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公开(公告)号:KR101913879B1
公开(公告)日:2018-10-31
申请号:KR1020137019817
申请日:2011-12-23
CPC分类号: G21C21/02 , B22F9/20 , B22F2999/00 , C22C1/04 , C22C28/00 , C22C43/00 , G21C3/60 , Y02E30/35 , Y02E30/38 , B22F2201/04 , B22F2201/05 , B22F2202/15
摘要: 본발명은하기단계들 a) 내지 d)를포함하는준안정성γ 상의우라늄및 몰리브덴계합금분말의제조방법에관한것이다: a) 우라늄산화물및 그의혼합물, 우라늄불화물및 그의혼합물로부터선택된적어도하나의제 1 시약을몰리브덴으로이루어지는제 2 시약및 환원금속으로이루어지는제 3 시약과접촉시키는단계로, 상기제 1, 제 2 및제 3 시약들은분리된형태로존재하는단계; b) 접촉된시약을제 3 시약의용융온도이상(≥)의온도및 불활성분위기하에서반응시키는단계로, 이에의하여이 반응은분말형태의우라늄및 몰리브덴을포함하는합금의형성을일으키고, 이분말의입자들은환원금속의산화물또는불화물의층으로덮혀있는것인단계; c) 이렇게형성된분말을적어도 450℃/시의속도로냉각시키는단계; 및 d) 우라늄및 몰리브덴을포함하는합금의분말을덮고있는환원금속의산화물또는불화물층을제거하는단계. 본발명은또한이 방법을이용한핵 연료의제조방법에도관한것이다. 적용: 특히 MRT용, 핵연료의제조.
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公开(公告)号:KR1020130043098A
公开(公告)日:2013-04-29
申请号:KR1020127025982
申请日:2011-03-04
发明人: 부스티조엘 , 갈리베흐안느마리도미니끄 , 로히지끄르드브하프랑수아즈 , 숄레크후글레흐마린느 , 토마지소피
IPC分类号: C07D307/33 , A61K31/365 , C07D307/36
CPC分类号: C07D307/68 , A61K31/365 , A61K2300/00
摘要: 본 발명은 피부 및/또는 이의 부속기관의 색소침착을 자극하는데 사용하기 위한 프로토리체스테린산 또는 이의 염 또는 이의 부분입체이성질체 또는 이의 유도체, 및 리체스테린산 또는 이의 염 또는 이의 입체이성질체 또는 이의 유도체를 포함하는 혼합물에 관한 것이다. 본 발명은 또한 화학식(A)의 리체스테린산의 유도체에 관한 것이다.
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公开(公告)号:KR1020160136295A
公开(公告)日:2016-11-29
申请号:KR1020167023158
申请日:2015-02-24
发明人: 악케르만조르그 , 마르게아트올리비에르 , 히슬러무리엘 , 보우이트피에르안토니에
CPC分类号: C09K11/02 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C07F9/65685 , C09K11/025 , C09K11/06 , C09K11/54 , C09K2211/1007 , C09K2211/1096 , H01L51/00 , H01L51/0071 , H01L51/441 , H01L51/5004 , H01L51/502 , H01L2251/305 , H01L2251/552 , H05B33/14 , Y10S977/774 , Y10S977/89 , Y10S977/95
摘要: 무기제1의화합물; 및제1의응집-유도된방출잔기를포함하는적어도하나의제2의화합물을포함하는적어도하나의무기나노재료를포함하는발광성하이브리드나노재료가기재되어있으며, 여기서적어도하나의제2의화합물은상기무기제1의화합물의표면의적어도일부분에그래프팅되어있다.
