公开(公告)号：KR1020120125172A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：KR1020120046790

申请日：2012-05-03

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 고에즈카준이치 ,  야마데나오토 ,  요시오카교코 ,  사토유헤이 ,  테라시마마리

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/04 ,  H01L29/66742

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device is provided to prevent defects generated in the interface by forming an oxide aluminum film on an amorphous oxide semiconductor layer so that oxygen in the amorphous oxide semiconductor layer is not emitted and heat-treating it. CONSTITUTION: An amorphous oxide is formed on a semiconductor layer. A gate insulating layer(406) is formed on an amorphous oxide semiconductor layer(404). Oxygen is injected into the amorphous oxide semiconductor layer so that the amorphous oxide semiconductor layer comprises an area which contains the oxygen exceeding chemical composition ratio. A gate electrode(410) is formed on the gate insulating layer. An insulating layer which includes an aluminum oxide is formed in the gate electrode.

Abstract translation: 目的：提供半导体器件以通过在非晶氧化物半导体层上形成氧化物铝膜来防止在界面中产生的缺陷，使得非晶氧化物半导体层中的氧不被发射并对其进行热处理。 构成：在半导体层上形成无定形氧化物。 在非晶氧化物半导体层（404）上形成栅极绝缘层（406）。 将氧气注入到非晶氧化物半导体层中，使得非晶氧化物半导体层包括含氧超过化学组成比的区域。 栅电极（410）形成在栅极绝缘层上。 在栅电极中形成包含氧化铝的绝缘层。

公开(公告)号：KR1020150073096A

公开(公告)日：2015-06-30

申请号：KR1020140182188

申请日：2014-12-17

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 야마자키순페이 ,  야마데나오토 ,  야마모토요시타카 ,  스자와,히데오미 ,  사카쿠라마사유키 ,  사토유헤이 ,  야마네야수마사

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/383 ,  H01L21/425 ,  H01L21/441 ,  H01L21/465 ,  H01L21/477 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/78606

Abstract: 본발명은산화물반도체를사용한반도체장치에서, 전기특성을향상시킨다. 기판위에제공된제 1 게이트전극및 제 1 절연막위에제 1 산화물반도체막을형성하고제 1 산화물반도체막에산소를첨가한후, 제 1 산화물반도체막위에제 2 산화물반도체막을형성하고, 가열처리를수행하여제 1 산화물반도체막에포함되는산소의일부를제 2 산화물반도체막으로이동시킨다. 다음에제 1 절연막, 및산소가첨가된제 1 산화물반도체막및 제 2 산화물반도체막의각각일부를에칭하여, 볼록부를갖는제 1 게이트절연막, 에칭된제 1 산화물반도체막, 및에칭된제 2 산화물반도체막을형성한다. 다음에에칭된제 2 산화물반도체막위에한 쌍의전극을형성하고, 에칭된제 2 산화물반도체막및 한쌍의전극위에제 3 산화물반도체막을형성한다. 다음에제 3 산화물반도체막위에제 2 게이트절연막을형성하고, 제 2 게이트절연막위에제 2 게이트전극을형성하는반도체장치의제작방법이다.

Abstract translation: 本发明改善使用氧化物半导体的半导体器件中的电性能。 一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在第一栅电极上方形成第一氧化物半导体膜，在衬底上形成第一绝缘膜，向第一氧化物半导体膜中加入氧，在第一氧化物半导体膜上方形成第二氧化物半导体膜 氧化物半导体膜，进行加热处理，将包含在第一氧化物半导体膜中的一部分氧气移动到第二氧化物半导体膜; 分别蚀刻第一绝缘膜的一部分，添加有氧的第一氧化物半导体膜和第二氧化物半导体膜，并且形成具有凸部的第一栅绝缘膜，第一蚀刻氧化物半导体膜和第二蚀刻氧化物半导体膜 蚀刻氧化物半导体膜; 在所述第二蚀刻氧化物半导体膜上形成一对电极，在所述第二蚀刻氧化物半导体膜上方形成第三氧化物半导体膜和一对电极; 在所述第三氧化物半导体膜上方形成第二栅极绝缘膜，以及在所述第二栅极绝缘膜的上方形成第二栅电极。

公开(公告)号：KR1020120121846A

公开(公告)日：2012-11-06

申请号：KR1020120043275

申请日：2012-04-25

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 코에즈카준이치 ,  야마데나오토 ,  사토유헤이 ,  오카자키유타카 ,  야마자키순페이

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66742 ,  H01L21/02667 ,  H01L29/04 ,  H01L29/7869

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device is provided to prevent a defective product by forming an oxide aluminum film on a crystalline oxide semiconductor film. CONSTITUTION: A first crystalline oxide semiconductor film(403) is formed on an insulating layer. A gate insulating layer is formed on the first crystalline oxide semiconductor film. An amorphous oxide semiconductor film is formed on the gate insulating layer. A gate electrode layer(401) is formed on the gate insulating layer. An oxide aluminum film is formed on the gate electrode layer.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的方法，以通过在结晶氧化物半导体膜上形成氧化铝膜来防止缺陷产物。 构成：在绝缘层上形成第一晶体氧化物半导体膜（403）。 在第一结晶氧化物半导体膜上形成栅极绝缘层。 在栅绝缘层上形成非晶氧化物半导体膜。 在栅极绝缘层上形成栅电极层（401）。 在栅电极层上形成氧化铝膜。

公开(公告)号：KR102124296B1

公开(公告)日：2020-06-18

申请号：KR1020120101392

申请日：2012-09-13

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 야마자키순페이 ,  이소베아츠오 ,  고도히로미치 ,  하타노다케히사 ,  데즈카사치아키 ,  혼도수구루 ,  야마데나오토 ,  고에즈카쥬니치

