公开(公告)号：KR1020170126498A

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：KR1020177029422

申请日：2016-04-05

申请人： 가부시키가이샤 사무코

发明人： 노나카나오야 ,  가와시마타다시

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  C30B29/06

CPC分类号： C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  C30B33/12 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/324

摘要： 실리콘웨이퍼의이면에산화막을형성하는이면산화막형성공정과, 실리콘웨이퍼의외주부에존재하는산화막을제거하는이면산화막제거공정과, 아르곤가스분위기하에있어서열 처리를행하는아르곤어닐링공정과, 실리콘웨이퍼의표면에에피택셜막을형성하는에피택셜막형성공정을구비하고, 에피택셜막형성공정은, 실리콘웨이퍼에대하여, 수소및 염화수소를포함하는가스분위기하에있어서열 처리를행함으로써, 실리콘웨이퍼의표층을에칭하는프리베이킹공정과, 실리콘웨이퍼의표면에에피택셜막을성장시키는에피택셜막성장공정을갖는다.

摘要翻译： 氩退火工艺的表面，在氧化膜进行热处理形成工序的硅晶片是形成在硅晶片与氧化膜去除步骤的背面上的氧化膜是去除在硅晶片的外周的本氧化膜，在氩气气氛下 在具有用于通过包含氢和氯化氢的气体气氛下进行热处理，形成外延膜和外延膜形成过程中，对硅晶片，外延膜形成工序中，在硅晶片的表面层称为 预烘烤步骤以及用于在硅晶片的表面上生长外延膜的外延膜生长步骤。

公开(公告)号：KR1020140002509A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：KR1020130072869

申请日：2013-06-25

申请人： 가부시키가이샤 사무코 ,  사무코 테크시부 가부시키가이샤

发明人： 가와시마타다시 ,  노나카나오야 ,  시나가와마사유키 ,  우에소노고우

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L29/167 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/3221 ,  H01L29/02 ,  H01L29/0603

摘要： The present invention comprises a rear surface oxide film formation process (S6) for forming an oxide film on the rear surface of a silicon wafer; a rear surface oxide film removal process (S7) for removing the oxide film from the outer circumference of the silicon wafer; an argon annealing process (S8) for thermally processing the silicon wafer which has been through the rear surface oxide film removal process (S7) at a temperature between 1200°C and 1220°C for 60-120 minutes; and an epitaxial process (S9, S10) for forming an epitaxial film on the surface of the silicon wafer after the argon annealing process (S8). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S1) Single crystal ingot production process; (S10) Epitaxial film growth process (epitaxial layer forming step); (S14) Epitaxial film deposition process (epitaxial layer forming step); (S2) Wafer for evaluation cutting/outputting process; (S3) Evaluation annealing process; (S4) Pit observation process; (S5) Micropit is observed?; (S6,S11) Rear surface oxide film formation process; (S7,S12) Rear surface oxide film removal process; (S8) Argon annealing process; (S9,S13) Hydrogen baking process (epitaxial layer forming step)

摘要翻译： 本发明包括在硅晶片的背面形成氧化膜的背面氧化膜形成工序（S6） 用于从硅晶片的外周去除氧化膜的背面氧化膜去除工序（S7） 用于在1200℃至1220℃的温度下对经过后表面氧化膜去除工艺（S7）的硅晶片进行热处理60-120分钟的氩退火工艺（S8） 以及在氩退火处理之后在硅晶片的表面上形成外延膜的外延工艺（S9，S10）（S8）。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S1）单晶锭生产工艺; （S10）外延膜生长工艺（外延层形成步骤）; （S14）外延膜沉积工艺（外延层形成步骤）; （S2）评估切割/输出过程的晶片; （S3）评价退火处理; （S4）坑观察过程; （S5）观察到微孔 （S6，S11）后表面氧化膜形成工序; （S7，S12）后表面氧化膜去除工艺; （S8）氩退火工艺; （S9，S13）氢焙烧工序（外延层形成工序）

公开(公告)号：KR102036596B1

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：KR1020177029422

申请日：2016-04-05

申请人： 가부시키가이샤 사무코

发明人： 노나카나오야 ,  가와시마타다시

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  C30B29/06

公开(公告)号：KR101473784B1

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：KR1020130072869

申请日：2013-06-25

申请人： 가부시키가이샤 사무코 ,  사무코 테크시부 가부시키가이샤

发明人： 가와시마타다시 ,  노나카나오야 ,  시나가와마사유키 ,  우에소노고우

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L29/167 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/3221 ,  H01L29/02 ,  H01L29/0603

摘要： 실리콘웨이퍼의이면(裏面)에산화막을형성하는이면산화막형성공정(S6)과, 실리콘웨이퍼의외주부에존재하는산화막을제거하는이면산화막제거공정(S7)과, 이면산화막제거공정(S7) 후의실리콘웨이퍼에대하여, 아르곤가스분위기하에있어서 1200℃이상 1220℃이하의온도에서 60분이상 120분이하의열처리를행하는아르곤어닐공정(S8)과, 아르곤어닐공정(S8) 후의실리콘웨이퍼의표면에에피택셜막을형성하는에피택셜막형성공정(S9, S10)을갖는다.