公开(公告)号：KR102242288B1

公开(公告)日：2021-04-19

申请号：KR1020140005242

申请日：2014-01-15

申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

发明人： 코에주카준이치 ,  시마유키노리 ,  히라이시스즈노스케 ,  오카자키켄이치

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

摘要： 본발명은, 산화물반도체막을이용한반도체장치에서산화물반도체막의결함을저감하는것을과제로한다. 또한, 산화물반도체막을이용한반도체장치에서전기특성을향상시키는것을과제로한다. 또한, 산화물반도체막을이용한반도체장치에서신뢰성을향상시키는것을과제로한다. 기판위에게이트전극및 게이트절연막을형성하고, 게이트절연막위에, 산화물반도체막을형성하고, 산화물반도체막에접하는한쌍의전극을형성하고, 산화물반도체막, 및상기한쌍의전극위에, 280℃이상 400℃이하의성막조건을이용한플라즈마 CVD법에의해제 1 산화물절연막을형성하고, 제 1 산화물절연막위에제 2 산화물절연막을형성하고, 150℃이상 400℃이하, 바람직하게는 300℃이상 400℃이하, 바람직하게는 320℃이상 370℃이하에서가열처리를행하는반도체장치의제작방법이다.

公开(公告)号：KR102227591B1

公开(公告)日：2021-03-15

申请号：KR1020157012927

申请日：2013-10-03

申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

发明人： 야마자키순페이 ,  오카자키켄이치 ,  마시야마미츠오 ,  한다타쿠야 ,  와타나베마사히로 ,  토쿠나가하지메

IPC分类号： H01L29/786

摘要： 산화물반도체층을포함하는트랜지스터의안정적인전기특성들이달성된다. 이러한트랜지스터를포함하는고도로신뢰할수 있는반도체장치가제공된다. 이러한반도체장치는, 산화물층및 산화물반도체층으로이루어진다층막, 산화물층과접하는게이트절연막및 게이트절연막을개재하여다층막과중첩하는게이트전극을포함한다. 산화물층은산화물반도체층과공통인원소를포함하고, 산화물반도체층보다큰 에너지갭을갖는다. 산화물층과산화물반도체층사이의조성은점진적으로변한다.

公开(公告)号：KR101745341B1

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：KR1020167025700

申请日：2010-08-06

申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

发明人： 야마자키순페이 ,  사카타준이치로 ,  사카쿠라마사유키 ,  오이카와요시아키 ,  오카자키켄이치 ,  마루야마호타카

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L27/32 ,  H01L29/49 ,  H01L29/45

CPC分类号： H01L29/78696 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/247 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L51/52 ,  H01L2227/323

摘要： 발광장치의신뢰성을향상시키는것을목적으로한다. 발광장치는하나의기판위에구동회로용트랜지스터를포함하는구동회로부및 화소용트랜지스터를포함하는화소부를갖는다. 구동회로용트랜지스터및 화소용트랜지스터는각각산화물절연층의일부와접촉하는산화물반도체층을포함하는역 스태거형트랜지스터들이다. 화소부에있어서, 컬러필터층및 발광소자가산화물절연층위에제공된다. 구동회로용트랜지스터에있어서, 게이트전극층및 산화물반도체층과중첩하는도전층이산화물절연층위에제공된다. 게이트전극층, 소스전극층, 및드레인전극층은금속도전막들을사용하여형성된다.

公开(公告)号：KR1020170056709A

公开(公告)日：2017-05-23

申请号：KR1020177012688

申请日：2010-10-18

申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

发明人： 이치조미쓰히로 ,  다나카데츠히로 ,  야수모토세이지 ,  마시로슌 ,  오이카와요시아키 ,  오카자키켄이치

IPC分类号： H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L29/66 ,  C23C16/30 ,  C23C16/455 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32 ,  H01J37/34

CPC分类号： H01L21/44 ,  C23C16/308 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/34 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/67167 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

摘要： 본발명의목적은반도체장치를고속으로구동하고반도체장치의신뢰성을개선하는것이다. 반도체장치를제작하기위한방법에서, 게이트전극이절연성을가진기판위에형성되고, 게이트절연막이게이트전극위에형성되고, 산화물반도체막이게이트절연막위에형성되고, 게이트절연막이고밀도플라즈마를이용하여성막처리에의해형성된다. 따라서, 게이트절연막에서의미결합수가감소되고, 게이트절연막과산화물반도체사이의계면의품질이개선된다.

