公开(公告)号：KR101614422B1

公开(公告)日：2016-04-21

申请号：KR1020090042095

申请日：2009-05-14

申请人： 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드

发明人： 스콧로빈차리스 ,  존슨매트

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02661 ,  C23C16/0209 ,  C30B25/186 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  C30B33/12 ,  H01L21/02381

摘要： 증착단계이전에반도체표면으로부터불순물들을제거하기위한저압베이크방법및 시스템이제공된다. 짧고저온의공정들은상기반도체표면으로부터계면의산소를제거하는데효과적이면서도열처리계획의단지일부만을소모하는이점을갖는다. 상기방법및 시스템은특히에피택시공정이전에반도체표면을처리하는데적합하다.

公开(公告)号：KR1020150087310A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：KR1020157015949

申请日：2013-11-15

申请人： 토요 탄소 가부시키가이샤

发明人： 도리미사토시 ,  야부키노리히토 ,  노가미사토루

IPC分类号： H01L21/48 ,  C30B35/00 ,  H01L21/67 ,  H01L29/16 ,  H01L21/3065 ,  C30B29/36 ,  C30B33/12

CPC分类号： H01L21/673 ,  C23C10/02 ,  C23C10/22 ,  C30B29/36 ,  C30B33/12 ,  C30B35/002 ,  F27B17/0025 ,  H01L21/046 ,  H01L21/302 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6719 ,  H01L29/1608

摘要： 본출원은, Si가단결정 SiC 기판상에낙하하지않고, 내부공간내의 Si의압력분포를균일하게하는것이가능한수용용기를제공하는것을과제로한다. 상기수용용기는, Si의증기압하에서의가열처리에의해에칭되는단결정 SiC 기판을수용한다. 상기수용용기는, 탄탈금속으로이루어지면서, 내부공간측에탄화탄탈층이설치되고, 상기탄화탄탈층의내부공간측에탄탈실리사이드층이추가로설치된다. 탄탈실리사이드층은, 내부공간에 Si를공급한다. 또한, 탄탈실리사이드층은, 고착한 Si와달리, 용융하여낙하하는경우가없다.

公开(公告)号：KR1020100103552A

公开(公告)日：2010-09-27

申请号：KR1020107014878

申请日：2008-10-22

申请人： 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드

发明人： 바우어마티아스

IPC分类号： H01L21/205 ,  C23C16/04 ,  C23C16/44 ,  C23F1/02

CPC分类号： C23C16/04 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45514 ,  C23C16/45523 ,  C30B25/02 ,  C30B33/12 ,  C30B35/00

摘要： 막들의 선택적 에피텍셜 형성을 위한 방법들 및 장치들은 반응 종들(10, 20)을 CVD 챔버(300) 내에 분리하여 주입한다. 방법들은 전구체들(10) 및 식각제들(20)의 휘발성 결합들을 사용하는 선택적 증착에 있어서 특히 유용하다. 형성 공정들은 선택적 증착을 위한 전구체들(10) 및 식각제들(20)의 동시적인 공급, 또는 주기적인 전면 증착 및 선택적 식각을 위한 순차적인 공급을 포함한다. 어느 하나의 경우, 전구체들(10) 및 식각제들(20)은, 보다 한정된 상류 지점들이 아닌 상대적으로 개방된 반응 공간(340)에서 교차되는 별도의 유로들을 따라서 공급된다.

公开(公告)号：KR1020090119724A

公开(公告)日：2009-11-19

申请号：KR1020090042095

申请日：2009-05-14

申请人： 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드

发明人： 스콧로빈차리스 ,  존슨매트

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02661 ,  C23C16/0209 ,  C30B25/186 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  C30B33/12 ,  H01L21/02381

摘要： PURPOSE: A process and an apparatus for treating wafers are provided to improve a throughput rate by adopting a low temperature and short process. CONSTITUTION: A process and an apparatus for treating wafers are comprised of the steps: mounting a substrate on a substrate support portion inside a chemical vapor deposition reaction chamber(110); decreasing a pressure within the reaction chamber until the pressure is reached to 1×10-6 Torrs or 10 Torrs; increasing the pressure inside the reaction chamber from the bake pressure to the deposition pressure; and depositing the layer through a chemical vapor deposition.

