-
公开(公告)号：KR1020170076792A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：KR1020177017086
申请日：2009-07-03
Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
CPC classification number: H01L33/44 , H01L51/003 , H01L51/5237 , H01L51/524 , H01L51/5253 , H01L51/56 , H01L2227/323 , H01L2227/326 , H01L2924/12044 , H05B33/04
Abstract: 본발명의목적은, 얇고외부의국부적인압력에의해손상되지않는고신뢰성의발광장치를제공하는것이다. 또한, 또다른목적은, 제조공정에서외부의스트레스로인한형상및 특성의결함들을방지함으로써발광장치를고수율로제조하는것이다. 발광소자는, 섬유체에유기수지가함침된제 1 구조체및 섬유체에유기수지가함침된제 2 구조체사이에서밀봉되어, 얇고강도를갖는고신뢰성의발광장치가제공될수 있다. 또한, 발광장치는, 제조공정에서형상및 특성의결함들을방지함으로써고수율로제조될수 있다.
Abstract translation: 本发明的目的是提供一种高度可靠的发光装置，该发光装置很薄并且不会受到外部局部压力的损坏。 又一个目的是通过防止制造过程中由外部应力引起的形状和特性缺陷来制造高产率的发光器件。 之间的纤维体中浸渗有有机树脂和第一结构处于第二结构的有机树脂浸渍的纤维体的发光元件密封在，高可靠性的发光器件可以设置有一个薄和强度。 另外，通过防止制造过程中的形状和特性的缺陷，可以高产量地制造发光器件。
-
公开(公告)号：KR1020150068497A
公开(公告)日：2015-06-19
申请号：KR1020157014585
申请日：2009-07-03
Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
CPC classification number: H01L33/44 , H01L51/003 , H01L51/5237 , H01L51/524 , H01L51/5253 , H01L51/56 , H01L2227/323 , H01L2227/326
Abstract: 본발명의목적은, 얇고외부의국부적인압력에의해손상되지않는고신뢰성의발광장치를제공하는것이다. 또한, 또다른목적은, 제조공정에서외부의스트레스로인한형상및 특성의결함들을방지함으로써발광장치를고수율로제조하는것이다. 발광소자는, 섬유체에유기수지가함침된제 1 구조체및 섬유체에유기수지가함침된제 2 구조체사이에서밀봉되어, 얇고강도를갖는고신뢰성의발광장치가제공될수 있다. 또한, 발광장치는, 제조공정에서형상및 특성의결함들을방지함으로써고수율로제조될수 있다.
-
3.发明公开
公开(公告)号：KR1020210006496A
公开(公告)日：2021-01-18
申请号：KR1020210003267
申请日：2021-01-11
Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
IPC: H01L29/786 , H01L27/32
Abstract: 본발명은산화물반도체를사용한플레너형트랜지스터와, 상기트랜지스터에접속되는용량소자를포함하는반도체장치를제공한다. 트랜지스터와용량소자를포함하는반도체장치이고, 트랜지스터는산화물반도체막과, 산화물반도체막위의게이트절연막과, 게이트절연막위의게이트전극과, 게이트전극위의제 2 절연막과, 제 2 절연막위의제 3 절연막과, 제 3 절연막위의소스전극및 드레인전극을포함하고, 소스전극및 드레인전극은산화물반도체막과전기적으로접속되고, 용량소자는제 1 도전막과, 제 2 도전막과, 제 2 절연막을포함하고, 제 1 도전막은게이트전극과동일표면위에제공되고, 제 2 도전막은소스전극및 드레인전극과동일표면위에제공되고, 제 2 절연막은제 1 도전막과제 2 도전막사이에제공된다.
-
公开(公告)号：KR101588576B1
公开(公告)日：2016-01-26
申请号：KR1020117000596
申请日：2009-07-03
Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
CPC classification number: H01L33/44 , H01L51/003 , H01L51/5237 , H01L51/524 , H01L51/5253 , H01L51/56 , H01L2227/323 , H01L2227/326
Abstract: 본발명의목적은, 얇고외부의국부적인압력에의해손상되지않는고신뢰성의발광장치를제공하는것이다. 또한, 또다른목적은, 제조공정에서외부의스트레스로인한형상및 특성의결함들을방지함으로써발광장치를고수율로제조하는것이다. 발광소자는, 섬유체에유기수지가함침된제 1 구조체및 섬유체에유기수지가함침된제 2 구조체사이에서밀봉되어, 얇고강도를갖는고신뢰성의발광장치가제공될수 있다. 또한, 발광장치는, 제조공정에서형상및 특성의결함들을방지함으로써고수율로제조될수 있다.
