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公开(公告)号：KR1020160065005A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：KR1020150166111
申请日：2015-11-26
Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
IPC: H01L29/786 , H01L27/32
CPC classification number: H01L29/41733 , H01L27/1225 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: (과제) 산화물반도체막을갖는반도체장치에있어서, 전기특성이우수한트랜지스터를갖는반도체장치를제공한다. (해결수단) 트랜지스터를갖는반도체장치로서, 트랜지스터는, 제 1 전극과, 제 1 전극위의제 1 절연막과, 제 1 절연막위의산화물반도체막과, 산화물반도체막위의제 2 절연막과, 제 2 절연막위의제 2 전극을가지며, 산화물반도체막은, 제 1 산화물반도체막과, 제 2 산화물반도체막을가지며, 제 1 산화물반도체막의전도대하단의에너지와, 제 2 산화물반도체막의전도대하단의에너지의차가 0.2eV 이상이며, 트랜지스터는, 드레인전압 1V당에있어서의단위채널폭당드레인전류의변화율이 2% 이하가되는전기특성을나타내는영역을가진다.
Abstract translation: 本发明提供一种具有氧化物半导体膜的半导体器件。 特别地，本发明提供一种具有优异电特性的晶体管的半导体器件。 晶体管具有：第一电极; 在所述第一电极上方的第一绝缘膜; 所述氧化物半导体膜在所述第一绝缘膜上方; 氧化物半导体膜上方的第二绝缘膜; 和在第二绝缘膜上方的第二电极。 氧化物半导体膜具有：第一氧化物半导体膜; 和第二氧化物半导体膜。 第一氧化物半导体膜的导带的下端的能量与第二氧化物半导体膜的导带的下端的能量之间的差异等于或高于0.2eV，而晶体管具有区域 其示出了每1V漏极电压的每单位沟道宽度的漏极电流变化率为2％以下的电特性。
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公开(公告)号：KR1020160126991A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：KR1020167022668
申请日：2015-02-17
Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
IPC: H01L29/786 , H01L29/66 , H01L29/26
CPC classification number: H01L29/78606 , H01L29/26 , H01L29/66969 , H01L29/78648 , H01L29/7869
Abstract: 본발명에서는, 트랜지스터를포함하는반도체장치가제공된다. 트랜지스터는게이트전극, 게이트전극위의제 1 절연막, 제 1 절연막위의제 2 절연막, 제 2 절연막위의산화물반도체막, 산화물반도체막에전기적으로접속되는소스전극및 드레인전극, 소스전극위의제 3 절연막, 및드레인전극위의제 4 절연막을포함한다. 산소를포함하는제 5 절연막이상기트랜지스터위에제공된다. 제 3 절연막은제 1 부분을포함하고, 제 4 절연막은제 2 부분을포함하고, 제 5 절연막은제 3 부분을포함한다. 산소분자의양이열탈착분광법에의하여측정되면제 1 부분및 제 2 부분각각으로부터방출되는산소분자의양은제 3 부분으로부터방출되는산소분자의양보다적다.
Abstract translation: 提供了包括晶体管的半导体器件。 晶体管包括栅电极，栅电极上的第一绝缘膜，第一绝缘膜上的第二绝缘膜，第二绝缘膜上的氧化物半导体膜，与氧化物半导体膜电连接的源电极和漏电极 ，在源电极上方的第三绝缘膜，以及在漏极上的第四绝缘膜。 包括氧的第五绝缘膜设置在晶体管上。 第三绝缘膜包括第一部分，第四绝缘膜包括第二部分，第五绝缘膜包括第三部分。 当通过热解吸光谱法测量量时，从第一部分和第二部分中分离的氧分子的量小于从第三部分释放的氧分子的量。
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公开(公告)号：KR102151108B1
公开(公告)日：2020-09-02
申请号：KR1020167024172
申请日：2015-02-05
Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150138070A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：KR1020150075101
申请日：2015-05-28
Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
IPC: H01L29/786 , G02F1/13 , H01L27/32
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L27/1255 , H01L29/78648 , H01L29/7869
Abstract: [과제] 산화물반도체를갖는트랜지스터를사용한반도체장치에있어서, 전기특성의변동을억제하는동시에, 신뢰성을향상시킨다. [해결수단] 트랜지스터를갖는반도체장치로서, 트랜지스터는채널영역에산화물반도체막을갖고, 트랜지스터의드레인전류-게이트전압특성에서의, 로그로나타내지는드레인전류의최대기울기의접선과 1×10A의축과의교점의게이트전압을시프트값으로한 경우, 산화물반도체막에대하여, 산화물반도체막의밴드갭이상의에너지로광을조사했을때에, 광조사시의시프트값으로부터광 조사전의시프트값의차분이 -1V 이상 0.5V 이하이다.
