公开(公告)号：KR101916020B1

公开(公告)日：2018-11-07

申请号：KR1020110068586

申请日：2011-07-11

申请人： 엘지이노텍 주식회사

发明人： 원종학

IPC分类号： H01L33/04 ,  H01L33/06

CPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 실시예에따른발광소자는, 제1도전형반도체층; 상기제1도전형반도체층위에제2도전형반도체층; 및상기제1도전형반도체층과상기제2도전형반도체층사이에배치되며, 교대로적층된복수의우물층과복수의장벽층을포함하는활성층을포함하며, 상기복수의우물층중 상기제2도전형반도체층에가장가까운제1우물층은상기제1도전형반도체층에더 가까운제2우물층의두께보다더 얇은두께를포함하며, 상기제1우물층은상기제2우물층의우물깊이와다른우물깊이를포함하며, 상기복수의장벽층은상기제2클래드층과상기제1우물층사이에제1장벽층과, 상기제1우물층과상기제2우물층사이에제2장벽층을포함한다.

公开(公告)号：KR101915873B1

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：KR1020167031397

申请日：2014-05-12

申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤

发明人： 가와시마히로시 ,  사카모토겐 ,  시카노다케토시

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L24/49 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48108 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49052 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49505 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

摘要： 리드프레임을준비하고, 그다이패드(3)상에전력용반도체소자(5)를고착한다. 다이패드(3)의하면에절연막(9)을사이에두고금속판(8)을고착한다. 하부금형(12a)과상부금형(12b)의사이의캐비티(13) 내에, 이너리드(1a), 다이패드(3), 전력용반도체소자(5), 절연막(9), 및금속판(8)을배치하여봉지수지(10)에의해봉지한다. 하부금형(12a)은, 이너리드(1a)의아래쪽에있어서캐비티(13)의저면에마련된단차부(14)를갖는다. 단차부(14)의상면의높이는캐비티(13) 내에배치된전력용반도체소자(5)의상면의높이보다높다. 캐비티(13) 내에봉지수지(10)를주입할때에, 금속판(8)의하면은캐비티(13)의저면에접하고, 봉지수지(10)를단차부(14)의위쪽으로부터전력용반도체소자(5)의상면으로향해아래방향으로흘린다.

公开(公告)号：KR101913895B1

公开(公告)日：2018-10-31

申请号：KR1020150061564

申请日：2015-04-30

申请人： 제네럴 일렉트릭 컴퍼니

发明人： 머피제임스에드워드 ,  라이온스로버트죠셉 ,  세트루어아난트아치웃

IPC分类号： C09K11/57 ,  C09K11/61 ,  C09K11/08 ,  H01L33/50 ,  H05B33/14

CPC分类号： C09K11/617 ,  C01B33/10 ,  C09K11/616 ,  H01L33/502 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： 화학식 A[MF]의화합물, 화학식 AX의화합물, 및플루오로망간화합물을포함하는 Mn공급원의혼합물을기체형태의함불소산화제와승온에서접촉시켜 Mn도핑된인광체를형성하는것을포함하는하기화학식 I의 Mn도핑된인광체의제조방법: A[MF]:MnI 상기식에서, A는 Li, Na, K, Rb, Cs, 또는이의조합이고; M은 Si, Ge, Sn, Ti, Zr, Al, Ga, In, Sc, Hf, Y, La, Nb, Ta, Bi, Gd, 또는이의조합이며; X는 F, Cl, Br, I, HF, 또는이의조합이고; x는 [MF] 이온의전하의절대값이며; y는 5, 6 또는 7이고; n은 2, 3 또는 4이다.

