公开(公告)号：KR1020150042960A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：KR1020130121812

申请日：2013-10-14

申请人： 서울바이오시스 주식회사

发明人： 인치현

IPC分类号： G04G17/02 ,  G07D7/12

CPC分类号： G04B47/00 ,  G01N21/6447 ,  G04B19/06 ,  G04D7/00

摘要： 일실시예에따르는손목시계는디스플레이패널, 및상기디스플레이패널의일측면에배치되는위폐감별용자외선발광다이오드부를포함한다.

摘要翻译： 根据本发明的一个实施例的手表包括显示面板和用于检测布置在显示面板的一侧上的伪造的紫外线发光二极管单元。 用于检测伪造的紫外线发光二极管单元布置在位于显示面板外侧的支撑基板上。 用于检测伪造的紫外线发光二极管单元包括布置在支撑基板上的印刷电路板和安装在印刷电路板上的紫外线发光二极管芯片。

公开(公告)号：KR1020150033478A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：KR1020130113550

申请日：2013-09-24

申请人： 서울바이오시스 주식회사

发明人： 인치현 ,  조홍석

IPC分类号： H01L33/22

CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L33/145 ,  H01L33/32 ,  H01L2933/0083

摘要： 본개시의발광소자는, 기판; 기판상에형성된제1 반도체층; 제1 반도체층상에형성된활성층; 활성층상에울퉁불퉁한제1 요철표면을포함하여형성된제2 반도체층; 제1 반도체층의제1 요철표면과접촉하게형성된제1 전극패드; 및제2 반도체층과접촉하게형성된제2 전극패드를포함한다.

摘要翻译： 本公开的LED器件包括：衬底; 形成在所述基板上的第一半导体层; 形成在所述第一半导体层上的有源层; 在所述有源层上具有第一凹部表面的第二半导体层; 第一电极焊盘，其接触第一半导体层的第一凹部表面; 以及接触第二半导体层的第二电极焊盘。

公开(公告)号：KR1020140118042A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：KR1020130033230

申请日：2013-03-28

申请人： 서울바이오시스 주식회사

发明人： 인치현 ,  박대석 ,  서대웅 ,  김상민 ,  박인규 ,  김효정 ,  이형진

IPC分类号： H01L33/36 ,  H01L33/62 ,  H01L33/48

CPC分类号： H01L33/16 ,  H01L33/20 ,  H01L33/382 ,  H01L33/405 ,  H01L2933/0008

摘要： Disclosed is a light emitting diode and a lighting device having the same. The light emitting diode comprises: a hexagonal crystal structure transparent substrate having a first, a second and a side surface; a first conductive semiconductor layer located on the first surface of the transparent substrate; a second conductive semiconductor layer located on the first conductive semiconductor layer; an active layer located between the first and second conductive semiconductor layers; a first electrode electrically connected to the first conductive semiconductor layer; a second electrode electrically connected to the second conductive semiconductor layer; a first bump located on the first electrode; and a second bump located on the second electrode. The transparent substrate is a parallelogram having two acute angles and two obtuse angles. By structuring the substrate in a parallelogram shape, it is preventable that production yield of light emitting diode becomes reduced due to cracks in growth substrates during the manufacturing process.

摘要翻译： 公开了一种发光二极管和具有该发光二极管的照明装置。 发光二极管包括：具有第一，第二和侧表面的六方晶体结构透明基板; 位于所述透明基板的第一表面上的第一导电半导体层; 位于所述第一导电半导体层上的第二导电半导体层; 位于第一和第二导电半导体层之间的有源层; 电连接到第一导电半导体层的第一电极; 电连接到第二导电半导体层的第二电极; 位于所述第一电极上的第一凸起; 以及位于第二电极上的第二凸块。 透明基板是具有两个锐角和两个钝角的平行四边形。 通过以平行四边形形状构造基板，可以防止在制造过程中由于生长基板中的裂纹而导致的发光二极管的产量降低。