摘要翻译： 本发明的目的是高速驱动半导体器件并提高半导体器件的可靠性。 在用于制造半导体器件的方法中，由具有绝缘性的基板上形成的栅电极，被，通过栅极通过成膜处理绝缘膜使用高密度等离子体形成的栅极绝缘膜形成在栅电极，氧化物和半导体膜的栅极绝缘膜 它形成。 因此，耦合装置的数量上的栅绝缘膜被减小，由此提高了栅极半导体过氧化物间绝缘膜的表面质量。

公开(公告)号：KR1020170012522A

公开(公告)日：2017-02-02

申请号：KR1020170009625

申请日：2017-01-20

申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

发明人： 야마자키슌페이 ,  사카타쥬니치로 ,  사카쿠라마사유키 ,  오이카와요시아키 ,  오카자키켄이치 ,  마루야마호타카 ,  츄부쿠마사시

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC分类号： H01L27/1225 ,  G02F1/13306 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/133528 ,  G02F1/1337 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/13394 ,  G02F1/134336 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/136204 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/133302 ,  G02F2001/133357 ,  G02F2201/123 ,  G11C19/28 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/247 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

摘要： 반도체장치의신뢰성을향상하는것을과제의하나로한다. 동일기판위에구동회로부와, 표시부(화소부라고도함)를갖고, 구동회로부와표시부는, 반도체층이산화물반도체에의해구성된박막트랜지스터와, 제 1 배선과, 제 2 배선을갖고, 박막트랜지스터는, 소스전극층또는드레인전극층을갖고, 구동회로부의박막트랜지스터는, 반도체층을게이트전극층과도전층으로끼워서구성하고, 제 1 배선과제 2 배선은, 게이트절연막에형성된개구에있어서, 산화물도전층을통하여전기적으로접속되어있는반도체장치.

摘要翻译： 目的是提高半导体器件的可靠性。 提供了包括驱动电路部分和在相同基板上的显示部分（也称为像素部分）的半导体器件。 驱动器电路部分和显示部分包括其中半导体层包括氧化物半导体的薄膜晶体管; 第一布线 和第二布线。 薄膜晶体管各自包括源极电极层和漏极电极层。 在驱动电路部分的薄膜晶体管中，半导体层夹在栅电极层和导电层之间。 第一布线和第二布线在通过氧化物导电层设置在栅极绝缘膜中的开口中彼此电连接。

公开(公告)号：KR1020160113735A

公开(公告)日：2016-09-30

申请号：KR1020167025700

申请日：2010-08-06

申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

发明人： 야마자키순페이 ,  사카타준이치로 ,  사카쿠라마사유키 ,  오이카와요시아키 ,  오카자키켄이치 ,  마루야마호타카

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L27/32 ,  H01L29/49 ,  H01L29/45

CPC分类号： H01L29/78696 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/247 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L51/52 ,  H01L2227/323 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78606

摘要： 발광장치의신뢰성을향상시키는것을목적으로한다. 발광장치는하나의기판위에구동회로용트랜지스터를포함하는구동회로부및 화소용트랜지스터를포함하는화소부를갖는다. 구동회로용트랜지스터및 화소용트랜지스터는각각산화물절연층의일부와접촉하는산화물반도체층을포함하는역 스태거형트랜지스터들이다. 화소부에있어서, 컬러필터층및 발광소자가산화물절연층위에제공된다. 구동회로용트랜지스터에있어서, 게이트전극층및 산화물반도체층과중첩하는도전층이산화물절연층위에제공된다. 게이트전극층, 소스전극층, 및드레인전극층은금속도전막들을사용하여형성된다.

公开(公告)号：KR1020140108120A

公开(公告)日：2014-09-05

申请号：KR1020140015684

申请日：2014-02-11

申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

发明人： 토쿠나가하지메 ,  한다타쿠야 ,  오카자키켄이치

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78696

摘要： A transistor or the like having high field-effect mobility is provided. A transistor or the like having stable electrical characteristics is provided. A semiconductor device including a first oxide semiconductor layer, a second oxide semiconductor layer, a gate insulating film, and a gate electrode which partly overlap with one another is provided. The second oxide semiconductor layer is positioned between the first oxide semiconductor layer and the gate insulating film. The gate insulating film is positioned between the second oxide semiconductor layer and the gate electrode. The first oxide semiconductor layer has fewer oxygen losses than those of the second oxide semiconductor layer.

