公开(公告)号：KR1020120125172A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：KR1020120046790

申请日：2012-05-03

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 고에즈카준이치 ,  야마데나오토 ,  요시오카교코 ,  사토유헤이 ,  테라시마마리

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/04 ,  H01L29/66742

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device is provided to prevent defects generated in the interface by forming an oxide aluminum film on an amorphous oxide semiconductor layer so that oxygen in the amorphous oxide semiconductor layer is not emitted and heat-treating it. CONSTITUTION: An amorphous oxide is formed on a semiconductor layer. A gate insulating layer(406) is formed on an amorphous oxide semiconductor layer(404). Oxygen is injected into the amorphous oxide semiconductor layer so that the amorphous oxide semiconductor layer comprises an area which contains the oxygen exceeding chemical composition ratio. A gate electrode(410) is formed on the gate insulating layer. An insulating layer which includes an aluminum oxide is formed in the gate electrode.

Abstract translation: 目的：提供半导体器件以通过在非晶氧化物半导体层上形成氧化物铝膜来防止在界面中产生的缺陷，使得非晶氧化物半导体层中的氧不被发射并对其进行热处理。 构成：在半导体层上形成无定形氧化物。 在非晶氧化物半导体层（404）上形成栅极绝缘层（406）。 将氧气注入到非晶氧化物半导体层中，使得非晶氧化物半导体层包括含氧超过化学组成比的区域。 栅电极（410）形成在栅极绝缘层上。 在栅电极中形成包含氧化铝的绝缘层。

公开(公告)号：KR102026603B1

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：KR1020187029442

申请日：2011-01-13

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 고도히로미치 ,  아라이야스유키 ,  오카모토사토히로 ,  테라시마마리 ,  니시다에리코 ,  수가오준페이

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/45

公开(公告)号：KR1020120117915A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：KR1020127022853

申请日：2011-01-13

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 고도히로미치 ,  아라이야스유키 ,  오카모토사토히로 ,  테라시마마리 ,  니시다에리코 ,  수가오준페이

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78696

Abstract: 본 발명의 목적은 양호한 특성들이 유지되면서 미세화가 달성되는 산화물 반도체를 포함하는 반도체 장치를 제공하는 것이다. 상기 반도체는 산화물 반도체층, 상기 산화물 반도체층과 접하는 소스 전극 및 드레인 전극, 상기 산화물 반도체층과 중첩하는 게이트 전극, 상기 산화물 반도체층과 상기 게이트 전극 사이에 제공된 게이트 절연층, 및 상기 산화물 반도체층과 접하여 제공된 절연층을 포함한다. 상기 산화물 반도체층의 측면은 상기 소스 전극 또는 상기 드레인 전극과 접한다. 상기 산화물 반도체층의 상면은 상기 절연층을 상기 산화물 반도체층과 상기 소스 전극 또는 상기 드레인 전극 사이에 개재시켜 상기 소스 전극 또는 상기 드레인 전극과 중첩한다.