公开(公告)号：KR101757037B1

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：KR1020150031025

申请日：2015-03-05

申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

发明人： 마츠모토,겐지 ,  가와사키,히로아키 ,  나가이,히로유키

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/324 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/76883 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834

摘要： 본발명은, 층간절연막(11)의표면에노출된구리배선(14)의표면을박막에의해덮는반도체장치의제조방법에있어서, 구리배선(14)의표면에망간산화물의층(25)을형성하는기술을제공하는것이다. 연마에의해층간절연막(11)의표면에구리배선(14)이노출된웨이퍼(W)를어닐장치에반입해서어닐처리를행하여, 연마시에사용된슬러리에포함되어있던 BTA의박층(23)을구리배선(14)의표면으로부터제거한다. 계속해서웨이퍼(W)를반송용기(C)에수용하여대기에노출시킴으로써구리배선(14)의표면을산화시켜 CuO층(24)을형성한다. 그후, 반송용기(C)를, ALD 장치(5)를구비한진공처리장치에반송하고, ALD 장치(5)에있어서, 웨이퍼(W)에아미드아미노알칸계망간화합물을원료로하는원료가스와수증기를교대로공급하여, 구리배선(14)의표면에망간산화물의층(25)을형성하고있다.

公开(公告)号：KR101748404B1

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：KR1020167016729

申请日：2011-04-01

申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

发明人： 야마자키순페이

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/786 ,  H01L29/49 ,  H01L21/324 ,  H01L21/02 ,  H01L29/417 ,  H01L21/265 ,  H01L29/45

CPC分类号： H01L29/66969 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/383 ,  H01L21/441 ,  H01L21/473 ,  H01L21/47576 ,  H01L21/477 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

摘要： 산화물반도체를이용한반도체장치에안정된전기적특성을부여하여, 고신뢰성화하는것을목적의하나로한다. 산화물반도체막을갖는보텀게이트구조의트랜지스터의제작공정에있어서, 열처리에의한탈수화또는탈수소화처리, 및산소도핑처리를실시한다. 열처리에의한탈수화또는탈수소화처리및 산소도핑처리된산화물반도체막을갖는트랜지스터는, 바이어스-열스트레스시험(BT시험) 전후에있어서도트랜지스터의스레숄드전압의변화량이저감되어있어서, 신뢰성이높은트랜지스터로할 수있다.

公开(公告)号：KR101734779B1

公开(公告)日：2017-05-11

申请号：KR1020160097905

申请日：2016-08-01

申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

发明人： 오가와준

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455

CPC分类号： H01L21/02164 ,  C23C16/34 ,  C23C16/405 ,  C23C16/4551 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/02337

摘要： 복수의기판을적재가능한회전테이블과, 제1 가스공급부와, 제2 가스공급부를구비하는성막장치를이용한성막방법으로서, 상기제1 및제2 가스공급부로부터산화가스를공급하여상기회전테이블을회전시키는제1 공정과, 상기제1 가스공급부로부터상기소정의원소를포함하는반응가스를공급하고, 상기제2 가스공급부로부터상기산화가스를공급하여상기회전테이블을회전시키고, 상기기판상에상기소정의원소를포함하는산화막을성막하는제2 공정과, 상기제1 및제2 가스공급부로부터상기산화가스를공급하여상기회전테이블을회전시키는제3 공정을포함한다.

摘要翻译： 与旋转台可以装载多个基片，一个第一气体供给，第二气体作为膜使用的成膜装置，其包括所述第一mitje从第二气体供给单元供给的氧化气体用于旋转所述旋转工作台部件形成方法 第一步骤中，通过从气体供给部供给含有特定元素，并从第二气体供给单元供给的氧化性气体，使旋转台的反应气体的第一，预定在所述基板上 以及从第一和第二气体供应单元供应氧化气体以旋转转台的第三步骤。

公开(公告)号：KR101677968B1

公开(公告)日：2016-11-21

申请号：KR1020157004115

申请日：2013-04-18

申请人： 고쿠리츠켄큐카이하츠호진 카가쿠기쥬츠신코키코

发明人： 토리우미아키라 ,  이충현

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/02 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/28255 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02255 ,  H01L29/16 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

摘要： 본발명은게르마늄층(30)과, 상기게르마늄층 상에형성된산화게르마늄을포함하는막(32)과상기산화게르마늄을포함하는막 상에형성되고산화실리콘보다비유전율의큰 고유전체산화막(34)을포함하는절연막을구비하고, 상기절연막의 EOT가 2nm 이하이고, 또한상기절연막 상에금속막으로서 Au를형성했을때의상기금속막의게르마늄층에대한전압을플랫밴드전압으로부터축적영역측에 1V 인가했을때의리크전류가 10A/cm이하인반도체구조에관한것이다.

