公开(公告)号：KR101919425B1

公开(公告)日：2018-11-19

申请号：KR1020120112087

申请日：2012-10-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 허진성 ,  박성준 ,  변경은 ,  서형석 ,  송현재 ,  이재호 ,  정현종

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/16 ,  B82Y99/00 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 그래핀채널을포함한터널링전계효과트랜지스터가개시된다. 개시된터널링전계효과트랜지스터는, 기판상의제1전극, 상기제1전극상의반도체층, 상기반도체층상에서상기제1전극과이격된제1영역으로연장된그래핀채널, 상기제1영역상에서상기그래핀채널상의제2전극, 상기그래핀채널을덮는게이트절연층, 상기게이트절연층상의게이트전극을구비한다. 상기제1전극및 상기그래핀채널은제2영역에서상기반도체층을마주보고배치된다.

公开(公告)号：KR101892232B1

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：KR1020187001483

申请日：2011-11-23

Applicant: 인텔 코포레이션

Inventor： 쿤,켈린제이. ,  김,세연 ,  리오스,라파엘 ,  세아,스티븐엠. ,  길레스,마틴디. ,  카펠라니,안날리사 ,  라크시트,티타시 ,  창,피터 ,  라흐마디,윌리

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/775 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L29/0673 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/16 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

Abstract: 마이크로전자구조물들을형성하는방법들이설명된다. 이들방법의실시예들은스페이서들에인접한소스/드레인구조물들과스페이서들사이에배치된나노와이어채널구조물들 - 나노와이어채널구조물들은서로의위로수직으로스택되어있음 - 을포함하는나노와이어장치를형성하는것을포함한다.

公开(公告)号：KR101878751B1

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：KR1020110062482

申请日：2011-06-27

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 최병룡 ,  이은경 ,  황동목

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1606 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/775 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

Abstract: 그래핀구조체및 그제조방법과, 그래핀소자및 그제조방법이개시된다. 개시된그래핀구조체는, 기판상에형성되는측면이노출된성장층과, 상기성장층의측면에성장된그래핀을포함한다.

公开(公告)号：KR101878739B1

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：KR1020110108807

申请日：2011-10-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이주호 ,  이창승 ,  김용성 ,  송현재

IPC: H01L21/02 ,  B32B15/04 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78603 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78684 ,  Y10T428/24917

Abstract: 그래핀전사부재, 그래핀전사방법및 이를이용한그래핀소자제조방법이개시된다. 개시된그래핀전사부재는접착부재상에순차적으로적층된금속박막층및 그래핀층을포함하며, 상기금속박막층및 상기그래핀층은동일한형상을가진다. 그래핀전사부재는그래핀소자의제조시전사대상기판에전사한후, 금속박막층의일부를제거하여남은금속박막층을전극으로이용할수 있다.

公开(公告)号：KR20180036891A

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：KR20160127114

申请日：2016-09-30

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/32 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L29/105 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/283 ,  H01L27/3274 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/227 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L51/0562

Abstract: 본발명은반도체물질과탄소동소체를포함하는 2층구조의액티브층을제공한다. 본발명의일 실시예에따른박막트랜지스터어레이기판은게이트전극, 액티브층, 게이트절연막, 소스전극및 드레인전극을포함한다. 게이트전극은기판상에위치한다. 액티브층은게이트전극과대향하며, 상기게이트전극과인접하여반도체물질과다수의탄소동소체를포함하는제1 액티브층및 제1 액티브층과접하며반도체물질을포함하는제2 액티브층을포함한다. 게이트절연막은게이트전극과액티브층사이에개재된다. 소스전극과드레인전극은액티브층에각각접촉한다.

Abstract translation: 公开了碳同素异形体和包含其的显示装置。 所述薄膜晶体管阵列基板包括基板，所述基板上的栅电极，包括第一有源层的有源层，所述有源层与所述栅电极相对并且与所述栅电极相邻，由此包括半导体材料和多个碳 同素异形体以及第二有源层，所述第二有源层与所述第一有源层接触并且包括半导体材料，所述栅电极和所述有源层之间的栅绝缘膜，以及分别与所述有源层和所述有源层接触的源电极和漏电极。 层。

公开(公告)号：KR101813181B1

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：KR1020110085818

申请日：2011-08-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 허진성 ,  박성준 ,  정현종 ,  송현재 ,  양희준 ,  서형석

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1606 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/092 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/78684

Abstract: 튜너블배리어를포함하는그래핀전계효과트랜지스터를구비한인버터논리소자가개시된다. 개시된인버터논리소자는백게이트기판상의게이트옥사이드와, 상기게이트옥사이드상에서서로이격된제1 그래핀층및 제2 그래핀층과, 상기제1 그래핀층상에서이격된제1전극및 제1 반도체층와, 상기제2 그래핀층상에서이격된제2전극및 제2 반도체층과, 상기제1 반도체층및 상기제2 반도체층에연결되며상기제1 그래핀층및 상기제2 그래핀층과마주보는출력전극을구비한다. 상기제1 반도체층및 상기제2 반도체층은각각 n형불순물및 p형불순물중 서로다른불순물로도핑된다.