摘要翻译: 一种发光混合纳米材料,包括:至少一种包含无机第一化合物的无机纳米材料; 和至少一种包含第一聚集诱发的发射部分的第二化合物,其中所述至少一种第二化合物接枝在所述无机第一化合物的表面的至少一部分上。
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公开(公告)号:KR1020140045912A
公开(公告)日:2014-04-17
申请号:KR1020137019818
申请日:2011-12-23
CPC分类号: C22C43/00 , B22F1/0055 , B22F9/20 , B22F2998/10 , C22C1/04 , G21C3/60 , Y02E30/35 , Y02E30/38 , B22F1/0088
摘要: 본 발명은 준안정성 γ 상의 우라늄 및 몰리브덴계 합금 분말에 관한 것으로, 이는 신장 지수가 적어도 1.1이고, 0이 아닌 닫힌 기공성 값을 갖고, 동일 그레인 내에서의 몰리브덴 함량에 대한 변화량이 많아야 1질량%인 그레인으로 구성된 입자들로 형성된다.
또한 본 발명은 이러한 합금 분말의 제조를 가능하게 하는 방법 및 상기 분말의 핵연료 및 방사성동위원소 생산을 위한 타겟의 제조에의 용도에도 관한 것이다.
응용분야: 특히 실험용 핵 반응기용, 핵연료; 주로 의약 산업용의, 방사성동위원소 생산을 위한 타겟 제조.-
公开(公告)号:KR1020100075908A
公开(公告)日:2010-07-05
申请号:KR1020107007886
申请日:2008-09-12
申请人: 상뜨로 나쇼날 드 라 러쉐르쉐 샹띠피크 , 위니벨시떼 드 렌 1 , 위니베르시떼 파리 데카르트 , 유니베스티에 드 브르타뉴 오씨덴탈레 , 센트레 호스피탈리에르 유니베르시테르 드 브레스트
IPC分类号: A61K31/52 , A61P35/00 , C07D473/16
CPC分类号: C07D473/16 , A61K31/52
摘要: The invention relates to the use of purine derivatives in the manufacture of a medicament for treating pathological conditions in which an imbalance between cell division and apoptosis is involved, and more particularly in which excessive apoptosis is responsible for the pathological condition. According to the invention, a purine derivative of formula I is used. The invention finds use in the pharmaceutical field.
摘要翻译: 本发明涉及嘌呤衍生物在制备用于治疗涉及细胞分裂和凋亡之间的不平衡的病理状况的药物中的用途,更具体地说,其中过多的细胞凋亡导致病理状况。 根据本发明,使用式I的嘌呤衍生物。 本发明用于制药领域。
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公开(公告)号:KR1020140040093A
公开(公告)日:2014-04-02
申请号:KR1020137019817
申请日:2011-12-23
CPC分类号: G21C21/02 , B22F9/20 , B22F2999/00 , C22C1/04 , C22C28/00 , C22C43/00 , G21C3/60 , Y02E30/35 , Y02E30/38 , B22F2201/04 , B22F2201/05 , B22F2202/15
摘要: 본 발명은 하기 단계들 a) 내지 d)를 포함하는 준안정성 γ 상의 우라늄 및 몰리브덴계 합금 분말의 제조방법에 관한 것이다:
a) 우라늄 산화물 및 그의 혼합물, 우라늄 불화물 및 그의 혼합물로부터 선택된 적어도 하나의 제 1 시약을 몰리브덴으로 이루어지는 제 2 시약 및 환원 금속 으로 이루어지는 제 3 시약과 접촉시키는 단계로, 상기 제 1, 제 2 및 제 3 시약들은 분리된 형태로 존재하는 단계;
b) 접촉된 시약을 제 3 시약의 용융 온도 이상(≥)의 온도 및 불활성 분위기 하에서 반응시키는 단계로, 이에 의하여 이 반응은 분말 형태의 우라늄 및 몰리브덴을 포함하는 합금의 형성을 일으키고, 이 분말의 입자들은 환원 금속의 산화물 또는 불화물의 층으로 덮혀있는 것인 단계;
c) 이렇게 형성된 분말을 적어도 450℃/시의 속도로 냉각시키는 단계; 및
d) 우라늄 및 몰리브덴을 포함하는 합금의 분말을 덮고 있는 환원 금속의 산화물 또는 불화물 층을 제거하는 단계.