摘要翻译： 提供具有高场效应迁移率的晶体管等。 提供具有稳定电特性的晶体管等。 提供了包括第一氧化物半导体层，第二氧化物半导体层，栅极绝缘膜和彼此部分重叠的栅电极的半导体器件。 第二氧化物半导体层位于第一氧化物半导体层和栅极绝缘膜之间。 栅极绝缘膜位于第二氧化物半导体层和栅电极之间。 第一氧化物半导体层比第二氧化物半导体层具有更少的氧损失。

公开(公告)号：KR1020140094448A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：KR1020140005242

申请日：2014-01-15

申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

发明人： 코에주카준이치 ,  시마유키노리 ,  히라이시스즈노스케 ,  오카자키켄이치

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/78648

摘要： The tasks of the present invention are to reduce defects in an oxide semiconductor membrane in a semiconductor device using an oxide semiconductor membrane, improve electric properties of the semiconductor device using the oxide semiconductor membrane, and improve reliability of the semiconductor device using the oxide semiconductor membrane. A method of manufacturing a semiconductor device includes: formation of a gate electrode and a gate insulation membrane on a substrate; formation of an oxide semiconductor membrane and a pair of electrodes on the gate insulation membrane; formation of a first oxide insulation membrane on the oxide semiconductor membrane and the pair of the electrodes through a plasma CVD method using a deposition condition requiring at least 280 and at most 400°C; formation of a second oxide insulation membrane on the first oxide insulation membrane; and execution of a heating process at a temperature between at least 150 and at most 400°C, desirably between at least 300 and at most 400°C, and more desirably between at least 320 and at most 370°C.

摘要翻译： 本发明的任务是减少使用氧化物半导体膜的半导体器件中的氧化物半导体膜中的缺陷，改善使用氧化物半导体膜的半导体器件的电特性，并提高使用氧化物半导体膜的半导体器件的可靠性 。 制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成栅电极和栅极绝缘膜; 在栅绝缘膜上形成氧化物半导体膜和一对电极; 通过等离子体CVD法，使用需要至少280和最多400℃的沉积条件，在氧化物半导体膜和一对电极上形成第一氧化物绝缘膜; 在第一氧化物绝缘膜上形成第二氧化物绝缘膜; 并且在至少150℃至400℃之间的温度下，优选在至少300℃至400℃之间，更优选在至少320℃至370℃之间的温度下进行加热过程。

公开(公告)号：KR102238682B1

公开(公告)日：2021-04-08

申请号：KR1020140015684

申请日：2014-02-11

申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

发明人： 토쿠나가하지메 ,  한다타쿠야 ,  오카자키켄이치

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

摘要： 본발명은전계효과이동도가높은트랜지스터등을제공할수 있다. 또는, 전기특성이안정된트랜지스터등을제공할수 있다. 부분적으로중첩하여제공된제 1 산화물반도체층, 제 2 산화물반도체층, 게이트절연막, 및게이트전극을가지고, 제 2 산화물반도체층은제 1 산화물반도체층과게이트절연막사이에위치하고, 게이트절연막은제 2 산화물반도체층과게이트전극사이에위치하고, 제 1 산화물반도체층은제 2 산화물반도체층보다산소결손량이적은반도체장치이다.

公开(公告)号：KR20210021614A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：KR20217005067

申请日：2014-11-24

申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

发明人： 야마자키슌페이 ,  오카자키켄이치 ,  카타야마마사히로

IPC分类号： H01L27/32 ,  H01L27/12

摘要： 본발명의목적은하나의기판위에복수종류의회로를형성하고, 복수종류의회로의특성에대응하는복수종류의트랜지스터를제공한표시장치를제공하는것이다. 표시장치는하나의기판(11) 위의, 화소부와화소부를구동하는구동회로를포함한다. 화소부는제 1 산화물반도체막(84)을포함하는제 1 트랜지스터(10m)를포함한다. 구동회로는제 2 산화물반도체막(82)을포함하는제 2 트랜지스터(10k)를포함한다. 제 1 산화물반도체막(84) 및제 2 산화물반도체막(82)은하나의절연표면위에형성된다. 제 1 트랜지스터(10m)의채널길이는제 2 트랜지스터(10k)의채널길이보다길다. 제 1 트랜지스터(10m)의채널길이는 2.5μm 이상이다.