公开(公告)号：KR1020170106358A

公开(公告)日：2017-09-20

申请号：KR1020177021046

申请日：2016-01-15

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 아사미요시노부 ,  오카자키유타카 ,  오카모토사토루 ,  사사가와신야

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/66 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L21/4757 ,  H01L21/67 ,  H01L27/12 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/475 ,  H01L21/47573 ,  H01L21/67207 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/78618

Abstract: 본발명은제 1 절연층위의제 1 산화물절연층, 제 1 산화물절연층위의산화물반도체층, 산화물반도체층위의소스전극층및 드레인전극층, 소스전극층및 드레인전극층위의제 2 절연층, 산화물반도체층위의제 2 산화물절연층, 제 2 산화물절연층위의게이트절연층, 게이트절연층위의게이트전극층, 제 2 절연층, 제 2 산화물절연층, 게이트절연층, 및게이트전극층위의제 3 절연층을포함하는반도체장치이다. 제 2 절연층의측면부는제 2 산화물절연층과접한다. 게이트전극층은제 1 영역및 제 2 영역을포함한다. 제 1 영역은제 2 영역보다폭이크다.

Abstract translation: 第二绝缘层的本发明，在所述第一氧化物绝缘层的第一绝缘层中的氧化物半导体层，氧化物半导体层的第一源极电极层，所述氧化物的绝缘层的氧化物半导体层，和一个漏电极，源电极和漏电极层 在栅电极层上的第二氧化物绝缘层的栅极绝缘层，栅极绝缘层的栅极绝缘层，第二绝缘层，第二氧化物绝缘层，栅极绝缘层和第三绝缘层 半导体器件。 第二绝缘层的侧表面部分接触第二氧化物绝缘层。 栅电极层包括第一区域和第二区域。 第一个区域比第二个区域宽。

公开(公告)号：KR1020170051270A

公开(公告)日：2017-05-11

申请号：KR1020160135975

申请日：2016-10-19

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 타나카테츠히로 ,  오카자키유타카

IPC: H01L29/786 ,  H01L49/02 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L27/0733 ,  H01G4/008 ,  H01G4/105 ,  H01G4/40 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/94 ,  H05K1/18 ,  H05K2201/10015 ,  H05K2201/10083 ,  H05K2201/10166

Abstract: 본발명은미세한트랜지스터를제공한다. 또는, 기생용량이작은트랜지스터를제공한다. 또는, 주파수특성이높은트랜지스터를제공한다. 또는, 온전류가높은트랜지스터를제공한다. 또는, 상기트랜지스터를갖는반도체장치를제공한다. 또는, 집적도가높은반도체장치를제공한다. 또는, 신규용량소자를제공한다. 제 1 도전체, 제 2 도전체, 및절연체를갖고, 제 1 도전체는절연체를개재하여제 2 도전체와서로중첩되는영역을갖고, 제 1 도전체는텅스텐및 실리콘을갖고, 절연체는제 1 도전체를산화함으로써형성되는산화실리콘막을갖는용량소자.

Abstract translation: 本发明提供了一种精细晶体管。 或者，提供具有小寄生电容的晶体管。 或者，提供具有高频特性的晶体管。 或者，提供具有高导通电流的晶体管。 或者，提供了具有该晶体管的半导体器件。 或者，提供具有高集成度的半导体器件。 或者，提供新的电容元件。 其中，所述第一导体具有第一导体，第二导​​体和绝缘体，所述第一导体具有与所述第二导体重叠的区域，所述第二导体插入在所述第二导体与所述第二导体之间，所述第一导体具有钨和硅， 1导体。

公开(公告)号：KR1020160132873A

公开(公告)日：2016-11-21

申请号：KR1020167026477

申请日：2015-03-04

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 야마자키슌페이 ,  시오노이리유타카 ,  아츠미도모아키 ,  나가츠카슈헤이 ,  오카자키유타카 ,  혼도스구루

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/04 ,  H01L27/115 ,  H01L27/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 전기특성이좋은트랜지스터를갖는반도체장치를제공한다. 반도체장치는동일기판위에있는기억회로및 회로를갖는다. 기억회로는용량소자, 제 1 트랜지스터, 및제 2 트랜지스터를포함한다. 제 1 트랜지스터의게이트는용량소자및 제 2 트랜지스터의소스및 드레인중 한쪽에전기적으로접속된다. 회로는직렬로서로전기적으로접속되는제 3 트랜지스터및 제 4 트랜지스터를포함한다. 제 1 트랜지스터및 제 3 트랜지스터각각은실리콘을포함하는활성층을포함하고, 제 2 트랜지스터및 제 4 트랜지스터각각은산화물반도체를포함하는활성층을포함한다.

