公开(公告)号：KR101830782B1

公开(公告)日：2018-04-05

申请号：KR1020110095813

申请日：2011-09-22

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 양희준 ,  박성준 ,  정현종 ,  허진성

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/456 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/45 ,  H01L29/452 ,  H01L29/78

摘要： 그래핀을포함하는전극구조체및 전계효과트랜지스터를개시한다. 개시된전극구조체는반도체층상의그래핀과, 상기그래핀상의전극메탈을구비한다. 상기그래핀은상기반도체층과직접적으로접촉하며, 상기전극메탈은상기그래핀과직접접촉한다.

摘要翻译： 公开了包括石墨烯和场效应晶体管的电极结构。 所公开的电极结构包括半导体层上的石墨烯和石墨烯上的电极金属。 石墨烯与半导体层直接接触，并且电极金属与石墨烯直接接触。

公开(公告)号：KR1020130032105A

公开(公告)日：2013-04-01

申请号：KR1020110095813

申请日：2011-09-22

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 양희준 ,  박성준 ,  정현종 ,  허진성

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/456 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/45 ,  H01L29/452 ,  H01L29/78 ,  H01L29/66712

摘要： PURPOSE: An electrode structure including graphene and a field effect transistor are provided to reduce the energy barrier by putting graphene between a semiconductor layer and metal. CONSTITUTION: Graphene(120) is formed on a semiconductor layer(110). A graphene layer includes an electrode metal(130). The graphene has a single layer or a double layer. The electrode metal has a size of 30nm or less. The graphene is in direct contact with the semiconductor layer.

摘要翻译： 目的：提供包括石墨烯和场效应晶体管的电极结构，以通过将石墨烯放在半导体层和金属之间来减少能量势垒。 构成：在半导体层（110）上形成石墨烯（120）。 石墨烯层包括电极金属（130）。 石墨烯具有单层或双层。 电极金属的尺寸为30nm以下。 石墨烯与半导体层直接接触。

公开(公告)号：KR1020120034419A

公开(公告)日：2012-04-12

申请号：KR1020100095971

申请日：2010-10-01

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 양희준 ,  서순애 ,  이성훈 ,  정현종 ,  허진성

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66477 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78684 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/838 ,  Y10S977/842 ,  H01L21/324

摘要： PURPOSE: A graphene electronic device and a fabricating method thereof are provided to prevent the inherent characteristic of a graphene channel layer from being damaged by forming a passivation layer or a gate oxide on the graphene channel layer after a thermal process. CONSTITUTION: A gate oxide(112) is formed on a silicon substrate(110). A hydrophobic polymer layer(120) is formed on the gate oxide. A graphene channel layer(130) is formed on the hydrophobic polymer layer. A source electrode(142) and a drain electrode(144) are respectively formed on both ends of the graphene channel layer. A passivation layer(150) covering the graphene channel layer is formed between the source electrode and the drain electrode.

摘要翻译： 目的：提供石墨烯电子器件及其制造方法，以防止在热处理之后在石墨烯通道层上形成钝化层或栅极氧化物来损害石墨烯通道层的固有特性。 构成：在硅衬底（110）上形成栅氧化层（112）。 在栅极氧化物上形成疏水性聚合物层（120）。 在疏水聚合物层上形成石墨烯通道层（130）。 源极电极（142）和漏电极（144）分别形成在石墨烯通道层的两端。 在源电极和漏电极之间形成覆盖石墨烯沟道层的钝化层（150）。

公开(公告)号：KR101878737B1

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：KR1020110083054

申请日：2011-08-19

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 서형석 ,  허진성 ,  정현종 ,  양희준 ,  박성준 ,  송현재

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/786

CPC分类号： H01L29/1606 ,  H01L21/2007 ,  Y10T156/10 ,  Y10T428/2457 ,  Y10T428/24612

摘要： 트렌치를이용한그래핀전사방법및 그래핀전사대상기판이개시된다. 개시된트렌치를이용한그래핀전사방법은, 기판을패터닝하여기판의상면에트렌치를형성하는단계와, 상기기판상으로점착액을적신그래핀층을배치하는단계와, 상기그래핀층을상기기판상으로가압하는단계와, 상기기판을건조하여상기점착액을제거하는단계를구비한다.

