마스크재 조성물, 불순물 확산층의 형성 방법, 및 태양 전지
    1.
    发明公开
    마스크재 조성물, 불순물 확산층의 형성 방법, 및 태양 전지 有权
    掩模材料组合物,形成稀土扩散层的方法和太阳能电池

    公开(公告)号:KR1020110050369A

    公开(公告)日:2011-05-13

    申请号:KR1020100108582

    申请日:2010-11-03

    Abstract: PURPOSE: A mask material composition is provided to enable use for a diffusion barrier of an impurity diffusing component into a semiconductor substrate. CONSTITUTION: A mask material composition comprises a siloxane resin containing a repeating unit represented by chemical formula (a1). In chemical formula (a1), R1 is a single bond or C1~5 alkylene group; and R2 is C6~20 aryl group. A method for forming an impurity diffusion layer comprises the steps of: selectively applying the mask material composition to a semiconductor substrate; and selectively applying impurity diffusion components to the semiconductor substrate using the mask material composition as a mask.

    Abstract translation: 目的:提供掩模材料组合物,以使得能够将杂质扩散组分的扩散势垒用于半导体衬底。 构成:掩模材料组合物包含含有由化学式(a1)表示的重复单元的硅氧烷树脂。 在化学式(a1)中,R1是单键或C1〜5亚烷基; R2为C6〜20芳基。 一种用于形成杂质扩散层的方法包括以下步骤:将掩模材料组合物选择性地施加到半导体衬底; 并使用掩模材料组合物作为掩模,将杂质扩散组分选择性地施加到半导体衬底。

    시트 형성용 조성물, 시트 형성용 조성물의 제조방법, 및디스플레이 패널 제조용 시트형 미소성체
    5.
    发明授权
    시트 형성용 조성물, 시트 형성용 조성물의 제조방법, 및디스플레이 패널 제조용 시트형 미소성체 有权
    片材形成用组合物,片材形成用组合物的制造方法,

    公开(公告)号:KR100634766B1

    公开(公告)日:2006-10-16

    申请号:KR1020050041049

    申请日:2005-05-17

    Abstract: 무기 분말의 분산성이 높고, 균일한 막두께의 도막을 형성할 수 있으며, 또한 소성 후의 쉬링크를 억제할 수 있는 시트 형성용 조성물, 그 시트 형성용 조성물의 제조방법, 및 디스플레이 패널 제조용 시트형 미소성체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
    (A) 적어도, (ⅰ) 수산기를 갖는 중합성 모노머와, (ⅱ) CH
    2 =CR-COOC
    m H
    2m+1 (R 은 수소원자 또는 알킬기, m 은 6 이상의 정수를 나타낸다.) 로 나타내는 중합성 모노머와, (ⅲ) CH
    2 =CR-COOC
    n H
    2n+1 (R 은 수소원자 또는 알킬기, n 은 4 이하의 정수를 나타낸다.) 로 나타내는 중합성 모노머의 공중합체인 바인더 수지와, (B) 무기 분말과, (C) 용제를 함유하여 이루어지는 시트 형성용 조성물을 사용한다.
    시트 형성용 조성물, 수산기

    Abstract translation: 无机粉末酸的高分钟,可以形成具有均匀的膜厚度产生的组合物对能够烧结后抑制收缩的片材形式的涂膜,和方法,用于将片材形成用组合物,以及用于制造片状微笑的显示面板 它旨在提供一名成人。

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