Abstract translation: 提供一种具有良好电特性的晶体管的半导体器件。 半导体器件具有位于相同衬底上的存储器电路和电路。 存储电路包括电容器，第一晶体管和第二晶体管。 第一晶体管的栅极电连接到电容器和第二晶体管的源极和漏极之一。 电路包括串联电连接的第三晶体管和第四晶体管。 第一晶体管和第三晶体管各自包括含有硅的有源层，第二晶体管和第四晶体管各自包括包含氧化物半导体的有源层。

公开(公告)号：KR1020120121846A

公开(公告)日：2012-11-06

申请号：KR1020120043275

申请日：2012-04-25

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 코에즈카준이치 ,  야마데나오토 ,  사토유헤이 ,  오카자키유타카 ,  야마자키순페이

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66742 ,  H01L21/02667 ,  H01L29/04 ,  H01L29/7869

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device is provided to prevent a defective product by forming an oxide aluminum film on a crystalline oxide semiconductor film. CONSTITUTION: A first crystalline oxide semiconductor film(403) is formed on an insulating layer. A gate insulating layer is formed on the first crystalline oxide semiconductor film. An amorphous oxide semiconductor film is formed on the gate insulating layer. A gate electrode layer(401) is formed on the gate insulating layer. An oxide aluminum film is formed on the gate electrode layer.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的方法，以通过在结晶氧化物半导体膜上形成氧化铝膜来防止缺陷产物。 构成：在绝缘层上形成第一晶体氧化物半导体膜（403）。 在第一结晶氧化物半导体膜上形成栅极绝缘层。 在栅绝缘层上形成非晶氧化物半导体膜。 在栅极绝缘层上形成栅电极层（401）。 在栅电极层上形成氧化铝膜。

公开(公告)号：KR102240815B1

公开(公告)日：2021-04-14

申请号：KR1020197003527

申请日：2016-01-15

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 아사미요시노부 ,  오카자키유타카 ,  오카모토사토루 ,  사사가와신야

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/66 ,  H01L29/423 ,  H01L21/67 ,  H01L27/12 ,  H01L21/02 ,  H01L21/4757 ,  H01L29/06

Abstract: 본발명은제 1 절연층위의제 1 산화물절연층, 제 1 산화물절연층위의산화물반도체층, 산화물반도체층위의소스전극층및 드레인전극층, 소스전극층및 드레인전극층위의제 2 절연층, 산화물반도체층위의제 2 산화물절연층, 제 2 산화물절연층위의게이트절연층, 게이트절연층위의게이트전극층, 제 2 절연층, 제 2 산화물절연층, 게이트절연층, 및게이트전극층위의제 3 절연층을포함하는반도체장치이다. 제 2 절연층의측면부는제 2 산화물절연층과접한다. 게이트전극층은제 1 영역및 제 2 영역을포함한다. 제 1 영역은제 2 영역보다폭이크다.

公开(公告)号：KR102050215B1

公开(公告)日：2019-11-29

申请号：KR1020120043275

申请日：2012-04-25

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 코에즈카준이치 ,  야마데나오토 ,  사토유헤이 ,  오카자키유타카 ,  야마자키순페이

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

公开(公告)号：KR1020160039546A

公开(公告)日：2016-04-11

申请号：KR1020150136574

申请日：2015-09-25

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 오카자키유타카 ,  모리와카토모아키 ,  사사가와신야 ,  오츠키다카시

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/304 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L21/76849 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/7869

Abstract: 본발명은미세하고소비전력이낮은반도체장치를제공한다. 제 1 절연체위에제 2 절연체를형성하고, 제 2 절연체위에제 3 절연체를형성하고, 제 2 절연체에도달되도록제 3 절연체에개구부를형성하고, 제 3 절연체위 및개구부에제 1 도전체를형성하고, 제 1 도전체위에제 2 도전체를형성한후, 연마처리함으로써제 3 절연체의상면보다위에위치하는, 제 2 도전체및 제 1 도전체를제거하고, 제 1 도전체의단부는개구부의단부에서개구부의단부의높이와같거나그보다낮고, 제 2 도전체의상면의높이는제 1 도전체의단부의높이와같거나그보다낮은, 배선층의제작방법이다.