摘要翻译： 半导体结构包括：锗层30; 以及绝缘膜，其具有包含锗氧化物并形成在锗层上的膜32和形成在包含氧化锗的介电常数高于氧化硅的介电常数的高电介质氧化膜34上的绝缘膜 其中：所述绝缘膜的EOT为2nm以下; 并且假设在绝缘膜上形成作为金属膜的金属，在金属膜相对于金属膜的电压的情况下，漏电流密度为10 -5 X EOT + 4 A / cm 2以下 锗层从平坦带电压施加到积聚区域侧1V。

公开(公告)号：KR101660142B1

公开(公告)日：2016-09-26

申请号：KR1020147015854

申请日：2012-06-26

申请人： 크리, 인코포레이티드

发明人： 다르,사리트 ,  청,린 ,  류,세형 ,  아가르왈,아난트,쿠마르 ,  팔무르,존,윌리암스 ,  마키,에릭 ,  거개너스,제이슨 ,  리히텐왈너,다니엘,제너

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/51 ,  H01L21/314 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/16

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02288 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/045 ,  H01L21/049 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7813

摘要： 채널이동도가증가한반도체소자및 그의제조방법의실시형태가개시된다. 한실시형태에서, 반도체소자는채널영역을포함하는기판, 및채널영역위의기판상의게이트스택을포함한다. 게이트스택은알칼리토금속을포함한다. 한실시형태에서, 알칼리토금속은바륨(Ba)이다. 다른실시형태에서, 알칼리토금속은스트론튬(Sr)이다. 알칼리토금속은반도체소자의채널이동도의상당한개선을초래한다.

公开(公告)号：KR1020160098322A

公开(公告)日：2016-08-18

申请号：KR1020167018327

申请日：2014-11-19

申请人： 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.

发明人： 하우카수비피. ,  탕푸 ,  기븐스마이클이. ,  마스얀빌리암 ,  시에치

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/02175 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02334 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/2203 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/78

摘要： 몇몇양상에서, 금속설파이드박막의형성방법이제공된다. 일부방법에따라, 금속설파이드박막은적어도하나의사이클이교대로그리고순차적으로기판을제1 기상금속반응물및 제2 기상황 반응물과접촉시키는것을포함하는순환식공정으로반응공간에서기판위에증착된다. 몇몇양상에서, 3차원구조물을기판표면상에형성하는방법이제공된다. 몇몇실시형태에서, 방법은기판표면위의금속설파이드박막을형성하는단계및 금속설파이드박막위의캡핑층을형성하는단계를포함한다. 기판표면은고이동도채널을포함할수 있다.

摘要翻译： 在一些方面，提供了形成金属硫化物薄膜的方法。 根据一些方法，金属硫化物薄膜在循环过程中在反应空间中沉积在基底上，其中至少一个循环包括交替地和顺序地接触基底与第一气相金属反应物和第二气相硫 反应物。 在一些方面，提供了在衬底表面上形成三维结构的方法。 在一些实施方案中，该方法包括在基材表面上形成金属硫化物薄膜，并在金属硫化物薄膜上形成覆盖层。 衬底表面可以包括高迁移率通道。

公开(公告)号：KR1020160018872A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：KR1020167002975

申请日：2014-07-15

申请人： 마이크론 테크놀로지, 인크

发明人： 미드,로이이. ,  팬데이,서미트씨.

IPC分类号： H01L29/16 ,  C01B31/04 ,  H01L21/02 ,  H01L27/092 ,  H01L29/165 ,  H01L29/51 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/1606 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02664 ,  H01L27/092 ,  H01L29/165 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78 ,  Y02E10/50

摘要： 반도전성그래핀구조체는그래핀물질및 그래핀물질의적어도일부분위의그래핀-격자정합물질을포함할수 있고, 여기서그래핀-격자정합물질은그래핀물질의결합길이또는격자상수의배수의약 5% 내격자상수를가진다. 반도전성그래핀구조체는적어도약 0.5 eV의에너지밴드갭을가질수 있다. 그래핀물질의에너지밴드갭을변형하는방법은그래핀물질의적어도일부분위에그래핀-격자정합물질을형성하는단계를포함하고, 그래핀-격자정합물질은그래핀물질의결합길이또는격자상수의배수의약 5% 내격자상수를가진다.

