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公开(公告)号：KR1020130110380A
公开(公告)日：2013-10-10
申请号：KR1020120032298
申请日：2012-03-29
申请人： 삼성전자주식회사
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/0079 , H01L33/28 , H01L33/38 , H01L2933/0016 , H01L2933/0091
摘要： PURPOSE: A semiconductor light emitting device and a manufacturing method thereof minimize microcracks of a semiconductor layer while improving productivity by using a chemical lift-off process. CONSTITUTION: A light emitting structure is disposed on a support substrate (109). The light emitting structure includes a first conductive semiconductor layer (105), an active layer (106), and a second conductive semiconductor layer (107). A ZnO layer (104) is disposed on the position opposite to the support substrate on the light emitting structure. An uneven surface is formed on the ZnO layer. A dam part (103) surrounds the side of the ZnO layer. A protective layer (110) covers the side of the light emitting structure.
摘要翻译： 目的：一种半导体发光器件及其制造方法，其通过使用化学剥离工艺提高生产率来最小化半导体层的微裂纹。 构成：发光结构设置在支撑基板（109）上。 发光结构包括第一导电半导体层（105），有源层（106）和第二导电半导体层（107）。 在发光结构的与支撑基板相对的位置上设置ZnO层（104）。 在ZnO层上形成不平坦的表面。 坝部（103）围绕ZnO层的一侧。 保护层（110）覆盖发光结构的一侧。
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公开(公告)号：KR1020130007126A
公开(公告)日：2013-01-18
申请号：KR1020110063805
申请日：2011-06-29
申请人： 삼성전자주식회사
CPC分类号： H01L33/10 , H01L33/22 , H01L33/38 , H01L33/42 , H01L2933/0016 , H01L2933/0058 , H01L2933/0091
摘要： PURPOSE: A semiconductor light emitting device, a light emitting device, and a method for manufacturing the semiconductor light emitting device are provided to improve the reliability of a device by forming a reflection layer between the substrate and a semiconductor layer. CONSTITUTION: A light emitting structure includes a first conductive semiconductor layer(12) and a second conductive semiconductor layer(14). The light emitting structure includes an active layer(13) between the semiconductor layers. The substrate is arranged around the first main surface of the light emitting structure. The reflection layer is arranged between the first main surface and the substrate. The reflection layer reflects a part of light emitted from the active layer.
摘要翻译： 目的：提供一种半导体发光器件，发光器件和用于制造半导体发光器件的方法，以通过在衬底和半导体层之间形成反射层来提高器件的可靠性。 构成：发光结构包括第一导电半导体层（12）和第二导电半导体层（14）。 发光结构包括半导体层之间的有源层（13）。 基板布置在发光结构的第一主表面周围。 反射层设置在第一主表面和基板之间。 反射层反射从有源层发射的光的一部分。
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公开(公告)号：KR1020100003502A
公开(公告)日：2010-01-11
申请号：KR1020080063434
申请日：2008-07-01
申请人： 삼성전자주식회사
CPC分类号： H04L47/10 , H04L47/14 , H04L47/30 , H04W28/14 , H04W52/286 , H04B2201/70722
摘要： PURPOSE: A data transfer equipment of a high speed packet access system and a method thereof are provided to improve uplink data rate by allocating power of HS-DPCCH(High-Speed Dedicated Physical Control Channel) to an E-DPDCH(Enhanced-Dedicated Physical Data Channel). CONSTITUTION: A terminal transmits packet data, quality indication information and response information of the terminal through an uplink channel to a base station. The base station compares a terminal packet buffer and the packet buffer of the base station with the critical value(515, 517). If a turbo mode flag is set(519), the transmission power allocated in the other transmitter is allocated to the transmission power of the packet data transmission.
摘要翻译： 目的：提供高速分组接入系统的数据传输设备及其方法，通过将HS-DPCCH（高速专用物理控制信道）的功率分配给E-DPDCH（增强专用物理层）来提高上行数据速率 数据通道）。 构成：终端通过上行链路信道向基站发送分组数据，质量指示信息和终端的响应信息。 基站将终端分组缓冲器和基站的分组缓冲器与临界值进行比较（515,517）。 如果设置了turbo模式标志（519），则分配给另一发射机的发射功率被分配给分组数据传输的发射功率。
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公开(公告)号：KR1020090070980A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：KR1020070139161
申请日：2007-12-27
申请人： 삼성전자주식회사
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/12 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02505 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L33/025
摘要： A nitride semiconductor light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to increase light emitting efficiency electrically and optically by using a first intermediate pattern layer and a second intermediate pattern layer. An n side electrode(192) is formed in an exposed area on a substrate(110). At least two intermediate pattern layers(141,142) are equipped inside an n type nitride semiconductor layer(130). A quantum well layer and a quantum barrier layer are alternatively stacked in an active layer(150) with a multi quantum well structure. An electron blocking layer(160) is made of a p type nitride material containing Al. A p type electrode(191) is formed in an upper surface of a transparent electrode layer(180). A first n type nitride semiconductor layer(131), a second n type nitride semiconductor layer, and a third n type nitride semiconductor layer are successively formed on the substrate.