-
公开(公告)号：KR102138212B1
公开(公告)日：2020-07-27
申请号：KR1020157029483
申请日：2014-03-18
Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1343 , H01L27/12 , G02F1/1362
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160118303A
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：KR1020167024172
申请日：2015-02-05
Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
CPC classification number: H01L27/1251 , H01L27/1225 , H01L27/1237 , H01L27/124 , H01L29/78603 , H01L29/78645 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 온전류가큰 산화물반도체를포함하는반도체장치를제공한다. 반도체장치는, 구동회로부에제공된제1 트랜지스터와, 화소부에제공된제2 트랜지스터를포함하고, 제1 트랜지스터와제2 트랜지스터는상이한구조를갖는다. 또한, 제1 트랜지스터와제2 트랜지스터는탑-게이트구조를갖는트랜지스터들이다. 트랜지스터들각각의산화물반도체막에있어서, 불순물원소는게이트전극과겹치지않는영역에함유된다. 산화물반도체막 중에서불순물원소를함유하는영역은저 저항영역으로서기능한다. 또한, 산화물반도체막 중에서불순물원소를함유하는영역은, 수소를함유하는막과접한다. 구동회로부에제공된제1 트랜지스터는, 산화물반도체막을개재하여 2개의게이트전극을포함한다.
Abstract translation: 提供了包括其中导通电流高的氧化物半导体的半导体器件。 该半导体器件包括设置在驱动电路部分中的第一晶体管和设置在像素部分中的第二晶体管; 第一晶体管和第二晶体管具有不同的结构。 此外，第一晶体管和第二晶体管是具有顶栅结构的晶体管。 在每个晶体管的氧化物半导体膜中，杂质元素包含在不与栅电极重叠的区域中。 含有杂质元素的氧化物半导体膜的区域用作低电阻区域。 此外，含有杂质元素的氧化物半导体膜的区域与含有氢的膜接触。 设置在驱动电路部分的第一晶体管包括设置氧化物半导体膜的两个栅电极。
-
公开(公告)号：KR1020150133766A
公开(公告)日：2015-11-30
申请号：KR1020157029483
申请日：2014-03-18
Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1343 , H01L27/12 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/133345 , G02F1/133553 , G02F1/13439 , G02F1/1368 , G02F2001/136218 , H01L29/41733 , H01L29/78618
Abstract: 본발명은, 우수한반사표시가가능한신규표시장치를제공한다. 상기표시장치는게이트전극층, 게이트전극층위의게이트절연층, 게이트절연층위의반도체층, 및게이트절연층및 반도체층위의소스전극층및 드레인전극층을포함하는트랜지스터; 소스전극층및 드레인전극층과동일평면상의반사전극층; 반사전극층과중첩되는착색층; 착색층과중첩되는화소전극층; 및소스전극층및 드레인전극층중 한쪽에접속된항산화도전층을포함한다. 화소전극층은항산화도전층을통하여트랜지스터에접속된다.
Abstract translation: 本发明提供了一种能够具有优异的反射显示的新型显示装置。 晶体管，其中所述显示装置包括：栅电极层，栅极电极层上的栅绝缘层，所述栅绝缘层的半导体层，和所述栅极绝缘层和源电极层和漏电极的半导体层的电极层; 在与源电极层和漏电极层相同的平面上的反射电极层; 与反射电极层重叠的着色层; 与着色层重叠的像素电极层; 以及连接到源电极层和漏电极层中的一个的抗氧化物导电层。 像素电极层通过抗氧化导电层连接到晶体管。
-
8.发明公开반도체 장치, 상기 반도체 장치를 가지는 표시 장치, 상기 표시 장치를 가지는 표시 모듈, 및 상기 반도체 장치, 상기 표시 장치, 및 상기 표시 모듈을 가지는 전자기기 审中-实审半导体器件，包括半导体器件的显示器件，包括显示器件的显示器模块以及包括半导体器件的电子器件，显示器件和显示器模块
公开(公告)号：KR1020150107622A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：KR1020150032764
申请日：2015-03-09
Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L29/045 , H01L29/24 , H01L29/36 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/78621 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 본 발명은 산화물 반도체를 가지는 트랜지스터를 가지는 반도체 장치에 있어서, 전기 특성의 변동을 억제함과 동시에, 신뢰성을 향상시키는 것을 과제로 한다.