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

公开(公告)号：KR1020130030214A

公开(公告)日：2013-03-26

申请号：KR1020120101392

申请日：2012-09-13

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 야마자키순페이 ,  이소베아츠오 ,  고도히로미치 ,  하타노다케히사 ,  데즈카사치아키 ,  혼도수구루 ,  야마데나오토 ,  고에즈카쥬니치

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/41733 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/45

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device is provided to improve an electric property by including an oxide semiconductor layer including a low resistance area. CONSTITUTION: An oxide semiconductor layer(409) is located on a first conductive layer and a second conductive layer and is electrically connected to the first conductive layer and the second conductive layer. A first insulation layer is formed on the oxide semiconductor layer. A gate electrode layer(401) is formed on the oxide semiconductor layer by interposing the first insulation layer. A first wiring layer(465a) is located on the first insulation layer and is electrically connected to the oxide semiconductor layer. The first wiring layer overlaps with the first conductive layer. A second wiring layer(465b) is located on the first insulation layer and is electrically connected to the oxide semiconductor layer. The second wiring layer overlaps with the second conductive layer.

Abstract translation: 目的：提供一种半导体器件，通过包括具有低电阻面积的氧化物半导体层来提高电性能。 构成：氧化物半导体层（409）位于第一导电层和第二导电层上，并与第一导电层和第二导电层电连接。 在氧化物半导体层上形成第一绝缘层。 通过插入第一绝缘层，在氧化物半导体层上形成栅电极层（401）。 第一布线层（465a）位于第一绝缘层上并与氧化物半导体层电连接。 第一布线层与第一导电层重叠。 第二布线层（465b）位于第一绝缘层上并与氧化物半导体层电连接。 第二布线层与第二导电层重叠。

公开(公告)号：KR102203921B1

公开(公告)日：2021-01-18

申请号：KR1020140182188

申请日：2014-12-17

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 야마자키순페이 ,  야마데나오토 ,  야마모토요시타카 ,  스자와,히데오미 ,  사카쿠라마사유키 ,  사토유헤이 ,  야마네야수마사

IPC: H01L29/786

Abstract: 본발명은산화물반도체를사용한반도체장치에서, 전기특성을향상시킨다. 기판위에제공된제 1 게이트전극및 제 1 절연막위에제 1 산화물반도체막을형성하고제 1 산화물반도체막에산소를첨가한후, 제 1 산화물반도체막위에제 2 산화물반도체막을형성하고, 가열처리를수행하여제 1 산화물반도체막에포함되는산소의일부를제 2 산화물반도체막으로이동시킨다. 다음에제 1 절연막, 및산소가첨가된제 1 산화물반도체막및 제 2 산화물반도체막의각각일부를에칭하여, 볼록부를갖는제 1 게이트절연막, 에칭된제 1 산화물반도체막, 및에칭된제 2 산화물반도체막을형성한다. 다음에에칭된제 2 산화물반도체막위에한 쌍의전극을형성하고, 에칭된제 2 산화물반도체막및 한쌍의전극위에제 3 산화물반도체막을형성한다. 다음에제 3 산화물반도체막위에제 2 게이트절연막을형성하고, 제 2 게이트절연막위에제 2 게이트전극을형성하는반도체장치의제작방법이다.

公开(公告)号：KR102050215B1

公开(公告)日：2019-11-29

申请号：KR1020120043275

申请日：2012-04-25

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 코에즈카준이치 ,  야마데나오토 ,  사토유헤이 ,  오카자키유타카 ,  야마자키순페이

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

公开(公告)号：KR1020160073374A

公开(公告)日：2016-06-24

申请号：KR1020167009051

申请日：2014-10-15

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 안도요시노리 ,  미야이리히데카즈 ,  야마데나오토 ,  히가아사코 ,  스즈키미키 ,  이에다요시노리 ,  스즈키야스타카 ,  네이고세이 ,  야마자키슌페이

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/66 ,  H01L21/02 ,  H01L21/469 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/66969 ,  C23C14/086 ,  C23C14/351 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/469 ,  H01L21/4757 ,  H01L21/477 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/088 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 산화물반도체를포함하는반도체장치의전기적특성을향상시키고, 전기적특성의편차가작고신뢰성이높은반도체장치를제공한다. 반도체장치는제 1 절연막, 제 1 절연막위의제 1 배리어막, 제 1 배리어막위의제 2 절연막, 및제 2 절연막위의제 1 산화물반도체막을포함하는제 1 트랜지스터를포함한다. 열탈착분광법으로측정되는, 400℃이상의소정의온도에서제 1 절연막으로부터방출되는수소분자의양은, 300℃에서의수소분자의방출량의 130% 이하이다. 제 2 절연막은화학량론적조성에서의산소보다높은비율로산소를함유하는영역을포함한다.

Abstract translation: 本发明提供一种半导体装置，其提高包含氧化物半导体的半导体装置的电特性，且电特性的偏差小且可靠性高。 该半导体器件包括：第一晶体管，包括第一绝缘膜，第一绝缘膜上的第一阻挡膜，第一阻挡膜上的第二绝缘膜以及第二绝缘膜上的第一氧化物半导体膜。 通过热解吸光谱法测量，在400Pa以上的预定温度下从第一绝缘膜发射的氢分子的量为在300atm时释放的氢分子的量的130％或更少。 第二绝缘膜包括含有比化学计量组成中的氧高的比例的氧的区域。