公开(公告)号：KR101912983B1

公开(公告)日：2018-10-29

申请号：KR1020150014166

申请日：2015-01-29

申请人： 타나카 덴시 코오교오 카부시키가이샤

发明人： 야스하라가즈히코 ,  마에다나나코 ,  오카자키쥰이치 ,  치바준 ,  첸웨이 ,  안토쿠유키

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L24/45 ,  H01L24/43 ,  H01L24/48 ,  H01L24/78 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/456 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/78601 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01008 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01004

摘要： 본발명은고순도의은금합금본딩와이어이어도, 지금까지와동일한조성의은금합금의것보다도, 수지밀봉한경우의열충격성이우수한효과를발휘하는은금합금본딩와이어를제공하는것을목적으로한다. 또한, 본발명은스풀에권취된은금합금본딩와이어의권취및 풀림성이좋은은금합금본딩와이어를제공하는것을목적으로한다. 본발명의은금합금본딩와이어는, 은금합금을포함하는본딩와이어에있어서, 질량백분율로, 금(Au)을 10% 이상 30% 이하포함하고, 칼슘(Ca)을 30ppm 이상 90ppm 이하포함하고, 잔량부가, 상기원소이외의금속원소의순도가 99.99% 이상인은(Ag)을포함하는합금이며, 상기합금의표층에산소(O)와칼슘(Ca)의농화층이형성되고, 또한, 상기표층바로아래의층에금 농화층이형성되어있는것을특징으로한다.

公开(公告)号：KR101909896B1

公开(公告)日：2018-10-19

申请号：KR1020177008341

申请日：2009-08-27

申请人： 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤

发明人： 이찌까와,히로후미 ,  하야시,마사끼 ,  사사오까,심뻬이 ,  미끼,도모히데

IPC分类号： H01L33/48 ,  H01L33/00 ,  H01L33/52 ,  H01L33/62 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  B29C45/00 ,  B29C45/14 ,  H01L23/00 ,  H01L33/60

CPC分类号： H01L33/486 ,  B29C45/0055 ,  B29C45/14655 ,  B29C2793/009 ,  H01L24/97 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/504 ,  H01L33/56 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L33/641 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 리드프레임과열경화성수지조성물과의밀착성이높고, 단시간에다수개의발광장치를제조하는간이하고또한염가의방법을제공하는것을목적으로한다. 열경화후의, 파장 350㎚∼800㎚에서의광 반사율이 70% 이상이고, 외측면(20b)에서수지부(25)와리드(22)가대략동일면에형성되어있는수지패키지(20)를갖는발광장치의제조방법으로서, 절결부(21a)를형성한리드프레임(21)을상부금형(61)과하부금형(62) 사이에끼워넣는공정과, 상부금형(61)과하부금형(62) 사이에끼워넣어진금형(60) 내에, 광반사성물질(26)이함유되는열경화성수지(23)를트랜스퍼몰드하여, 리드프레임(21)에수지성형체(24)를형성하는공정과, 절결부(21a)를따라서수지성형체(23)와리드프레임(21)을절단하는공정을갖는발광장치의제조방법에관한것이다.

公开(公告)号：KR101908910B1

公开(公告)日：2018-10-17

申请号：KR1020170166406

申请日：2017-12-06

申请人： 세미컨덕터 콤포넨츠 인더스트리즈 엘엘씨

发明人： 그리브나,고든엠. ,  세던,마이클제이.

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/76 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/784

CPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/78 ,  H01L21/784 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/167 ,  H01L25/18 ,  H01L33/20 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19102 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： 한실시예에서, 비-직사각형형상을갖는반도체다이및 여러상이한형상을갖는다이가형성되어반도체웨이퍼로부터싱귤레이트된다.

公开(公告)号：KR101906458B1

公开(公告)日：2018-10-10

申请号：KR1020137015770

申请日：2011-11-16

申请人： 마이크로칩 테크놀로지 인코포레이티드

发明人： 딕스그레고리

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/495

CPC分类号： H01L23/4824 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7816 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49173 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/49177 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 반도체파워칩은그 기판에제조된파워디바이스를구비하는반도체다이(102)를포함할수 있으며, 상기파워디바이스는상기반도체다이에배치된적어도하나의제1 접촉요소(110,G), 복수의제2 접촉요소들(S), 복수의제3 접촉요소들(D); 상기복수의제2 접촉요소들과상기복수의제3 접촉요소들각각에배치된복수의볼 범프들(106, 108) 또는로프범프; 및상기적어도하나의제1 접촉요소에있는적어도하나의볼 범프(104) 또는로프를갖는다.