Abstract translation: 本发明提供一种电能消耗低的精细半导体器件。 提供一种布线层制造方法，其中在第一绝缘体上形成第二绝缘体，在第二绝缘体上形成第三绝缘体，在第三绝缘体中形成开口部到达第二绝缘体，形成第一导体 在开口部分和第三绝缘体上，在第一导体上形成第二导体，然后进行抛光，使得位于第三绝缘体的上表面上方的第二导体和第一导体被移除，端部的高度 第一导体的一部分小于或等于开口部的端部的开口部的端部的高度，第二导体的上表面的高度小于或等于 第一导体的端部。

公开(公告)号：KR102205388B1

公开(公告)日：2021-01-19

申请号：KR1020177021046

申请日：2016-01-15

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 아사미요시노부 ,  오카자키유타카 ,  오카모토사토루 ,  사사가와신야

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/66 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L21/4757 ,  H01L21/67 ,  H01L27/12 ,  H01L21/02

Abstract: 본발명은제 1 절연층위의제 1 산화물절연층, 제 1 산화물절연층위의산화물반도체층, 산화물반도체층위의소스전극층및 드레인전극층, 소스전극층및 드레인전극층위의제 2 절연층, 산화물반도체층위의제 2 산화물절연층, 제 2 산화물절연층위의게이트절연층, 게이트절연층위의게이트전극층, 제 2 절연층, 제 2 산화물절연층, 게이트절연층, 및게이트전극층위의제 3 절연층을포함하는반도체장치이다. 제 2 절연층의측면부는제 2 산화물절연층과접한다. 게이트전극층은제 1 영역및 제 2 영역을포함한다. 제 1 영역은제 2 영역보다폭이크다.

公开(公告)号：KR1020210005984A

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：KR1020210001944

申请日：2021-01-07

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 야마자키순페이 ,  마츠바야시다이스케 ,  오카자키유타카

IPC: H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L29/04

Abstract: 본발명은채널길이가작아도단채널효과(short-channel effect)가실질적으로발생하지않고또 스위칭특성이얻어지는트랜지스터를제공한다. 또한, 상기트랜지스터를적용한집적도가높은반도체장치를제공한다. 실리콘을사용한트랜지스터에서발생하는단채널효과가실질적으로발생하지않는산화물반도체막을사용한트랜지스터이며, 채널길이를 5nm 이상 60nm 미만, 또채널폭을 5nm 이상 200nm 미만으로한다. 이때, 채널폭을채널길이의 0.5배이상 10배이하로한다.

公开(公告)号：KR1020150126771A

公开(公告)日：2015-11-13

申请号：KR1020150048961

申请日：2015-04-07

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 다나카데츠히로 ,  사쿠라다유지로 ,  오카자키유타카

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/314

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78696 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 과제반도체장치에양호한전기특성을부여한다. 또는, 온전류가높은반도체장치를제공한다. 또는, 미세화에적합한반도체장치를제공한다.해결수단산화물반도체막과, 소스전극과, 드레인전극과, 게이트절연막과, 게이트전극과, 절연막을갖는반도체장치로서, 소스전극은, 산화물반도체막과접하는영역을가지고, 드레인전극은, 산화물반도체막과접하는영역을가지고, 게이트절연막은, 산화물반도체막과, 게이트전극사이에설치되고, 절연막은, 게이트전극위와, 게이트절연막위에설치되고, 절연막은제 1 부분과, 제 2 부분을가지고, 제 1 부분은단차상으로되어있는부분을가지고, 제 2 부분은단차상으로되어있지않은부분을가지고, 제 1 부분은제 1 막두께인부분을가지고, 제 2 부분은제 2 막두께인부분을가지고, 제 2 막두께는제 1 막두께의 1.0배이상 2.0배이하이다.

Abstract translation: 本发明提供了具有导通电流的半导体器件或半导体器件的良好的电性能，或者适合于小型化的半导体器件。 [解决方案]半导体器件包括氧化物半导体膜; 源电极; 漏电极; 栅极绝缘膜; 栅电极; 和绝缘膜。 源极包括满足氧化物半导体膜的区域。 漏膜包括满足氧化物半导体膜的区域。 栅极绝缘膜安装在氧化物半导体膜和栅电极之间。 绝缘膜安装在栅极电极和栅极绝缘膜上。 绝缘膜包括第一和第二部分。 第一部分包括阶梯部分，第二部分包括部分，不是阶梯部分。 第一部分包括具有第一膜厚度的部分，第二部分包括具有第二膜厚度的部分。 第二膜厚比第一膜厚小1.0倍以上2.0倍以下。