摘要翻译： 目的：提供一种用于处理晶片的工艺和设备，以通过采用低温和短工艺来提高生产率。 构成：用于处理晶片的工艺和设备包括以下步骤：将衬底安装在化学气相沉积反应室（110）内部的衬底支撑部分上; 降低反应室内的压力，直到压力达到1×10-6 Torrs或10 Torrs; 将反应室内的压力从烘烤压力提高到沉积压力; 并通过化学气相沉积沉积该层。

公开(公告)号：KR1020080069531A

公开(公告)日：2008-07-28

申请号：KR1020080006651

申请日：2008-01-22

申请人： 스미토모덴키고교가부시키가이샤

发明人： 하치고아키히로 ,  마츠모토나오키 ,  니시우라다카유키

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/02052 ,  C30B29/40 ,  C30B33/12 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/30621

摘要： A method for manufacturing an III-V compound semiconductor substrate is provided to apply bias power during a first dry etching which is lower than that during a second dry etching, to a chuck so as to reduce damage of the surface of the semiconductor, thereby increasing PL strength of the semiconductor. A method for manufacturing an III-V compound semiconductor substrate comprises the steps of; grinding a surface of a wafer(S1); polishing the surface of the wafer mechanically and chemically(S3,S5); cleaning the surface of the wafer(S7); first-dry etching the surface of the wafer, using a plasma etching device(S9); applying low bias to a chuck, using gas including halogen through a second dry etching process(S11); and cleaning the surface of the wafer(S13).

摘要翻译： 提供一种制造III-V族化合物半导体衬底的方法，用于在比第二次干法蚀刻期间的第一干法蚀刻期间将偏置功率提供给卡盘，以减少半导体表面的损伤，从而增加 PL的半导体强度。 一种III-V族化合物半导体衬底的制造方法，包括以下步骤： 研磨晶片的表面（S1）; 以机械和化学方式抛光晶片的表面（S3，S5）; 清洁晶片表面（S7）; 使用等离子体蚀刻装置（S9）对晶片的表面进行干式蚀刻。 通过第二次干蚀刻工艺（S11），使用包括卤素的气体将低偏压施加到卡盘上; 并清洗晶片的表面（S13）。

公开(公告)号：KR1020170085085A

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：KR1020177016190

申请日：2015-11-17

申请人： 토요 탄소 가부시키가이샤

发明人： 도리미사토시 ,  시노하라마사토 ,  데라모토요우지 ,  야부키노리히토 ,  노가미사토루 ,  가네코다다아키 ,  아시다고지 ,  구츠마야스노리

IPC分类号： H01L21/3213 ,  H01L21/302 ,  C30B29/36 ,  C30B33/12

CPC分类号： H01L21/30604 ,  C30B29/36 ,  C30B33/12 ,  C30B35/002 ,  H01L21/302 ,  H01L21/67063 ,  H01L21/3213

摘要： 수용용기의조성에근거하여 SiC 기판의에칭속도를제어하는방법을제공한다. 본발명의에칭방법은도가니에 SiC 기판을수용한상태로 Si의증기압하에서가열함으로써 SiC 기판을에칭한다. 도가니는탄탈금속을포함하여구성되면서, 상기탄탈금속보다도내부공간측에탄탈카바이드층이마련되고상기탄탈카바이드층보다도더욱내부공간측에탄탈실리사이드층이마련되어있다. 그리고, 탄탈실리사이드층의조성의차이에근거하여 SiC 기판의에칭속도가제어된다.

摘要翻译： 提供了一种基于容器的组成来控制SiC衬底的蚀刻速率的方法。 本发明的蚀刻方法通过在SiC衬底容纳在坩埚中的温度下在Si气氛下加热来蚀刻SiC衬底。 坩埚包括钽金属，并且在钽金属的内部空间侧上设置碳化钽层，并且在碳化钽层的内部空间侧上进一步提供硅化钽层。 基于钽硅化物层的成分差异来控制SiC衬底的蚀刻速率。

公开(公告)号：KR101312592B1

公开(公告)日：2013-09-30

申请号：KR1020120037299

申请日：2012-04-10

申请人： 주식회사 유진테크

发明人： 양일광 ,  송병규 ,  김경훈 ,  김용기 ,  신양식

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： F27D19/00 ,  C23C16/46 ,  C30B25/10 ,  C30B33/12 ,  C30B35/00 ,  F27D7/02 ,  F27D7/06 ,  F27D2007/066 ,  F27D2019/0028 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/68742

摘要： PURPOSE: A heater elevation type substrate processing apparatus is provided to control the heating temperature of a substrate easily and quickly by controlling the separation distance between a heating plate and a heater. CONSTITUTION: A heating plate (10) is fixed in a chamber. A heater (20) heats the heating plate. An elevation module elevates the heater. A discharge plate (13) is installed around the heating plate. A sub discharge plate (17) is fixed to the inner wall of the chamber.