摘要翻译： 提供氮化物半导体发光器件及其制造方法，以通过使用第一中间图案层和第二中间图案层来电和光学地提高发光效率。 在基板（110）上的暴露区域中形成n侧电极（192）。 至少两个中间图案层（141,142）装配在n型氮化物半导体层（130）的内部。 量子阱层和量子势垒层交替地堆叠在具有多量子阱结构的有源层（150）中。 电子阻挡层（160）由含有Al的p型氮化物材料制成。 在透明电极层（180）的上表面形成有p型电极（191）。 第一n型氮化物半导体层（131），第二n型氮化物半导体层和第三n型氮化物半导体层依次形成在衬底上。
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公开(公告)号：KR101483230B1
公开(公告)日：2015-01-16
申请号：KR1020080114889
申请日：2008-11-18
申请人： 삼성전자주식회사
摘要： 본 발명은 p측 투명 전극의 광투과율과 오믹 접촉 특성이 개선된 질화물 반도체 발광소자에 관한 것이다. 본 발명의 일 측면에 따른 질화물 반도체 발광 소자는, 기판 상에 순차 형성된 n형 질화물 반도체층, 활성층, p형 질화물 반도체층을 구비한 발광 구조물; 및 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 Mg, Cu, Zn 중 적어도 1종이 도핑된 In
2 O
3 층과 상기 도핑된 In
2 O
3 층 상에 형성된 투명 전도성 산화물(Transparent Conducting Oxide: TCO 라고도 함)층을 구비한 투명 전극 구조;를 포함하고, 상기 p형 질화물 반도체층과 상기 도핑된 In
2 O
3 층 간의 계면에 Mg, Cu, Zn 중 적어도 1종과 Ga이 포함된 고용물의 나노 도트들이 형성되어 있다.
질화물 반도체, LED-
公开(公告)号：KR1020110099513A
公开(公告)日：2011-09-08
申请号：KR1020100018581
申请日：2010-03-02
申请人： 삼성전자주식회사
IPC分类号： F21V19/00 , F21V29/70 , F21V29/74 , F21V29/83 , F21V23/00 , F21V3/04 , F21Y101/02 , F21Y105/00 , F21Y111/00
CPC分类号： F21V19/001 , F21V3/061 , F21V3/062 , F21V23/006 , F21V23/009 , F21V29/70 , F21V29/74 , F21V29/83 , F21Y2101/00 , F21Y2105/00 , F21Y2107/00 , F21Y2115/10
摘要： 조명 장치가 제공된다.
본 발명의 실시형태에 따른 조명 장치는 기판과, 상기 기판상에 적층된 반도체층을 포함하는 LED 칩; 상기 반도체층의 적측방향과 직각이 되도록 상기 LED 칩이 상면에 수직하게 실장되며, 상기 LED 칩에서 발생된 열을 전달받아 외부로 방출하는 지지부; 및 상기 지지부가 상부에 체결되며, 하부에는 외부전원과 연결되는 외부접속부를 구비하여 상기 LED 칩에 전원을 공급하는 본체부;를 포함한다.-
公开(公告)号：KR1020100028887A
公开(公告)日：2010-03-15
申请号：KR1020080087831
申请日：2008-09-05
申请人： 삼성전자주식회사
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014
摘要： PURPOSE: A light-emitting diode package is provided to improve thermal characteristic by reducing the thermal resistance between a package and an LED chip. CONSTITUTION: A light emitting device package comprises a package body(10), a first lead frame(21), a second lead frame(22), an LED chip(30), and an adhesive sheet(40). The package body comprises a space part(12). The first lead frame comprises a lower end surface exposing for emitting heat. A part of the second lead frame is exposed to the bottom surface of the space part of the package body. The LED chip is electrically connected to the first lead frame and the second lead frame. The adhesive sheet places the LED chip through the die bonding. The adhesive sheet is comprised of an adhesive resin. The adhesive resin contains an inorganic powder.