摘要翻译： 半导体石墨烯结构可以包括在石墨烯材料的至少一部分上的石墨烯材料和石墨烯 - 晶格匹配材料，其中所述石墨烯 - 晶格匹配材料具有在晶格常数的倍数的约±5％内的晶格常数，或 石墨烯材料的粘结长度。 半导体石墨烯结构可以具有至少约0.5eV的能带隙。 修饰石墨烯材料的能带隙的方法可包括在石墨烯材料的至少一部分上形成石墨烯 - 晶格匹配材料，所述石墨烯 - 晶格匹配材料的晶格常数在约±5％ 石墨烯材料的晶格常数或键长度。

公开(公告)号：KR1020150031239A

公开(公告)日：2015-03-23

申请号：KR1020147034765

申请日：2013-06-12

申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

发明人： 마츠모토,겐지 ,  마에카와,가오루 ,  하마다,다츠후미 ,  나가이,히로유키

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L21/02 ,  H01L21/768

CPC分类号： C23C16/45553 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  C23C16/02 ,  C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/401 ,  C23C16/42 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/481 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76855 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 하지와 구리막의 사이에 형성되는 망간 함유막의 형성 방법을 개시한다. 망간 함유막의 형성 방법은, 망간 화합물 가스와 질소를 포함하는 반응 가스를 반응시켜 하지 위에 질소 함유 망간막(102)을 형성하는 공정과, 망간 화합물 가스와 환원성의 반응 가스를 반응시켜, 또는 망간 화합물 가스를 열분해 반응시켜, 또는 망간 화합물 가스를 에너지 또는 활성종의 조사에 의해 분해 반응시켜 질소 함유 망간막(102) 위에 금속 망간막(103)을 형성하는 공정을 구비한다.

公开(公告)号：KR1020150010645A

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：KR1020140090773

申请日：2014-07-18

申请人： 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.

发明人： 시에치 ,  마스얀빌럼 ,  블롬베르그톰 ,  투오미넨마르코 ,  하우카수비 ,  룰로프스로빈 ,  우드루프제이콥

IPC分类号： H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC分类号： H01L45/1616 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/0228 ,  H01L27/249 ,  H01L45/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/14 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1608

摘要： 개시된 기술은 일반적으로 반도체 소자들에 관한 것이며, 보다 상세하게는 저항성 랜덤 억세스 메모리 소자들 및 그것을 만드는 방법들에 관한 것이다. 하나의 태양에서, 랜덤 억세스 메모리 소자의 저항성 랜덤 억세스 메모리 셀을 형성하는 방법은 제1 전극을 형성하는 단계 및 원자층 퇴적에 의해 닉토겐 원소의 산화물을 포함하는 저항성 스위칭 물질을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 방법은 부가적으로 원자층 퇴적(ALD)에 의해 상기 닉토겐 원소를 포함하는 금속층을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 저항성 스위칭 물질은 상기 제1 전극과 상기 금속층 사이에 삽입된다.

摘要翻译： 所公开的技术通常涉及半导体器件，更具体地涉及电阻随机存取存储器件及其制造方法。 一方面，形成随机存取存储器件的电阻随机存取存储单元的方法包括以下步骤：形成第一电极; 以及通过原子层沉积形成包含棱镜元件的氧化物的电阻式开关材料。 该方法还包括通过原子层沉积（ALD）形成包括棱镜元件的金属层的步骤。 电阻开关材料介于第一电极和金属层之间。

公开(公告)号：KR1020150005533A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：KR1020147027999

申请日：2013-04-02

申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

发明人： 마츠모토,겐지 ,  하마다,다츠후미 ,  마에카와,가오루

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L23/53238 ,  C23C16/045 ,  C23C16/06 ,  C23C16/40 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/46 ,  C23C16/50 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76864 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 오목부가 형성된 절연층 위에 금속 원소 함유층을 형성하는 반도체 장치의 제조 방법으로서, 오목부를 포함하는 절연층 위에 금속 원소의 산화물을 주성분으로 하는 옥시드층을 형성하는 공정과, 환원 분위기 하에서의 어닐에 의해, 옥시드층을 실리케이트화하여, 금속 원소의 규산염을 주성분으로 하는 실리케이트층을 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.