Abstract translation: 公开了一种具有包括可调栅栏的石墨烯场效应晶体管的逆变器逻辑器件。 公开的逆变器逻辑元件返回到栅基片上的栅氧化层，所述彼此隔开的栅极氧化物，第一是被钉扎层和第二是被钉扎层和第一电极和第一是被钉扎层上间隔开的第一半导体cheungwa，其中 2所以所述第二电极和所述被钉扎层和所述第一半导体层上分隔开并连接到所述第二半导体层具有钉扎层和面对钉扎第二是一个输出电极的第二半导体层和所述第一是。 第一半导体层和第二半导体层分别掺杂有n型杂质和p型杂质的不同杂质。

公开(公告)号：KR1020170090908A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：KR1020160011873

申请日：2016-01-29

Applicant: 한화테크윈 주식회사

Inventor： 박종한 ,  조승민 ,  서순애 ,  신소명

IPC: C01B31/04 ,  C01D15/04 ,  B01J23/72 ,  B01J23/755 ,  C23C16/44 ,  C23C16/30

CPC classification number: H01L29/1606 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02527 ,  H01L23/29 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78684 ,  H01L51/5215

Abstract: 기판; 기판의적어도일 면에형성된그래핀층; 및상기그래핀층상에형성된함불소리튬화합물을포함한무기물층;을포함하는그래핀기반적층체및 이의제조방법이제공된다.

Abstract translation: 基材; 石墨烯层，其形成在基板的至少一个表面上; 以及在石墨烯层上形成的含有含氟锂化合物的无机层以及该石墨烯系层叠体的制造方法。

公开(公告)号：KR1020170081072A

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：KR1020150191802

申请日：2015-12-31

Applicant: 엘지디스플레이 주식회사

Inventor： 강지연 ,  김성진 ,  김창은 ,  백정은

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/16 ,  H01L27/32 ,  G02F1/1368 ,  H01L51/52

CPC classification number: H01L27/3262 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/121 ,  G02F2201/123 ,  G02F2202/10 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/5253

Abstract: 본발명의일 실시예에따른액티브층은반도체물질및 다수의탄소동소체를포함한다. 액티브층에다수의탄소동소체를포함하여전하가도체를이동하는것처럼매우빠르게이동할수 있다. 본발명의액티브층은다수의탄소동소체를포함하는적어도하나의탄소동소체부와, 반도체물질을포함하는적어도하나의반도체부를포함한다.

Abstract translation: 根据本发明实施例的有源层包括半导体材料和多个碳同位素。 活性层可含有大量的碳同位素，使电荷移动得非常快，就像移动导体一样。 本发明的活性层包含至少一个包含多个碳异构体的碳同位素部分和至少一个包含半导体材料的半导体部分。

公开(公告)号：KR101750848B1

公开(公告)日：2017-06-26

申请号：KR1020157034821

申请日：2011-11-23

Applicant: 인텔 코포레이션

Inventor： 쿤,켈린제이. ,  김,세연 ,  리오스,라파엘 ,  세아,스티븐엠. ,  길레스,마틴디. ,  카펠라니,안날리사 ,  라크시트,티타시 ,  창,피터 ,  라흐마디,윌리

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/775

CPC classification number: H01L29/0673 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/16 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

Abstract: 마이크로전자구조물들을형성하는방법들이설명된다. 이들방법의실시예들은스페이서들에인접한소스/드레인구조물들과스페이서들사이에배치된나노와이어채널구조물들 - 나노와이어채널구조물들은서로의위로수직으로스택되어있음 - 을포함하는나노와이어장치를형성하는것을포함한다.

公开(公告)号：KR1020170054220A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：KR1020160110475

申请日：2016-08-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍준구 ,  오브라도빅보르나 ,  로더마크

IPC: H01L29/732 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78642 ,  H01L21/2256 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

Abstract: 전계효과트랜지스터및 이의제조방법이제공된다. 전계효과트랜지스터의제조방법은, 기판상에, 희생층을포함하는복수의층을형성하고, 상기복수의층을관통하도록식각하여제1 트랜치를형성하고, 상기제1 트랜치내에, 수직반도체시트(vertical semiconductor sheet)를성장시켜채널을형성하고, 상기희생층을식각하여제1 갭(gap)을형성하고, 상기제1 갭에전도체층(conductive layer)을형성하여게이트를형성하는것을포함한다.

Abstract translation: 提供场效应晶体管及其制造方法。 一种制造场效应晶体管的方法包括：在衬底上形成包括牺牲层的多个层，并且蚀刻所述多个层以形成第一沟槽; 通过生长垂直半导体片形成沟道;蚀刻牺牲层以形成第一间隙;以及在第一间隙中形成导电层以形成栅极。