본 발명은 또한 이 방법을 이용한 핵 연료의 제조방법에도 관한 것이다.
적용: 특히 MRT용, 핵 연료의 제조.-
公开(公告)号:KR1020120133146A
公开(公告)日:2012-12-10
申请号:KR1020110051668
申请日:2011-05-30
申请人: 삼성전자주식회사 , 위니벨시떼 드 렌 1
CPC分类号: G02F1/05 , G02F1/19 , G02F1/21 , G02F2001/213 , G02F2201/501 , G02F1/03 , G02F1/0305 , G02F1/0311
摘要: PURPOSE: An optical image shutter and a manufacturing method thereof are provided to improve yield by forming a holophotal thin film layer by using a transparent substrate. CONSTITUTION: A refractive index of a holophotal thin film layer(14) is changed by electric field. A holophotal thin film layer is formed between a first electrode and a second electrode(12,15). A conductivity preventing layer(13) is arranged in at least one region between the first electrode and the holophotal thin film layer and between the second electrode and the holophotal thin film. The conductivity preventing layer prevents current from flowing into the conductivity preventing layer. [Reference numerals] (AA) Light path; (BB,EE) Incidence; (CC,FF) Transmission; (DD) Stack direction
摘要翻译: 目的:提供一种光学图像快门及其制造方法,以通过使用透明基板形成凹凸薄膜层来提高产量。 构成:通过电场改变凹凸薄膜层(14)的折射率。 在第一电极和第二电极(12,15)之间形成一个顶点薄膜层。 导电性防止层(13)被布置在第一电极和环形薄膜层之间以及第二电极和孔结薄膜之间的至少一个区域中。 导电性防止层防止电流流入导电性防止层。 (标号)(AA)光路; (BB,EE)发病率; (CC,FF)传输; (DD)堆栈方向
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公开(公告)号:KR102030396B1
公开(公告)日:2019-10-10
申请号:KR1020187036237
申请日:2017-05-22
IPC分类号: H01L27/146 , H05K9/00 , G02B6/42 , H01L23/552 , H01L31/0203
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公开(公告)号:KR101912718B1
公开(公告)日:2018-10-29
申请号:KR1020110051668
申请日:2011-05-30
申请人: 삼성전자주식회사 , 위니벨시떼 드 렌 1
CPC分类号: G02F1/05 , G02F1/19 , G02F1/21 , G02F2001/213 , G02F2201/501
摘要: 광이미지셔터및 그제조방법을제공한다. 본광 이미지셔터는, 전기장에따라굴절율이변하는전광박막층, 전광박막층을사이에두고이격배치된제1 및제2 전극및 제1 전극과전광박막층의사이및 제2 전극과상기전광박막층의사이중 적어도하나의영역에배치되어전광박막층으로의전류유입을방지하는통전방지층를포함한다.
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公开(公告)号:KR101868185B1
公开(公告)日:2018-06-15
申请号:KR1020137019818
申请日:2011-12-23
CPC分类号: C22C43/00 , B22F1/0055 , B22F9/20 , B22F2998/10 , C22C1/04 , G21C3/60 , Y02E30/35 , Y02E30/38 , B22F1/0088
摘要: 본발명은준안정성γ 상의우라늄및 몰리브덴계합금분말에관한것으로, 이는신장지수가적어도 1.1이고, 0이아닌닫힌기공성값을갖고, 동일그레인내에서의몰리브덴함량에대한변화량이많아야 1질량%인그레인으로구성된입자들로형성된다. 또한본 발명은이러한합금분말의제조를가능하게하는방법및 상기분말의핵연료및 방사성동위원소생산을위한타겟의제조에의용도에도관한것이다. 응용분야: 특히실험용핵 반응기용, 핵연료; 주로의약산업용의, 방사성동위원소생산을위한타겟제조.
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