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公开(公告)号：KR102221207B1
公开(公告)日：2021-03-03
申请号：KR1020197036568
申请日：2010-08-06
IPC分类号： H01L27/12 , H01L29/786 , H01L27/32 , H01L29/49 , H01L29/45
摘要： 발광장치의신뢰성을향상시키는것을목적으로한다. 발광장치는하나의기판위에구동회로용트랜지스터를포함하는구동회로부및 화소용트랜지스터를포함하는화소부를갖는다. 구동회로용트랜지스터및 화소용트랜지스터는각각산화물절연층의일부와접촉하는산화물반도체층을포함하는역 스태거형트랜지스터들이다. 화소부에있어서, 컬러필터층및 발광소자가산화물절연층위에제공된다. 구동회로용트랜지스터에있어서, 게이트전극층및 산화물반도체층과중첩하는도전층이산화물절연층위에제공된다. 게이트전극층, 소스전극층, 및드레인전극층은금속도전막들을사용하여형성된다.
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公开(公告)号：KR1020210013751A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：KR1020210012299
申请日：2021-01-28
IPC分类号： H01L29/786
摘要： 구리, 알루미늄, 금, 은, 몰리브덴등을사용하여형성되는배선의가공공정의안정성을높인다. 또는, 본반도체막의불순물농도를저감한다. 또는, 반도체장치의전기특성을향상시킨다. 산화물반도체막과, 상기산화물반도체막에접하는산화물막과, 상기산화물막에접하는, 구리, 알루미늄, 금, 은, 몰리브덴등을사용하여형성되는한 쌍의도전막을갖는트랜지스터에있어서, 산화물막이복수의결정부를갖고, 상기복수의결정부에있어서, c축배향성을갖고, 또한 c축이산화물반도체막또는산화물막의상면의법선벡터에평행한방향을향하고있다.
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公开(公告)号：KR101914026B1
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：KR1020177035039
申请日：2010-08-30
IPC分类号： H01L21/02 , H01L29/04 , H01L29/26 , H01L29/786 , H01L27/12 , H01L29/417 , H01L29/66
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/2636 , H01L27/1225 , H01L29/04 , H01L29/045 , H01L29/12 , H01L29/24 , H01L29/41733 , H01L29/66969 , H01L29/78696
摘要： 본발명의목적은양호한전기특성들을가진매우신뢰가능한반도체장치와, 반도체장치를스위칭소자로서포함하는표시장치를제공하는것이다. 산화물반도체층을포함하는트랜지스터에서, 산화물반도체층의적어도하나의표면측상에제공된침형결정군(needle crystal group)은상기표면에수직한 c-축방향으로성장하고상기표면에평행한 a-b 평면을포함하고, 침형결정군을제외한부분은비정질영역이거나또는비정질과미결정들이혼합된영역이다. 따라서, 양호한전기특성들을가진매우신뢰가능한반도체장치가형성될수 있다.
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公开(公告)号：KR101823852B1
公开(公告)日：2018-03-14
申请号：KR1020127009412
申请日：2010-08-26
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1368
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L29/04 , H01L29/045 , H01L29/78618 , H01L29/78693 , H01L29/78696
摘要： 양호한전기특성및 높은신뢰성을갖는트랜지스터및 그트랜지스터를포함하는표시장치를제공한다. 트랜지스터는채널영역에대해산화물반도체를사용하여형성된보텀-게이트트랜지스터이다. 가열처리를통해탈수화또는탈수소화된산화물반도체층이활성층으로서사용된다. 활성층은미결정화된표층부의제 1 영역및 나머지부분의제 2 영역을포함한다. 이러한구조를갖는산화물반도체층을사용함으로써, 표층부에대한수분의혼입또는표층부로부터의산소의탈리로인한 n-형으로의변화및 기생채널의생성이억제될수 있다. 또한, 산화물반도체층과소스및 드레인전극들사이의접촉저항이감소될수 있다.
