公开(公告)号：KR101920108B1

公开(公告)日：2018-11-19

申请号：KR1020147022698

申请日：2012-05-18

申请人： 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤

发明人： 야마모또,요시끼 ,  마끼야마,히데끼 ,  츠노무라,다까아끼 ,  이와마쯔,도시아끼

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L21/32 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7836 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78627

摘要： 반도체장치는, 기판상에게이트절연막(GI)을개재해서형성된게이트전극(GE)과, 기판상에형성된소스ㆍ드레인용의반도체층(EP1)을갖고있다. 반도체층(EP1)의상면은, 게이트전극(GE)의바로아래에서의기판의상면보다도높은위치에있다. 그리고, 게이트전극(GE)에있어서의게이트길이방향의단부가반도체층(EP1) 상에위치하고있다.

公开(公告)号：KR1020150013117A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：KR1020147022698

申请日：2012-05-18

申请人： 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤

发明人： 야마모또,요시끼 ,  마끼야마,히데끼 ,  츠노무라,다까아끼 ,  이와마쯔,도시아끼

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L21/32 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7836 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78627 ,  H01L29/7828

摘要： 반도체 장치는, 기판 상에 게이트 절연막(GI)을 개재해서 형성된 게이트 전극(GE)과, 기판 상에 형성된 소스ㆍ드레인용의 반도체층(EP1)을 갖고 있다. 반도체층(EP1)의 상면은, 게이트 전극(GE)의 바로 아래에서의 기판의 상면보다도 높은 위치에 있다. 그리고, 게이트 전극(GE)에 있어서의 게이트 길이 방향의 단부가 반도체층(EP1) 상에 위치하고 있다.