公开(公告)号：KR102259172B1

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：KR1020167032266

申请日：2014-09-09

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 구라타모토무 ,  사사가와신야 ,  호도료타 ,  도치바야시가츠아키 ,  모리와카도모아키 ,  니시다지로 ,  미야이리히데카즈 ,  야마자키슌페이

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/66 ,  H01L27/12

公开(公告)号：KR1020210035159A

公开(公告)日：2021-03-31

申请号：KR1020210038732

申请日：2021-03-25

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 야마자끼슌뻬이 ,  이소베아쯔오 ,  사이또도시히꼬 ,  하따노다께히사 ,  스자와히데오미 ,  사사가와신야 ,  고에즈까준이찌 ,  사또유이찌 ,  오노신지

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L29/66

Abstract: 산화물반도체를사용하는반도체장치에있어서, 전기특성이양호한반도체장치를제공한다. 기판위에산화물반도체막및 절연막을갖고, 산화물반도체막의측면은절연막과접해있고, 산화물반도체막은, 채널형성영역과, 채널형성영역을사이에두고형성된도펀트를포함하는영역을포함하고, 산화물반도체막위에접해서형성된게이트절연막과, 게이트절연막위에형성되고사이드월절연막을갖는게이트전극과, 산화물반도체막및 절연막에접해서형성된소스전극및 드레인전극을갖는반도체장치이다.

公开(公告)号：KR102233959B1

公开(公告)日：2021-03-29

申请号：KR1020207012954

申请日：2012-01-19

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 사사가와신야 ,  쿠라타모토무

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L21/28 ,  H01L27/12

Abstract: 본발명은, 양호한특성이유지되면서, 불량이저감되고미세화가실현된반도체장치를제공하는것을목적으로한다. 반도체층을형성하고, 반도체층위에제 1 도전층을형성하고, 제 1 레지스트마스크를사용하여제 1 도전층을에칭함으로써오목부를갖는제 2 도전층을형성하고, 제 1 레지스트마스크를축소하여제 2 레지스트마스크를형성하고, 제 2 레지스트마스크를사용하여제 2 도전층을에칭함으로써주연에테이퍼형상의돌출부를각각갖는소스전극및 드레인전극을형성하고, 소스전극및 드레인전극위에반도체층의일부와접하는게이트절연층을형성하고, 게이트절연층위에서반도체층과중첩되는부분에게이트전극을형성한다.

公开(公告)号：KR1020210013266A

公开(公告)日：2021-02-03

申请号：KR1020210011073

申请日：2021-01-26

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 야마자키순페이 ,  스자와히데오미 ,  사사가와신야 ,  쿠라타모토무 ,  츠부쿠마사시

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/66 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06

Abstract: 본발명은트랜지스터의온 특성을향상시켜고속응답, 고속구동을실현할수 있는반도체장치를제공한다. 또한, 신뢰성이높고안정된전기특성을나타내는반도체장치를제작한다. 제 1 산화물층과, 제 1 산화물층위의산화물반도체층과, 산화물반도체층에접하는소스전극층및 드레인전극층과, 산화물반도체층위의제 2 산화물층과, 제 2 산화물층위의게이트절연층과, 게이트절연층위의게이트전극층을갖고, 제 2 산화물층의단부, 및게이트절연층의단부가소스전극층및 드레인전극층과중첩되어있는트랜지스터를갖는반도체장치이다.

公开(公告)号：KR102211215B1

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：KR1020130106248

申请日：2013-09-04

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 야마자키순페이 ,  스자와히데오미 ,  사사가와신야 ,  쿠라타모토무 ,  츠부쿠마사시

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 본발명은트랜지스터의온 특성을향상시켜고속응답, 고속구동을실현할수 있는반도체장치를제공한다. 또한, 신뢰성이높고안정된전기특성을나타내는반도체장치를제작한다. 제 1 산화물층과, 제 1 산화물층위의산화물반도체층과, 산화물반도체층에접하는소스전극층및 드레인전극층과, 산화물반도체층위의제 2 산화물층과, 제 2 산화물층위의게이트절연층과, 게이트절연층위의게이트전극층을갖고, 제 2 산화물층의단부, 및게이트절연층의단부가소스전극층및 드레인전극층과중첩되어있는트랜지스터를갖는반도체장치이다.

公开(公告)号：KR102205388B1

公开(公告)日：2021-01-19

申请号：KR1020177021046

申请日：2016-01-15

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 아사미요시노부 ,  오카자키유타카 ,  오카모토사토루 ,  사사가와신야

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/66 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L21/4757 ,  H01L21/67 ,  H01L27/12 ,  H01L21/02

Abstract: 본발명은제 1 절연층위의제 1 산화물절연층, 제 1 산화물절연층위의산화물반도체층, 산화물반도체층위의소스전극층및 드레인전극층, 소스전극층및 드레인전극층위의제 2 절연층, 산화물반도체층위의제 2 산화물절연층, 제 2 산화물절연층위의게이트절연층, 게이트절연층위의게이트전극층, 제 2 절연층, 제 2 산화물절연층, 게이트절연층, 및게이트전극층위의제 3 절연층을포함하는반도체장치이다. 제 2 절연층의측면부는제 2 산화물절연층과접한다. 게이트전극층은제 1 영역및 제 2 영역을포함한다. 제 1 영역은제 2 영역보다폭이크다.

公开(公告)号：KR102166892B1

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：KR1020140032745

申请日：2014-03-20

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 사사가와신야 ,  구라타모토무 ,  무라오카다이가

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

公开(公告)号：KR102118516B1

公开(公告)日：2020-06-03

申请号：KR1020190011153

申请日：2019-01-29

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 야마자끼슌뻬이 ,  이소베아쯔오 ,  사이또도시히꼬 ,  하따노다께히사 ,  스자와히데오미 ,  사사가와신야 ,  고에즈까준이찌 ,  사또유이찌 ,  오노신지

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L29/66

公开(公告)号：KR102062201B1

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：KR1020130067125

申请日：2013-06-12

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 사사가와신야 ,  후지키히로시

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

公开(公告)号：KR101794352B1

公开(公告)日：2017-11-06

申请号：KR1020110014613

申请日：2011-02-18

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 사사가와신야 ,  쯔부꾸마사시 ,  나까야마히또시 ,  시마다다이고

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L21/76838 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 스위칭특성이양호하면서, 신뢰성이높은트랜지스터를제공한다. 예를들어, 보텀게이트톱 콘택트구조의트랜지스터를제조함에있어서, 제1 배선층을형성하고, 상기제1 배선층을덮어제1 절연막을형성하고, 상기제1 절연막위에반도체층을형성하고, 상기반도체층위에도전막을형성하고, 상기도전막에적어도 2단계의에칭을행하여제2 배선층을이격시켜형성하고, 상기 2단계의에칭이, 적어도상기도전막에대한에칭률이높고, 상기반도체층에대한에칭률이낮은조건에의해행하는제1 에칭공정과, 상기도전막및 상기반도체층에대한에칭률이, 상기제1 에칭공정보다도높은조건에의해행하는제2 에칭공정을갖는방법에의해트랜지스터를제조한다.