公开(公告)号：KR1020130098157A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：KR1020127030239

申请日：2011-04-12

Applicant: 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤

Inventor： 무로타아츠시 ,  히라이다카아키

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/228 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/2225 ,  H01L21/18 ,  H01L21/182 ,  H01L21/228 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/186 ,  Y02E10/50

Abstract: 확산제 조성물은, 반도체 기판에 대한 불순물 확산제층의 형성에 사용되는 확산제 조성물로서, 불순물 확산 성분 (A) 와, 규소 화합물 (B) 와, 비점이 100 ℃ 이하인 용제 (C1), 비점이 120 ∼ 180 ℃ 인 용제 (C2), 및 비점이 240 ∼ 300 ℃ 인 용제 (C3) 을 포함하는 용제 (C) 를 함유한다.

公开(公告)号：KR1020110050369A

公开(公告)日：2011-05-13

申请号：KR1020100108582

申请日：2010-11-03

Applicant: 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤

Inventor： 다카하시모토키 ,  모리타도시로 ,  히라이다카아키

IPC: C08L83/04 ,  C08G77/04 ,  H01L31/068 ,  H01L21/225 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1804 ,  C08G77/04 ,  C08G77/70 ,  C08L83/04 ,  H01L21/2254 ,  H01L31/0682 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/068

Abstract: PURPOSE: A mask material composition is provided to enable use for a diffusion barrier of an impurity diffusing component into a semiconductor substrate. CONSTITUTION: A mask material composition comprises a siloxane resin containing a repeating unit represented by chemical formula (a1). In chemical formula (a1), R1 is a single bond or C1~5 alkylene group; and R2 is C6~20 aryl group. A method for forming an impurity diffusion layer comprises the steps of: selectively applying the mask material composition to a semiconductor substrate; and selectively applying impurity diffusion components to the semiconductor substrate using the mask material composition as a mask.

Abstract translation: 目的：提供掩模材料组合物，以使得能够将杂质扩散组分的扩散势垒用于半导体衬底。 构成：掩模材料组合物包含含有由化学式（a1）表示的重复单元的硅氧烷树脂。 在化学式（a1）中，R1是单键或C1〜5亚烷基; R2为C6〜20芳基。 一种用于形成杂质扩散层的方法包括以下步骤：将掩模材料组合物选择性地施加到半导体衬底; 并使用掩模材料组合物作为掩模，将杂质扩散组分选择性地施加到半导体衬底。

公开(公告)号：KR101442356B1

公开(公告)日：2014-09-18

申请号：KR1020127007502

申请日：2010-08-18

Applicant: 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤

Inventor： 히라이다카아키 ,  무로타아츠시 ,  다니츠가츠야

IPC: H01L21/225 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L21/228 ,  H01L21/2225 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 확산제 조성물은 불순물 확산 성분 (A) 와, 불순물 확산 성분 (A) 가 열확산을 개시하는 온도 미만의 온도에서 열분해되어 소실되는 바인더 수지 (B) 와, SiO
2 미립자 (C) 와, 비점이 100 ℃ 이상인 유기용제 (D1) 을 함유하는 유기용제 (D) 를 함유한다. 또, 불순물 확산층의 형성 방법은 반도체 기판에, 상기 서술한 확산제 조성물을 인쇄하여 패턴을 형성하는 패턴 형성 공정과, 확산제 조성물의 불순물 확산 성분 (A) 를 반도체 기판에 확산시키는 확산 공정을 포함한다. 또, 태양전지는 상기 서술한 불순물 확산층의 형성 방법에 의해 불순물 확산층이 형성된 반도체 기판을 구비한다.

公开(公告)号：KR100702880B1

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：KR1020050030191

申请日：2005-04-12

Applicant: 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤

Inventor： 다카기도시야 ,  히라이다카아키

IPC: B41C1/00

Abstract: (과제) 각종 인쇄액에 대한 내성을 갖고, 우수한 인쇄 적성을 갖는 인쇄판 제조용 감광성 조성물, 그리고 이것을 사용한 인쇄용 감광성 인쇄 원판 적층체 및 인쇄판을 제공한다.
(해결수단) 적어도, 바인더 수지, 광중합성 모노머, 및 광중합 개시제를 함유하는 인쇄판 제조용 감광성 조성물에 있어서, 바인더 수지로서, 엘라스토머 수지와 테르펜 수지를 병용함으로써, 각종 인쇄액, 특히 배향막액 등의 인쇄액에 대하여, 우수한 내성을 갖는 감광성 조성물을 얻는다.
인쇄판 제조용 감광성 조성물, 테르펜 수지