公开(公告)号：KR101813181B1

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：KR1020110085818

申请日：2011-08-26

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 허진성 ,  박성준 ,  정현종 ,  송현재 ,  양희준 ,  서형석

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/1606 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/092 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/78684

摘要： 튜너블배리어를포함하는그래핀전계효과트랜지스터를구비한인버터논리소자가개시된다. 개시된인버터논리소자는백게이트기판상의게이트옥사이드와, 상기게이트옥사이드상에서서로이격된제1 그래핀층및 제2 그래핀층과, 상기제1 그래핀층상에서이격된제1전극및 제1 반도체층와, 상기제2 그래핀층상에서이격된제2전극및 제2 반도체층과, 상기제1 반도체층및 상기제2 반도체층에연결되며상기제1 그래핀층및 상기제2 그래핀층과마주보는출력전극을구비한다. 상기제1 반도체층및 상기제2 반도체층은각각 n형불순물및 p형불순물중 서로다른불순물로도핑된다.

摘要翻译： 公开了一种具有包括可调栅栏的石墨烯场效应晶体管的逆变器逻辑器件。 公开的逆变器逻辑元件返回到栅基片上的栅氧化层，所述彼此隔开的栅极氧化物，第一是被钉扎层和第二是被钉扎层和第一电极和第一是被钉扎层上间隔开的第一半导体cheungwa，其中 2所以所述第二电极和所述被钉扎层和所述第一半导体层上分隔开并连接到所述第二半导体层具有钉扎层和面对钉扎第二是一个输出电极的第二半导体层和所述第一是。 第一半导体层和第二半导体层分别掺杂有n型杂质和p型杂质的不同杂质。

公开(公告)号：KR1020130020424A

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：KR1020110083054

申请日：2011-08-19

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 서형석 ,  허진성 ,  정현종 ,  양희준 ,  박성준 ,  송현재

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/786

CPC分类号： H01L29/1606 ,  H01L21/2007 ,  Y10T156/10 ,  Y10T428/2457 ,  Y10T428/24612 ,  H01L21/76831 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66015 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/772

摘要： PURPOSE: A method for transferring graphene using a trench and a graphene transfer target substrate are provided to reduce the time of a dry process by efficiently evaporating adhesive solutions using the trench. CONSTITUTION: A trench(110) is formed on the upper side of a substrate(100) by patterning the substrate. A graphene layer wet with the adhesive solutions is arranged on the substrate. The graphene layer is pressurized on the substrate. The adhesive solutions are removed by drying the substrate.

摘要翻译： 目的：提供使用沟槽和石墨烯转移目标衬底转移石墨烯的方法，以通过使用沟槽有效地蒸发粘合剂溶液来减少干法工艺的时间。 构成：通过图案化衬底，在衬底（100）的上侧形成沟槽（110）。 用粘合剂溶液润湿的石墨烯层布置在基底上。 石墨烯层在基材上加压。 通过干燥基底来除去粘合剂溶液。

公开(公告)号：KR1020120068390A

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：KR1020100129995

申请日：2010-12-17

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 정현종 ,  허진성 ,  양희준 ,  서순애 ,  이성훈

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66477 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/775 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/1606

摘要： PURPOSE: A graphene electronic device and a manufacturing method thereof are provided to maintain a property of a graphene channel layer without damage by forming gate oxide, in other word, a protective layer on graphene. CONSTITUTION: A graphene channel layer is arranged on the top of a substrate. A source electrode(130) and a drain electrode(140) are formed on both ends of a graphene channel layer(120). A gate oxide(150) is formed between the source electrode and the drain electrode on the graphene channel layer. The gate electrode is arranged on the gate oxide. The gate oxide is formed to be substantially identical to a shape of a channel layer between the source electrode and the drain electrode.

