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公开(公告)号：KR101911764B1
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：KR1020177011179
申请日：2015-11-02
Applicant: 고쿠리츠켄큐카이하츠호진 카가쿠기쥬츠신코키코
IPC: H01L29/10 , H01L21/28 , H01L21/324 , H01L29/16
CPC classification number: H01L29/0847 , H01L21/223 , H01L21/28255 , H01L21/3003 , H01L29/045 , H01L29/105 , H01L29/167 , H01L29/66477 , H01L29/78
Abstract: 게르마늄층(30) 내에형성된제 1 도전형을갖는채널영역(50)과, 상기게르마늄층내에형성되어상기제 1 도전형과다른제 2 도전형을갖는소스영역(36) 및드레인영역(38)을구비하고, 상기채널영역에있어서의산소농도는상기소스영역및 상기드레인영역중 적어도한쪽의영역과상기적어도한쪽의영역을둘러싸는상기제 1 도전형을갖는영역의접합계면(52)에있어서의산소농도보다낮은반도체장치.
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公开(公告)号：KR101792066B1
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：KR1020167010034
申请日：2014-10-10
Applicant: 고쿠리츠켄큐카이하츠호진 카가쿠기쥬츠신코키코
CPC classification number: H01L29/36 , H01L21/28255 , H01L21/322 , H01L21/324 , H01L21/3247 , H01L29/16 , H01L29/517 , H01L29/78
Abstract: 1×10㎝이상의산소농도를갖는게르마늄층(30)을환원성가스분위기중에있어서, 700℃이상에있어서열처리하는공정을포함하는반도체기판의제조방법. 또는 1×10㎝이상의산소농도를갖는게르마늄층(30)을환원성가스분위기중에있어서, 상기산소농도가감소하도록열처리하는공정을포함하는반도체기판의제조방법.
Abstract translation: 以及在700℃或更高的还原气氛中对氧浓度为1×10cm或更大的锗层（30）进行热处理的步骤。 或者对氧浓度为1×10cm以上的锗层（30）进行热处理以降低还原气体气氛中的氧浓度的步骤。
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公开(公告)号：KR1020170065581A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：KR1020177011179
申请日：2015-11-02
Applicant: 고쿠리츠켄큐카이하츠호진 카가쿠기쥬츠신코키코
IPC: H01L29/10 , H01L21/28 , H01L21/324 , H01L29/16
CPC classification number: H01L29/0847 , H01L21/223 , H01L21/28255 , H01L21/3003 , H01L29/045 , H01L29/105 , H01L29/167 , H01L29/66477 , H01L29/78 , H01L29/1041 , H01L21/324 , H01L29/16
Abstract: 게르마늄층(30) 내에형성된제 1 도전형을갖는채널영역(50)과, 상기게르마늄층내에형성되어상기제 1 도전형과다른제 2 도전형을갖는소스영역(36) 및드레인영역(38)을구비하고, 상기채널영역에있어서의산소농도는상기소스영역및 상기드레인영역중 적어도한쪽의영역과상기적어도한쪽의영역을둘러싸는상기제 1 도전형을갖는영역의접합계면(52)에있어서의산소농도보다낮은반도체장치.
Abstract translation: 一个第一和一个导电沟道区域50具有，形成在所述锗层的源区36和漏具有不同的第二导电类型形成在Ge层30中的第一导电型区域38 氧浓度，且该沟道区包括一位于在具有所述源极区和漏极区中的至少一个的区域中的区域中的键合界面52和第一导电类型的至少一者的周围区域 低于半导体器件的氧浓度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101786439B1
公开(公告)日：2017-10-18
申请号：KR1020167003616
申请日：2014-06-06
Applicant: 고쿠리츠켄큐카이하츠호진 카가쿠기쥬츠신코키코
CPC classification number: H01L29/16 , C23C14/083 , C23C14/086 , C23C14/352 , H01L21/02112 , H01L21/02266 , H01L21/28255 , H01L21/3247 , H01L29/517 , H01L29/66477 , H01L29/78
Abstract: 본발명은게르마늄층(30)과, 상기게르마늄층(30)의상면에형성되고산화게르마늄과산화게르마늄보다산소포텐셜이낮은물질을주로포함하는제 1 절연막(32)을구비하고, 상기게르마늄층(30)의상면의 1㎛평방내의높이빈도의반치폭은 0.7nm 이하인반도체구조이다.