公开(公告)号：KR101794374B1

公开(公告)日：2017-11-06

申请号：KR1020127030239

申请日：2011-04-12

Applicant: 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤

Inventor： 무로타아츠시 ,  히라이다카아키

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/228 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/2225 ,  H01L21/18 ,  H01L21/182 ,  H01L21/228 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 확산제조성물은, 반도체기판에대한불순물확산제층의형성에사용되는확산제조성물로서, 불순물확산성분 (A) 와, 규소화합물 (B) 와, 비점이 100 ℃이하인용제 (C1), 비점이 120 ∼ 180 ℃인 용제 (C2), 및비점이 240 ∼ 300 ℃인 용제 (C3) 을포함하는용제 (C) 를함유한다.

公开(公告)号：KR101732738B1

公开(公告)日：2017-05-04

申请号：KR1020100108582

申请日：2010-11-03

Applicant: 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤

Inventor： 다카하시모토키 ,  모리타도시로 ,  히라이다카아키

IPC: C08L83/04 ,  C08G77/04 ,  H01L31/068 ,  H01L21/225 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1804 ,  C08G77/04 ,  C08G77/70 ,  C08L83/04 ,  H01L21/2254 ,  H01L31/0682 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: (과제) 반도체기판에대한불순물확산성분의확산시에확산보호를위해서형성하는마스크에바람직하게채용할수 있는마스크재조성물, 당해마스크재조성물을사용한불순물확산층의형성방법, 및태양전지를제공한다. (해결수단) 마스크재조성물은반도체기판에대한불순물확산성분의확산보호에사용되는마스크재조성물로서, 하기식 (a1) 로나타내는구성단위를함유하는실록산수지 (A1) 를함유한다. [화학식 1]식 (a1) 중, R은단결합또는탄소수 1 ∼ 5 의알킬렌기이고, R는탄소수 6 ∼ 20 의아릴기이다.

公开(公告)号：KR1020120059579A

公开(公告)日：2012-06-08

申请号：KR1020127007502

申请日：2010-08-18

Applicant: 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤

Inventor： 히라이다카아키 ,  무로타아츠시 ,  다니츠가츠야

IPC: H01L21/225 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L21/228 ,  H01L21/2225 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 확산제 조성물은 불순물 확산 성분 (A) 와, 불순물 확산 성분 (A) 가 열확산을 개시하는 온도 미만의 온도에서 열분해되어 소실되는 바인더 수지 (B) 와, SiO
2 미립자 (C) 와, 비점이 100 ℃ 이상인 유기용제 (D1) 을 함유하는 유기용제 (D) 를 함유한다. 또, 불순물 확산층의 형성 방법은 반도체 기판에, 상기 서술한 확산제 조성물을 인쇄하여 패턴을 형성하는 패턴 형성 공정과, 확산제 조성물의 불순물 확산 성분 (A) 를 반도체 기판에 확산시키는 확산 공정을 포함한다. 또, 태양전지는 상기 서술한 불순물 확산층의 형성 방법에 의해 불순물 확산층이 형성된 반도체 기판을 구비한다.

公开(公告)号：KR1020060045600A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：KR1020050030191

申请日：2005-04-12

Applicant: 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤

Inventor： 다카기도시야 ,  히라이다카아키

IPC: B41C1/00

Abstract: (과제) 각종 인쇄액에 대한 내성을 갖고, 우수한 인쇄 적성을 갖는 인쇄판 제조용 감광성 조성물, 그리고 이것을 사용한 인쇄용 감광성 인쇄 원판 적층체 및 인쇄판을 제공한다.
(해결수단) 적어도, 바인더 수지, 광중합성 모노머, 및 광중합 개시제를 함유하는 인쇄판 제조용 감광성 조성물에 있어서, 바인더 수지로서, 엘라스토머 수지와 테르펜 수지를 병용함으로써, 각종 인쇄액, 특히 배향막액 등의 인쇄액에 대하여, 우수한 내성을 갖는 감광성 조성물을 얻는다.
인쇄판 제조용 감광성 조성물, 테르펜 수지