摘要翻译： 目的：提供石墨烯电子器件及其制造方法，以通过形成栅极氧化物，即石墨烯上的保护层来保持石墨烯通道层的性质而不损坏。 构成：石墨烯通道层布置在基板的顶部。 源极电极（130）和漏电极（140）形成在石墨烯通道层（120）的两端。 在石墨烯通道层上的源电极和漏电极之间形成栅极氧化物（150）。 栅电极设置在栅极氧化物上。 栅极氧化物形成为与源电极和漏电极之间的沟道层的形状基本相同。

公开(公告)号：KR101920712B1

公开(公告)日：2018-11-22

申请号：KR1020110085820

申请日：2011-08-26

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 허진성 ,  정현종 ,  송현재 ,  박성준 ,  서형석 ,  양희준

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/772

CPC分类号： H01L29/1606 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78684

摘要： 튜너블배리어를구비한그래핀스위칭소자가개시된다. 개시된스위칭소자는백게이트기판상의게이트옥사이드와, 상기게이트옥사이드상의그래핀층과, 상기그래핀층에순차적으로적층된반도체층및 제1전극과, 상기그래핀층에서상기반도체층과이격된제2전극을구비한다. 상기백게이트기판과상기그래핀층은상기반도체층을사이에두고마주보며, 상기반도체층은 n형또는 p형으로도핑된다.

公开(公告)号：KR1020130081950A

公开(公告)日：2013-07-18

申请号：KR1020120003079

申请日：2012-01-10

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 허진성 ,  박성준 ,  변경은 ,  서형석 ,  송현재 ,  양희준 ,  정현종

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/78684 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/1606

摘要： PURPOSE: A three dimensional switching element is provided to increase on-current by forming a semiconductor layer, a graphene layer, a gate insulating layer and a gate in a three dimensional lamination structure. CONSTITUTION: A first electrode and a second electrodue (11,12) are formed on a substrate. A semiconductor layer (13) and a graphene layer (14) are formed between the first electrode and the second electrode. The graphene layer is formed to surround an end of the semiconductor layer. A gate insulating layer (15) is formed to surround the graphene layer. A gate (16) is formed to surround the gate insulating layer.

摘要翻译： 目的：提供三维开关元件以通过在三维层压结构中形成半导体层，石墨烯层，栅极绝缘层和栅极来增加导通电流。 构成：在基板上形成第一电极和第二电极（11,12）。 在第一电极和第二电极之间形成半导体层（13）和石墨烯层（14）。 形成石墨烯层以包围半导体层的端部。 形成栅极绝缘层（15）以包围石墨烯层。 栅极（16）形成为围绕栅极绝缘层。

公开(公告)号：KR1020130022852A

公开(公告)日：2013-03-07

申请号：KR1020110085818

申请日：2011-08-26

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 허진성 ,  박성준 ,  정현종 ,  송현재 ,  양희준 ,  서형석

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/1606 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/092 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/78684

摘要： PURPOSE: An inverter logic device including a graphene field effect transistor with a tunable barrier is provided to prevent a graphene defect in a graphene nanoribbon channel forming process of a graphene patterning process by forming an energy gap between an electrode and a graphene channel using a semiconductor barrier. CONSTITUTION: A gate oxide layer(320) is formed on a substrate(310). A first graphene layer(331) and a second graphene layer(332) are separately formed on the gate oxide layer. A first electrode(351) and a first semiconductor layer(341) are separately formed on the first graphene layer. A second electrode(352) and a second semiconductor layer(342) are separately formed on the second graphene layer. A first semiconductor layer and a second semiconductor layer are doped with an n-type impurity and a p-type impurity, respectively. An output electrode(370) covers the first semiconductor layer and the second semiconductor layer.

摘要翻译： 目的：提供一种包括具有可调屏障的石墨烯场效应晶体管的逆变器逻辑器件，以通过使用半导体在电极和石墨烯通道之间形成能隙来防止石墨烯纳米管通道形成石墨烯图案化过程中的石墨烯缺陷 屏障。 构成：在衬底（310）上形成栅氧化层（320）。 第一石墨烯层（331）和第二石墨烯层（332）分别形成在栅极氧化物层上。 在第一石墨烯层上分别形成第一电极（351）和第一半导体层（341）。 在第二石墨烯层上分别形成第二电极（352）和第二半导体层（342）。 第一半导体层和第二半导体层分别掺杂有n型杂质和p型杂质。 输出电极（370）覆盖第一半导体层和第二半导体层。