摘要翻译： 目的：提供一种发光二极管封装，通过降低封装和LED芯片之间的热阻来提高热特性。 构成：发光器件封装包括封装体（10），第一引线框架（21），第二引线框架（22），LED芯片（30）和粘合片（40）。 包装体包括空间部分（12）。 第一引线框架包括用于发热的露出的下端表面。 第二引线框架的一部分暴露于封装主体的空间部分的底表面。 LED芯片电连接到第一引线框架和第二引线框架。 粘合片将LED芯片通过芯片接合。 粘合片由粘合树脂构成。 粘合剂树脂含有无机粉末。
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公开(公告)号：KR1020090060784A
公开(公告)日：2009-06-15
申请号：KR1020070127719
申请日：2007-12-10
申请人： 삼성전자주식회사
摘要： A GaN based light emitting device is provided to increase dimensions of an active layer per unit dimension by growing an active layer on an increased surface of a semiconductor layer having a rough surface. A first conductive type bottom GaN based semiconductor layer(13a) is formed on a sapphire substrate(11) in which a buffer layer(12) is formed. A MgN based compound semiconductor layer(14) is formed on the first conductive type bottom GaN based semiconductor layer. A first conductive type top GaN based semiconductor layer(13b) is formed on the MgN based compound semiconductor layer. An active layer(15) is formed on the first conductive type top GaN based semiconductor layer. A second conductive type GaN based semiconductor layer(16) is formed on the active layer.
摘要翻译： 提供GaN基发光器件，通过在具有粗糙表面的半导体层的增加的表面上生长活性层来增加每单位尺寸的有源层的尺寸。 在形成有缓冲层（12）的蓝宝石衬底（11）上形成第一导电型底部GaN基半导体层（13a）。 在第一导电型底GaN基半导体层上形成MgN基化合物半导体层（14）。 在MgN基化合物半导体层上形成第一导电型顶部GaN基半导体层（13b）。 在第一导电型顶GaN基半导体层上形成有源层（15）。 在有源层上形成第二导电型GaN基半导体层（16）。
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公开(公告)号：KR1020090049691A
公开(公告)日：2009-05-19
申请号：KR1020070115891
申请日：2007-11-14
申请人： 삼성전자주식회사
摘要： 균일한 전류 전달을 이루어 유효한 발광 면적을 최대한 확보하여 휘도를 향상시킬 수 있는 전극 패드와 전극 패드에 연결된 다수의 전극 핑거를 구비한 질화물 반도체 발광 다이오드에 관한 것이다.
본 발명에 따른 질화물 반도체 발광 다이오드는 기판 상에 순차적으로 형성된 제 1 도전형 반도체 물질로 형성된 제 1 클래드층, 다중 양자 우물 구조의 활성층 및 제 2 전도성 반도체 물질로 형성된 다층 구조의 제 2 클래드층을 포함하되, 상기 제 2 클래드층의 상부면 양측에 형성된 p-전극 패드; 및 상기 제 1 클래드층의 노출 영역에서 상기 p-전극 패드 각각에 동일한 이격 거리로 마주하여 배치되는 적어도 하나의 n-전극 패드를 포함하고, 상기 p-전극 패드 각각은 상기 n-전극 패드 방향으로 연장된 적어도 하나의 p-전극 핑거가 연결되며, 상기 n-전극 패드는 상기 p-전극 핑거에 마주하여 교차 배치되는 다수의 n-전극 핑거가 연결된다.
본 발명에 따라 p-전극 패드와 n-전극 패드에 주입된 전류가 다수의 p-전극 핑거 및 다수의 n-전극 핑거를 통해 균일하게 전달되어 발광을 위한 유효한 발광 면적을 향상시키는 발광 다이오드를 획득할 수 있다.
전극 핑거, 질화물 반도체 발광 다이오드, 전극 패드-
公开(公告)号：KR101767101B1
公开(公告)日：2017-08-24
申请号：KR1020110048368
申请日：2011-05-23
申请人： 삼성전자주식회사
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/20 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2224/83385 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 본발명은반도체발광소자및 그제조방법에관한것으로서, 본발명의일 측면은서로대향하는제1 및제2 주면을갖되, 상기제2 주면에는요철이형성된투광성기판과, 상기제1 주면측에배치되며, 제1 및제2 도전형반도체층과이들사이에형성된활성층을포함하는발광부와, 상기제1 및제2 도전형반도체층과각각전기적으로연결된제1 및제2 전극및 상기제2 주면측에배치된반사금속층과, 상기투광성기판및 상기반사금속층사이에배치된투광성유전체층을포함하는배면반사부를포함하는반도체발광소자를제공한다. 본발명의일 실시예에의할경우, 성장기판의배면측에광 반사성능및 방열성능등이우수한반사기구조를갖는반도체발광소자를얻을수 있다.
摘要翻译： 本发明涉及一种半导体发光器件及其制造的方法，并且具有第一mitje第二主表面相对的本发明的相互的一个方面，设置在具有凹凸，第二主表面，所述第一主面侧的透明基板上 第一和第二导电类型半导体层以及形成在第一和第二导电类型半导体层之间的有源层;第一和第二电极，电连接到第一和第二导电类型半导体层; 并且背面反射器包括设置在透射衬底和反射金属层之间的反射金属层以及设置在透射衬底和反射金属层之间的透射介电层。 根据本发明的一个实施例，可以在生长衬底的背面上获得具有光反射性能，散热性能等优异的反射器结构的半导体发光器件。
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