Abstract translation: 形成具有主要含有氧电位比锗氧化物，过氧化物，锗和锗层下物质的第一绝缘层（32）的服装表面上的本发明的锗层30和Ge层30（30 ）为高频的广场1㎛服装表面0.7nm或更小的半导体结构中的半值宽度。
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公开(公告)号：KR1020150036678A
公开(公告)日：2015-04-07
申请号：KR1020157004115
申请日：2013-04-18
Applicant: 고쿠리츠켄큐카이하츠호진 카가쿠기쥬츠신코키코
IPC: H01L21/316 , H01L21/02 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/28255 , H01L21/02112 , H01L21/02175 , H01L21/022 , H01L21/02236 , H01L21/02255 , H01L29/16 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/78
Abstract: 본발명은게르마늄층(30)과, 상기게르마늄층 상에형성된산화게르마늄을포함하는막(32)과상기산화게르마늄을포함하는막 상에형성되고산화실리콘보다비유전율의큰 고유전체산화막(34)을포함하는절연막을구비하고, 상기절연막의 EOT가 2nm 이하이고, 또한상기절연막 상에금속막으로서 Au를형성했을때의상기금속막의게르마늄층에대한전압을플랫밴드전압으로부터축적영역측에 1V 인가했을때의리크전류가 10A/cm이하인반도체구조에관한것이다.
Abstract translation: 半导体结构包括：锗层30; 以及绝缘膜，其具有包含锗氧化物并形成在锗层上的膜32和形成在包含氧化锗的介电常数高于氧化硅的介电常数的高电介质氧化膜34上的绝缘膜 其中：所述绝缘膜的EOT为2nm以下; 并且假设在绝缘膜上形成作为金属膜的金属，在金属膜相对于金属膜的电压的情况下，漏电流密度为10 -5 X EOT + 4 A / cm 2以下 锗层从平坦带电压施加到积聚区域侧1V。
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公开(公告)号：KR101677968B1
公开(公告)日：2016-11-21
申请号：KR1020157004115
申请日：2013-04-18
Applicant: 고쿠리츠켄큐카이하츠호진 카가쿠기쥬츠신코키코
IPC: H01L21/316 , H01L21/02 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/28255 , H01L21/02112 , H01L21/02175 , H01L21/022 , H01L21/02236 , H01L21/02255 , H01L29/16 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/78
Abstract: 본발명은게르마늄층(30)과, 상기게르마늄층 상에형성된산화게르마늄을포함하는막(32)과상기산화게르마늄을포함하는막 상에형성되고산화실리콘보다비유전율의큰 고유전체산화막(34)을포함하는절연막을구비하고, 상기절연막의 EOT가 2nm 이하이고, 또한상기절연막 상에금속막으로서 Au를형성했을때의상기금속막의게르마늄층에대한전압을플랫밴드전압으로부터축적영역측에 1V 인가했을때의리크전류가 10A/cm이하인반도체구조에관한것이다.
Abstract translation: 半导体结构包括：锗层30; 以及绝缘膜，其具有包含锗氧化物并形成在锗层上的膜32和形成在包含氧化锗的介电常数高于氧化硅的介电常数的高电介质氧化膜34上的绝缘膜 其中：所述绝缘膜的EOT为2nm以下; 并且假设在绝缘膜上形成作为金属膜的金属，在金属膜相对于金属膜的电压的情况下，漏电流密度为10 -5 X EOT + 4 A / cm 2以下 锗层从平坦带电压施加到积聚区域侧1V。
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公开(公告)号：KR1020160055918A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：KR1020167010034
申请日：2014-10-10
Applicant: 고쿠리츠켄큐카이하츠호진 카가쿠기쥬츠신코키코
CPC classification number: H01L29/36 , H01L21/28255 , H01L21/322 , H01L21/324 , H01L21/3247 , H01L29/16 , H01L29/517 , H01L29/78
Abstract: 1×10㎝이상의산소농도를갖는게르마늄층(30)을환원성가스분위기중에있어서, 700℃이상에있어서열처리하는공정을포함하는반도체기판의제조방법. 또는 1×10㎝이상의산소농도를갖는게르마늄층(30)을환원성가스분위기중에있어서, 상기산소농도가감소하도록열처리하는공정을포함하는반도체기판의제조방법.
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公开(公告)号：KR1020160031529A
公开(公告)日：2016-03-22
申请号：KR1020167003616
申请日：2014-06-06
Applicant: 고쿠리츠켄큐카이하츠호진 카가쿠기쥬츠신코키코
CPC classification number: H01L29/16 , C23C14/083 , C23C14/086 , C23C14/352 , H01L21/02112 , H01L21/02266 , H01L21/28255 , H01L21/3247 , H01L29/517 , H01L29/66477 , H01L29/78
Abstract: 본발명은게르마늄층(30)과, 상기게르마늄층(30)의상면에형성되고산화게르마늄과산화게르마늄보다산소포텐셜이낮은물질을주로포함하는제 1 절연막(32)을구비하고, 상기게르마늄층(30)의상면의 1㎛평방내의높이빈도의반치폭은 0.7nm 이하인반도체구조이다.
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