公开(公告)号：KR101905942B1

公开(公告)日：2018-10-08

申请号：KR1020157014935

申请日：2013-11-06

申请人： 타츠타 전선 주식회사

发明人： 하세가와츠요시 ,  구로사키유지

IPC分类号： H01L23/00 ,  C22C5/06 ,  C22F1/00 ,  C22F1/14

CPC分类号： H01L24/85 ,  C22C5/06 ,  C22F1/14 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/78 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01105 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01062 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005

摘要： Ni/Pd/Au 피복전극 (a) 또는 Au 피복전극 (a)과의접합성이좋고, 내열충격성이우수하며, 금본딩와이어보다염가의본딩용와이어로한다. 볼본딩법에따라접속하기위한본딩용와이어(W)로서, Pd, Au로부터선택되는 1종이상의원소를합계로 1.0중량% 이상, 4.0중량% 이하, Ca, Y, La, Sm, Ce으로부터선택되는 1종이상의원소를합계로 20중량ppm 이상, 500중량ppm 이하포함하며, 잔부가 Ag 및불가피불순물로이루어지고, 상온에서의인장강도가 18~32kgf/mm, 250℃로 중에서의인장강도가 14kgf/mm이상이다. 이구성이라면, 연속본딩성, 열사이클시험, 1st 접합부직하의칩 손상의평가, 전기저항, 수지봉지시의와이어플로우(wire flow)의평가, 와이어의내황화성(sulfidation resistance)의각 평가에있어서, 실용상문제가없게된다.

公开(公告)号：KR101903819B1

公开(公告)日：2018-10-02

申请号：KR1020137030823

申请日：2012-05-28

申请人： 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤

发明人： 무라야마류이치 ,  시모베야스오 ,  가나모리나오야

IPC分类号： C09J11/04 ,  C09J163/00 ,  C09J201/00 ,  H01L21/52

CPC分类号： C09J9/02 ,  C08K3/10 ,  C08K7/18 ,  C08K2003/0806 ,  C08K2201/001 ,  C08K2201/005 ,  C09J11/04 ,  C09J163/00 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49513 ,  H01L24/73 ,  H01L33/62 ,  H01L33/64 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/15747 ,  H01S5/0226 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 본발명에의해작업성이우수한수지조성물이제공된다. 본발명의페이스트상의수지조성물은, 반도체소자와기재를접착하고, (A) 열경화성수지와 (B) 금속입자를함유하고있다. 그리고 (B) 금속입자는, 플로우식입자이미지해석장치에의한체적기준입도분포에있어서의 d가 10 ㎛이하이다. 바꾸어말하면, 입자경이 10 ㎛를 초과하는금속입자의체적비율이 5 % 미만이다. 여기서, d란, 누적체적비율이 95 % 가되는입자경을나타낸다.

公开(公告)号：KR101902611B1

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：KR1020147029012

申请日：2013-03-12

申请人： 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤

发明人： 이토신고

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L23/49503 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/4952 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48669 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/48869 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85186 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01205 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01017 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2224/4554

摘要： 내습성및 고온보관특성이우수한반도체장치를제공한다. 반도체장치는, 기판으로서, 다이패드부와이너리드부를갖는리드프레임을구비하고, 다이패드부에탑재된반도체소자와, 반도체소자에형성된전극패드와, 기판에형성된이너리드부와전극패드를접속시키는구리와이어와, 반도체소자및 구리와이어를봉지하는봉지수지를갖는다. 구리와이어와의접합면으로부터깊이방향으로적어도 3 ㎛이하의범위에있어서의전극패드의영역이, 알루미늄보다이온화경향이작은금속을주성분으로서함유하고, 구리와이어중의황 함유량이구리와이어전체에대해 15 ppm 이상 100 ppm 이하이다.