摘要翻译： 提供具有良好电特性和高可靠性的晶体管以及包括该晶体管的显示装置。 晶体管是使用用于沟道区的氧化物半导体形成的底栅晶体管。 通过热处理脱水或脱氢的氧化物半导体层被用作有源层。 有源层包括微晶化表面层部分的第一区域和剩余部分的第二区域。 通过使用具有这样的结构，在n-型和产生的寄生信道的变化的氧化物半导体层，由于在表面层robuteoui氧的水的表面层部分的引入或消除可被抑制。 此外，可以减小氧化物半导体层与源电极和漏电极之间的接触电阻。
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公开(公告)号：KR1020170139683A
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：KR1020177035039
申请日：2010-08-30
IPC分类号： H01L21/02 , H01L29/04 , H01L29/26 , H01L29/786 , H01L27/12 , H01L29/417 , H01L29/66
CPC分类号： H01L29/78696 , H01L21/2636 , H01L27/1225 , H01L29/04 , H01L29/045 , H01L29/12 , H01L29/24 , H01L29/41733 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L21/02565 , H01L29/26 , H01L29/66742
摘要： 본발명의목적은양호한전기특성들을가진매우신뢰가능한반도체장치와, 반도체장치를스위칭소자로서포함하는표시장치를제공하는것이다. 산화물반도체층을포함하는트랜지스터에서, 산화물반도체층의적어도하나의표면측상에제공된침형결정군(needle crystal group)은상기표면에수직한 c-축방향으로성장하고상기표면에평행한 a-b 평면을포함하고, 침형결정군을제외한부분은비정질영역이거나또는비정질과미결정들이혼합된영역이다. 따라서, 양호한전기특성들을가진매우신뢰가능한반도체장치가형성될수 있다.
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公开(公告)号：KR1020170132117A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：KR1020170156330
申请日：2017-11-22
IPC分类号： H01L27/12 , H01L29/45 , G02F1/1362 , G02F1/1368 , H01L33/00
CPC分类号： H01L27/1225 , H01L21/385 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L27/1255 , H01L27/127 , H01L27/1288 , H01L29/4908 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L33/0041 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 본발명은반도체장치의신뢰성을향상하는것을과제의하나로한다. 동일기판위에구동회로부와, 표시부(화소부라고도함)를갖고, 구동회로부와표시부는반도체층이산화물반도체로구성된박막트랜지스터와, 제 1 배선과, 제 2 배선을갖고, 박막트랜지스터는주연부가반도체층의주연부보다내측에위치하는소스전극층또는드레인전극층을갖고, 구동회로부의박막트랜지스터는반도체층을게이트전극층과도전층으로끼워구성하고, 제 1 배선과제 2 배선은게이트절연층에형성된개구에서산화물도전층을통하여전기적으로접속되는반도체장치.
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公开(公告)号：KR101710345B1
公开(公告)日：2017-02-27
申请号：KR1020100082294
申请日：2010-08-25
IPC分类号： G02F1/136 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/477 , G02F1/133345 , G02F1/1368 , H01L21/02565 , H01L21/02664 , H01L27/1225 , H01L27/1248 , H01L27/1251 , H01L27/1259 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要： 본발명은, 동일기판위의화소회로및 구동회로를상기회로의특성에각각맞춘구조가상이한트랜지스터로형성하고, 표시특성이우수한표시장치를제공한다. 동일기판위에화소부와구동회로부를갖고, 상기구동회로부는게이트전극층, 소스전극층및 드레인전극층이금속막으로구성되고, 또채널층이산화물반도체로구성된구동회로용트랜지스터를갖는다. 또한, 상기화소부는게이트전극층, 소스전극층및 드레인전극층이산화물도전체로구성되고, 또반도체층이산화물반도체로구성된화소용트랜지스터를갖는다. 상기화소용트랜지스터는투광성을갖는재료로형성되고, 고개구율의표시장치를제작할수 있다.
摘要翻译： 本发明的目的是提供具有优异显示特性的显示装置，其中使用具有对应于各个电路的特性的不同结构的晶体管形成设置在一个基板上的像素电路和驱动电路。 驱动器电路部分包括驱动电路晶体管，其中使用金属膜形成栅电极层，源电极层和漏电极层，并且使用氧化物半导体形成沟道层。 像素部分包括其中使用氧化物导体形成栅电极层，源电极层和漏电极层的像素晶体管，并且使用氧化物半导体形成半导体层。 像素晶体管使用透光材料形成，因此可以制造具有较高开口率的显示装置。
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公开(公告)号：KR1020170015419A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：KR1020170012398
申请日：2017-01-26
CPC分类号： H01L27/3262 , H01L27/1225 , H01L27/322 , H01L27/3248 , H01L51/5278 , H01L2251/5323 , H01L29/45
摘要： 동일기판위에복수종류의회로를형성하고, 복수종류의회로의특성에각각맞춘복수종류의박막트랜지스터를구비한발광장치를제공하는것을과제의하나로한다. 화소용박막트랜지스터로서소스전극층및 드레인전극층위에중첩하는산화물반도체층을갖는역코플래너형을사용하고, 구동회로용박막트랜지스터로서채널스톱형을사용하고, 화소용박막트랜지스터와전기적으로접속하는발광소자와중첩하는위치에컬러필터층을박막트랜지스터와발광소자의사이에형성한다.
