higher impurity concentration than the buried region (23); and a potential gradient changing means (31, 32), configured to control a potential of the channel, and to change a potential gradient of a potential profile from the buried region (23) to the read-out region (28) and a potential gradient of a potential profile from the buried region (23) to the extraction region, so as to control the transferring/ extraction of charges.