公开(公告)号：KR1020140081068A

公开(公告)日：2014-07-01

申请号：KR1020120150389

申请日：2012-12-21

申请人： 서울바이오시스 주식회사

发明人： 장종민 ,  한창석 ,  김화목 ,  서대웅 ,  인치현 ,  이규호 ,  채종현

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L33/12 ,  H01L33/22

摘要： Disclosed are a method of separating a substrate, a method of fabricating a semiconductor device and a semiconductor device fabricated by the same. A method of separating a substrate according to one aspect of the present invention includes preparing a growth substrate; forming a mask pattern which has an opening region and a masking region on the growth substrate; growing an epi layer which covers the mask pattern on the growth substrate having the mask pattern, and includes a cavity on the masking region; and separating the growth substrate from the epi layer. Because the cavity of the epi layer is formed on the masking region, the growth substrate can be easily separated from the epi layer by using the cavity and a stress lift-off or chemical lift-off technique.

摘要翻译： 公开了分离衬底的方法，制造半导体器件的方法和由其制造的半导体器件。 根据本发明的一个方面的分离底物的方法包括制备生长衬底; 在所述生长衬底上形成具有开口区域和掩蔽区域的掩模图案; 生长覆盖具有掩模图案的生长衬底上的掩模图案的外延层，并且在掩蔽区域上包括空腔; 并将生长衬底与外延层分离。 因为外延层的空腔形成在掩蔽区域上，所以通过使用空腔和应力剥离或化学剥离技术，生长衬底可以容易地与外延层分离。

公开(公告)号：KR1020140077476A

公开(公告)日：2014-06-24

申请号：KR1020120146328

申请日：2012-12-14

申请人： 서울바이오시스 주식회사

发明人： 장종민 ,  서대웅 ,  이규호 ,  인치현 ,  채종현

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L33/12 ,  H01L33/22

CPC分类号： H01L21/7806 ,  H01L21/3086 ,  H01L33/22

摘要： A method for forming an electrochemical etch mask pattern and a method for manufacturing a semiconductor device using the same are disclosed. The method for manufacturing the semiconductor device comprises: preparing a substrate; forming a sacrificial layer on the substrate; forming a mask pattern on the sacrificial layer; etching at least a part of the sacrificial layer by using the electrochemical etch (ECE); and forming a semiconductor laminated structure on the sacrificial layer, wherein the mask pattern includes sub-patterns having a different pitch from each other. According to the manufacturing method, damage to the semiconductor laminated structure due to separation of the substrate can be prevented since the mask pattern is uniformly etched by the etching solution.

摘要翻译： 公开了一种用于形成电化学蚀刻掩模图案的方法和用于制造使用其的半导体器件的方法。 制造半导体器件的方法包括：制备衬底; 在所述基板上形成牺牲层; 在牺牲层上形成掩模图案; 通过使用电化学蚀刻（ECE）蚀刻牺牲层的至少一部分; 以及在所述牺牲层上形成半导体叠层结构，其中所述掩模图案包括彼此具有不同间距的子图案。 根据制造方法，由于通过蚀刻溶液均匀地蚀刻掩模图案，因此可以防止由于基板分离导致的半导体层叠结构的损坏。

公开(公告)号：KR1020130018022A

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：KR1020110080835

申请日：2011-08-12

申请人： 서울바이오시스 주식회사

发明人： 서대웅 ,  이규호 ,  최효식 ,  고미소 ,  인치현

IPC分类号： H01L33/04

CPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/50 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2933/0058

摘要： PURPOSE: A light emitting diode is provided to improve a forward voltage property by adopting a P-type CNT layer with a high ohmic contact property instead of a P-GaN layer. CONSTITUTION: A semiconductor structure layer(210) includes an N-type semiconductor layer(212), an active layer(214), and a P-type CNT layer(216). A passivation layer(220) includes an opening to partially expose the surfaces of the N-type semiconductor layer and the P-type CNT layer. A fluorescent layer(250) is formed on the other surface of the substrate. A sub mount(300) mounts a substrate(100) with the semiconductor structure layer. A light emitting diode chip includes a first electrode(312) and a second electrode(314) formed on one surface of the sub mount.