摘要翻译： 包括根据多种电路的特性，在一个基板上形成多种电路的多个薄膜晶体管的发光器件。 将包括与源极和漏极层重叠的氧化物半导体层的倒置共面薄膜晶体管用作像素用的薄膜晶体管，使用沟道截止薄膜晶体管作为用于驱动电路的薄膜晶体管， 并且在用于像素的薄膜晶体管和发光元件之间设置滤色器层，以与与像素的薄膜晶体管电连接的发光元件重叠。
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公开(公告)号：KR1020160133512A
公开(公告)日：2016-11-22
申请号：KR1020167028315
申请日：2015-03-06
IPC分类号： H01L27/146 , H01L27/12 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/14616 , H01L27/1207 , H01L27/1225 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L29/7869
摘要： 고품질의화상을촬영할수 있고저비용으로제작할수 있는촬상장치를제공한다. 제 1 회로는제 1 트랜지스터및 제 2 트랜지스터를포함하고, 제 2 회로는제 3 트랜지스터및 포토다이오드를포함한다. 제 1 트랜지스터및 제 3 트랜지스터각각은활성층으로서산화물반도체층을포함하는 n채널트랜지스터이고, 제 2 트랜지스터는실리콘기판에활성영역을포함하는 p채널트랜지스터이다. 포토다이오드는실리콘기판에제공된다. 제 1 트랜지스터와제 2 트랜지스터가절연층을개재하여서로중첩되는영역이제공된다. 제 3 트랜지스터와포토다이오드가상기절연층을개재하여서로중첩되는영역이제공된다.
摘要翻译： 提供能够以高质量拍摄图像并且可以以低成本制造的成像装置。 第一电路包括第一晶体管和第二晶体管，第二电路包括第三晶体管和光电二极管。 第一晶体管和第三晶体管分别是包括作为有源层的氧化物半导体层的n沟道晶体管，并且第二晶体管是包括硅衬底中的有源区的p沟道晶体管。 光电二极管设置在硅衬底中。 提供了其中第一晶体管和第二晶体管彼此重叠的区域，其间设置有绝缘层。 提供了其中第三晶体管和光电二极管彼此重叠的区域，绝缘层位于其间。
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公开(公告)号：KR1020150093644A
公开(公告)日：2015-08-18
申请号：KR1020150109997
申请日：2015-08-04
IPC分类号： H01L27/12 , H01L29/45 , G02F1/1362 , G02F1/1368
CPC分类号： H01L27/1225 , H01L21/385 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L27/1255 , H01L27/127 , H01L27/1288 , H01L29/4908 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L33/0041 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 본 발명은 반도체 장치의 신뢰성을 향상하는 것을 과제의 하나로 한다.
동일 기판 위에 구동 회로부와, 표시부(화소부라고도 함)를 갖고, 구동 회로부와 표시부는 반도체층이 산화물 반도체로 구성된 박막 트랜지스터와, 제 1 배선과, 제 2 배선을 갖고, 박막 트랜지스터는 주연부가 반도체층의 주연부보다 내측에 위치하는 소스 전극층 또는 드레인 전극층을 갖고, 구동 회로부의 박막 트랜지스터는 반도체층을 게이트 전극층과 도전층으로 끼워 구성하고, 제 1 배선과 제 2 배선은 게이트 절연층에 형성된 개구에서 산화물 도전층을 통하여 전기적으로 접속되는 반도체 장치.摘要翻译： 本发明的目的是提高半导体器件的可靠性。 它包括在相同基板上的驱动电路部分和显示部分（像素部分）。 驱动电路部分和显示部分包括由氧化物半导体制成的薄膜晶体管，第一线和第二线。 薄膜晶体管具有源电极和漏电极，位于半导体层的周边部分的内侧。 驱动电路部分的薄膜晶体管通过将半导体层插入栅电极层和导电层而形成。 第一线和第二线通过形成在栅极绝缘层中的开口与氧化物导电层电连接。
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