트랜지스터를 가지는 반도체 장치이며, 트랜지스터는 제 1 절연막 위에 형성되고, 트랜지스터는 제 1 절연막 위의 산화물 반도체막과, 산화물 반도체막 위의 게이트 절연막과, 게이트 절연막 위의 게이트 전극과, 산화물 반도체막 및 게이트 전극 위의 제 2 절연막과, 산화물 반도체막과 전기적으로 접속되는 소스 전극 및 드레인 전극을 가지고, 제 1 절연막은 산소를 가지고, 제 2 절연막은 수소를 가지고, 산화물 반도체막은 게이트 절연막과 접하는 제 1 영역과, 제 2 절연막과 접하는 제 2 영역을 가지고, 제 1 절연막은 제 1 영역과 중첩되는 제 3 영역과, 제 2 영역과 중첩되는 제 4 영역을 가지고, 제 4 영역은 제 3 영역보다 불순물 원소의 농도가 높다.Abstract translation: 关于包括具有氧化物半导体的晶体管的半导体器件的本发明的分配是同时抑制电特性的变化和提高可靠性。 作为包括晶体管的半导体器件，晶体管形成在第一绝缘膜的顶部，该第一绝缘膜包括：在第一绝缘膜的顶部上的氧化物半导体膜; 氧化物半导体膜顶部的栅极绝缘膜; 栅极绝缘膜上的栅电极; 氧化物半导体膜和栅电极上的第二绝缘膜; 以及用氧化物半导体膜电子访问的源电极和漏电极。 氧化物半导体膜具有与栅绝缘膜相邻的第一区域和与第二绝缘膜相邻的第二区域，第一绝缘膜具有氧，第二绝缘膜具有氢，并且具有第三区域的第一绝缘膜重叠 其中第一区域和第四区域与第二区域重叠，其中第四区域的杂质元素的浓度高于第三区域。
-
公开(公告)号：KR1020110038032A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：KR1020117000596
申请日：2009-07-03
Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
CPC classification number: H01L33/44 , H01L51/003 , H01L51/5237 , H01L51/524 , H01L51/5253 , H01L51/56 , H01L2227/323 , H01L2227/326 , H05B33/04
Abstract: 본 발명의 목적은, 얇고 외부의 국부적인 압력에 의해 손상되지 않는 고신뢰성의 발광 장치를 제공하는 것이다. 또한, 또 다른 목적은, 제조 공정에서 외부의 스트레스로 인한 형상 및 특성의 결함들을 방지함으로써 발광 장치를 고수율로 제조하는 것이다. 발광 소자는, 섬유체에 유기 수지가 함침된 제 1 구조체 및 섬유체에 유기 수지가 함침된 제 2 구조체 사이에서 밀봉되어, 얇고 강도를 갖는 고신뢰성의 발광 장치가 제공될 수 있다. 또한, 발광 장치는, 제조 공정에서 형상 및 특성의 결함들을 방지함으로써 고수율로 제조될 수 있다.
-
10.发明授权
公开(公告)号：KR102257136B1
公开(公告)日：2021-05-26
申请号：KR1020190045953
申请日：2019-04-19
Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
IPC: H01L29/786 , H01L27/32
Abstract: 본발명은산화물반도체를사용한플레너형트랜지스터와, 상기트랜지스터에접속되는용량소자를포함하는반도체장치를제공한다. 트랜지스터와용량소자를포함하는반도체장치이고, 트랜지스터는산화물반도체막과, 산화물반도체막위의게이트절연막과, 게이트절연막위의게이트전극과, 게이트전극위의제 2 절연막과, 제 2 절연막위의제 3 절연막과, 제 3 절연막위의소스전극및 드레인전극을포함하고, 소스전극및 드레인전극은산화물반도체막과전기적으로접속되고, 용량소자는제 1 도전막과, 제 2 도전막과, 제 2 절연막을포함하고, 제 1 도전막은게이트전극과동일표면위에제공되고, 제 2 도전막은소스전극및 드레인전극과동일표면위에제공되고, 제 2 절연막은제 1 도전막과제 2 도전막사이에제공된다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
25
records
(took 0.029 seconds)