Abstract translation: 本发明的目的是抑制电特性的改变，并提高使用包括氧化物半导体的晶体管的半导体器件的可靠性。 在包括晶体管的半导体器件中，晶体管包括沟道区中的氧化物半导体膜，并且在光照射下的偏移值与光照射之间的偏移值之间的变化大于或等于-1V且小于或等于 等于0.5V，其中移位值是在1×10 ^（ - 12）A轴的交点处的晶体管的栅极电压和漏极电流的漏极电流的对数的最快切线， 晶体管的栅极电压特性，以及其中具有大于或等于氧化物半导体膜的带隙的能量的光在氧化物半导体膜上进行发光的情况。
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7.发明公开반도체 장치, 그 반도체 장치를 갖는 표시 장치, 그 표시 장치를 갖는 표시 모듈, 및 그 반도체 장치, 그 표시 장치, 및 그 표시 모듈을 갖는 전자 기기 审中-实审半导体器件，包括半导体器件的显示器件，包括显示器件的显示器模块以及包括半导体器件的电子器件，显示器件和显示器模块
公开(公告)号：KR1020150102742A
公开(公告)日：2015-09-07
申请号：KR1020150028470
申请日：2015-02-27
Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
IPC: H01L29/786 , H01L21/322 , H01L27/32
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1218 , H01L27/1225 , H01L27/1237 , H01L29/24 , H01L29/4908 , H01L29/513 , H01L29/518 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/78648 , H01L29/78696 , H01L21/3226 , H01L27/3262 , H01L2924/13069
Abstract: 본 발명은, 산화물 반도체를 갖는 트랜지스터를 사용한 반도체 장치에 있어서, 전기 특성의 변동을 억제함과 함께, 신뢰성을 향상시킨다.
트랜지스터를 갖는 반도체 장치로서, 트랜지스터는 게이트 전극과, 게이트 전극 위의 제1 절연막과, 제1 절연막 위의 제2 절연막과, 제2 절연막 위의 산화물 반도체막과, 산화물 반도체막에 전기적으로 접속되는 소스 전극과, 산화물 반도체막에 전기적으로 접속되는 드레인 전극을 갖고, 트랜지스터 위에는 제3 절연막이 형성되고, 제3 절연막 위에는 제4 절연막이 형성되며, 제3 절연막은 산소를 갖고, 제4 절연막은 질소를 가지며, 제3 절연막은 승온 탈리 가스 분석법에 있어서 산소 분자의 방출량이 1×10
19 개/㎤ 이상이고, 제4 절연막은 승온 탈리 가스분석법에 있어서 산소 분자의 방출량이 1×10
19 개/㎤ 미만이다.Abstract translation: 关于包括具有氧化物半导体的晶体管的半导体器件的本发明，抑制电特性的变化并同时提高可靠性。 作为包括晶体管的半导体器件，晶体管包括：栅电极，栅电极顶部的第一绝缘膜，第一绝缘膜顶部的第二绝缘膜，第一绝缘膜的顶部上的氧化物半导体膜 第二绝缘膜; 用氧化物半导体膜电子访问的源电极; 以及利用氧化物半导体膜电接续的漏电极。 第三绝缘膜形成在晶体管的顶部，第四绝缘膜形成在第三绝缘膜上，第三绝缘膜具有氧，第四绝缘膜具有氮。 关于加热解吸气体分析方法的第三绝缘膜具有大于或等于1×1019分子/ cm 3的氧分子的发射量。 关于加热的解吸气体分析方法的第四绝缘膜作为氧分子的发射量小于1×1019分子/ cm 3。
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公开(公告)号：KR102011257B1
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：KR1020120111243
申请日：2012-10-08
Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
IPC: H01L27/10 , H01L29/78 , H01L21/336
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公开(公告)号：KR1020170109237A
公开(公告)日：2017-09-28
申请号：KR1020177021233
申请日：2016-01-28
Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L27/1248 , H01L27/127 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 본발명은신뢰성이높은반도체장치의제조방법을제공한다. 그방법은다음의단계를포함한다: 제 1 온도에서산화물반도체막을형성하는단계; 산화물반도체막을섬 형상으로가공하는단계; 제 1 온도보다높은온도에서가공을수행하지않고, 스퍼터링법에의하여소스전극및 드레인전극이되는재료를성막하는단계; 재료를가공하여소스전극및 드레인전극을형성하는단계; 보호절연막을형성하고나서, 제 1 배리어막을형성하는단계; 제 1 배리어막을통하여과잉산소또는산소라디칼을보호절연막에첨가하는단계; 400℃미만의제 2 온도에서가열처리를수행하여과잉산소또는산소라디칼을산화물반도체막으로확산시키는단계; 및웨트에칭에의하여제 1 배리어막의일부및 보호절연막의일부를제거하고나서, 제 2 배리어막을형성하는단계.
Abstract translation: 本发明提供一种制造高度可靠的半导体器件的方法。 该方法包括以下步骤：在第一温度下形成氧化物半导体膜; 将氧化物半导体膜加工成岛状; 在不高于第一温度的温度下进行处理而通过溅射法沉积成为源电极和漏电极的材料; 通过处理材料形成源电极和漏电极; 形成保护绝缘膜，然后形成第一阻挡膜; 通过第一阻挡膜向保护绝缘膜添加过量的氧或氧自由基; 在小于400℃的第二温度下进行热处理以将过量的氧或氧自由基扩散到氧化物半导体膜中; 以及通过湿法蚀刻除去部分第一阻挡膜和部分保护绝缘膜，然后形成第二阻挡膜的步骤。
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