摘要翻译： 目的：提供一种发光二极管，通过采用具有高欧姆接触特性的P型CNT层代替P-GaN层来提高正向电压特性。 构成：半导体结构层（210）包括N型半导体层（212），有源层（214）和P型CNT层（216）。 钝化层（220）包括用于部分地暴露N型半导体层和P型CNT层的表面的开口。 荧光层（250）形成在基板的另一个表面上。 辅助安装件（300）安装具有半导体结构层的基板（100）。 发光二极管芯片包括形成在副安装座的一个表面上的第一电极（312）和第二电极（314）。

公开(公告)号：KR1020120090493A

公开(公告)日：2012-08-17

申请号：KR1020110010956

申请日：2011-02-08

申请人： 서울바이오시스 주식회사

发明人： 인치현 ,  이규호 ,  서대웅 ,  최재량 ,  김창훈 ,  이성현

IPC分类号： H01L33/44 ,  H01L33/22 ,  H01L25/075

CPC分类号： H01L33/20 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/22 ,  H01L33/44 ,  H01L2224/1613 ,  H01L2933/0033

摘要： PURPOSE: Light emitting diode assembly and a manufacturing method thereof are provided to reduce total reflection by including a moth-eye pattern on a substrate. CONSTITUTION: A moth eye pattern(112) is located on one surface of a substrate. A semiconductor structure layer(120) comprises an n-type semiconductor layer, an active layer, and a p-type semiconductor layer. A passivation layer(130) comprises a first opening and a second opening. A part of the p-type semiconductor layer and the active layer is etched in order to expose a part of the n-type semiconductor layer. The first opening exposes a part of the exposed surface of the n-type semiconductor layer. The second opening exposes a part of the p-type semiconductor layer.

摘要翻译： 目的：提供发光二极管组件及其制造方法，以通过在基板上包括蛾眼图案来减少全反射。 构成：蛾眼图案（112）位于基底的一个表面上。 半导体结构层（120）包括n型半导体层，有源层和p型半导体层。 钝化层（130）包括第一开口和第二开口。 蚀刻p型半导体层和有源层的一部分以暴露n型半导体层的一部分。 第一开口露出n型半导体层的暴露表面的一部分。 第二开口露出一部分p型半导体层。

公开(公告)号：KR101812745B1

公开(公告)日：2017-12-27

申请号：KR1020110044337

申请日：2011-05-12

申请人： 서울바이오시스 주식회사

发明人： 이규호 ,  서대웅 ,  김민혜 ,  이지혜 ,  박준용 ,  인치현 ,  채종현

IPC分类号： H01L33/46 ,  H01L33/36

摘要： 본발명은발광다이오드및 그의제조방법에관한것이다. 본발명에의하면, 성장기판; 상기성장기판의일측표면상에구비되며, 그일부가노출된제1도전형반도체층, 활성층및 제2도전형반도체층을포함하는반도체구조체층; 상기제1도전형반도체층의노출된일부상에구비된제1전극패드; 상기제2도전형반도체층상에구비되며, 상기제2도전형반도체층의표면을노출시키는제1오픈영역을복수개 구비한제1반사구조(Distributed Bragg Reflector) 패턴; 상기제1반사구조패턴이구비된제2도전형반도체층상에구비되되, 상기제1오픈영역을통해상기제2도전형반도체층과접촉하는콘택층; 상기콘택층상에구비되며, 상기콘택층의표면을노출시키는제2오픈영역을복수개 구비하되, 적어도상기제1오픈영역들은덮는제2반사구조패턴; 및상기제2오픈영역을통해노출된상기콘택층과전기적으로접촉하는제2전극패드를포함하는발광다이오드가제공된다.