摘要翻译： 目的：通过控制加热板和加热器之间的分隔距离，提供加热器立面型基板处理装置，以便容易且快速地控制基板的加热温度。 构成：加热板（10）固定在一个室中。 加热器（20）加热加热板。 升降模块升高加热器。 放电板（13）安装在加热板周围。 副排放板（17）固定在室的内壁上。

公开(公告)号：KR101240220B1

公开(公告)日：2013-03-11

申请号：KR1020110047960

申请日：2011-05-20

申请人： 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 ,  가부시키가이샤 덴소

发明人： 츠모리도시로 ,  미타니신이치 ,  스즈키구니히코

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： C30B25/12 ,  C23C14/021 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/22 ,  C23C16/32 ,  C23C16/325 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/46 ,  C30B29/36 ,  C30B33/12

摘要： (과제) SiC 에피택셜 성장 과정에서 서셉터에 부착된 막을 제거하여, 제조 수율을 향상시킬 수 있는 반도체 제조 장치를 제공한다.
(해결 수단) 서셉터 (S) 에 재치되는 웨이퍼 (W) 상에 SiC 에피택셜막을 형성하는 성막실 (2) 과, 서셉터 (S) 가 반송되는 반송용 로봇 (17) 을 갖는 반송실 (4) 을 통하여 성막실 (2) 에 연결되고, 서셉터 (S) 에 부착된 SiC 막을 제거하는 클리닝실 (5) 을 갖는다. 클리닝실 (5) 은, 서셉터 (S) 를 400 ℃ 이상의 온도에서 가열하는 히터 (208) 와, 서셉터 (S) 의 상방으로부터 에칭 가스를 공급하여 SiC 막을 제거하는 에칭 가스 공급 수단을 구비한다. 클리닝실 (5) 은, 서셉터 (S) 의 표면에 SiC 막을 형성하는 재생실을 겸한다.

摘要翻译： 公开了一种半导体制造装置，其能够在SiC外延生长工艺中去除附着于基座的膜以提高制造成品率。

公开(公告)号：KR101104635B1

公开(公告)日：2012-01-12

申请号：KR1020100090559

申请日：2010-09-15

申请人： 가부시키가이샤 사무코

发明人： 킨바라히데아키 ,  와다나오유키 ,  오우치토시히로 ,  오가타신이치 ,  니시무라히로노리

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02532 ,  C30B23/025 ,  C30B25/18 ,  C30B29/06 ,  C30B33/12 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

摘要： 마무리 연마되어 있지 않은 경면(mirror surface) 실리콘 웨이퍼의 표면에 에피택셜(epitaxial)막을 기상(vapor) 성장시키고, 그 후, 에피택셜막의 표면을 HCl 가스 에칭하기 때문에, 경면 연마 공정이 간략화되고, 생산성이 높아져 공정수의 증가를 초래하지 않고 비용 절감이 도모되고, 에피택셜막의 표면 러프니스(roughness)도 억제할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020110139250A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：KR1020117023524

申请日：2010-02-09

申请人： 고쿠리츠다이가쿠호우진 야마구치 다이가쿠

发明人： 다다토모,가즈유키 ,  오카다나리히토

IPC分类号： C30B29/40 ,  C30B25/18 ,  H01L21/02 ,  H01L33/00

CPC分类号： C30B29/403 ,  C30B25/18 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/007 ,  C23C14/14 ,  C23C14/58 ,  C30B33/12 ,  H01L21/3065 ,  H01L33/00

摘要： 사파이어 기판 상에 화합물 반도체층을 성장시켜 제작하는 반도체 장치에 있어서, 광 추출 효율이 높은 반도체 장치를 제작할 수 있는 사파이어 기판을 제공한다.
사파이어 기판(1)의 면에 복수 돌기(2, 2, …)를 랜덤 배치로 형성하고, 그 면 위에 GaN층(10)을 성장시킨다. 또한 그 위에, 다중 양자 우물층(12), p-AlGaN층(14), p-GaN층(16), ITO층(18)을 형성하고, 2개의 전극(21, 22)을 형성하여 반도체 발광소자를 제작한다.