摘要翻译： 本发明涉及一种发光二极管及其制造方法。 根据本发明，生长衬底; 生长被设置在所述基板的侧表面，并且部分地暴露第一导电类型半导体层，有源层和包括半导体层的第二导电型半导体结构; 设置在第一导电类型半导体层的暴露部分上的第一电极焊盘; 第二导电类型被设置在半导体层上，第二导电型的第一反射具有第一多个暴露的半导体层（分布式布拉格反射器）图案的表面的开口区域结构; 具有包括通过所述与所述第二导电型半导体层接触的第一开口区域的接触层，第二导电类型半导体层的反射结构图案的第一doedoe; 接触被设置在该层上，但具有多个第二开放区域的以暴露接触层的表面，至少所述第一开口区域覆盖所述第二反射结构图案; 并且第二电极焊盘与通过第二开放区域暴露的接触层电接触。

公开(公告)号：KR1020160081473A

公开(公告)日：2016-07-08

申请号：KR1020140195355

申请日：2014-12-31

申请人： 서울바이오시스 주식회사

发明人： 박대석 ,  박은지 ,  인치현 ,  조홍석

IPC分类号： H01L33/36

CPC分类号： H01L33/36

摘要： 본발명의일 실시예에따른발광다이오드는기판, 상기기판상에배치되며, AlGaN (0.4≤x≤1)을포함하는하부반도체층, 상기하부반도체층의제1 영역상에배치된제1 상부반도체층및 상기하부반도체층과상기제1 상부반도체층사이에배치된활성층을포함하는발광구조체, 상기하부반도체층의제2 영역상에배치되며, 상기하부반도체층과접속된컨택층및 상기컨택층상에서상기컨택층의상면및 측면을덮는제 1 투명도전층을포함하는제1 전극, 및상기제1 전극상에배치된제1 범프전극을포함하며, 상기활성층은피크파장이 200nm 내지 300nm인광을방출할수 있다. 제1 투명도전층은하부반도체층상에서보호층의역할을할 수있다. 이를통해, 발광다이오드가고온, 고습에서장기간구동되어도상기하부반도체층의금속성분이발광다이오드표면으로석출되는것이방지되어, 발광다이오드의신뢰성및 발광효율이향상될수 있다.

摘要翻译： 根据本发明的实施例，具有高可靠性的发光二极管包括：基板; 下半导体层设置在衬底上并包括Al_xGa_（1-x）N（0.4 <= x <= 1）; 发光结构，其包括设置在所述下半导体层的第一区域上的第一上半导体层和设置在所述下半导体层和所述第一上半导体层之间的有源层; 第一电极，其设置在下半导体层的第二区域上，并且包括连接到下半导体层的接触层和覆盖接触层上的接触层的顶表面和侧表面的第一透明导电层; 以及设置在第一电极上的第一凸块电极。 有源层可以发射具有200nm至300nm的峰值波长的光。 第一透明导电层可以用作下半导体层上的保护层。 因此，即使长时间在高温高湿下驱动发光二极管，也可以防止下半导体层的金属成分被提取到发光二极管的表面，由此提高 发光二极管的可靠性和发光效率。

公开(公告)号：KR1020160068715A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：KR1020160065562

申请日：2016-05-27

申请人： 서울바이오시스 주식회사

发明人： 인치현 ,  박준용 ,  이규호 ,  서대웅 ,  채종현 ,  김창훈 ,  이성현

IPC分类号： H01L33/48 ,  H01L33/36

CPC分类号： H01L33/486 ,  H01L33/20 ,  H01L33/44 ,  H01L33/505 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/16 ,  H01L2933/0033 ,  H01L33/48 ,  H01L33/36

摘要： 본발명은발광다이오드패키지및 그의제조방법에관한것이다. 본발명에의하면, 제1형반도체층, 제2형반도체층, 및상기제1형반도체층과제2형반도체층의사이에위치하는활성층을포함하는반도체구조체층; 상기반도체구조체층의제2형반도체층상에위치하는오믹콘택층; 상기오믹콘택층상에위치하는제1 패드; 상기오믹콘택층과상기제1 패드를부분적으로덮되, 상기제1 패드를오픈하는제1 개구부를포함하는제1 절연막; 및상기제1 절연막의제1 개구부를통해상기제1 패드와전기적으로접촉하는제1 연결배선을포함하고, 상기제1 절연막은 DBR층을포함하는발광다이오드패키지가제공된다.

摘要翻译： 公开了一种发光二极管封装及其制造方法。 发光二极管封装包括：包括第一类型半导体层，第二类型半导体层，位于第一类型半导体层和第二类型半导体层之间的有源层的半导体结构; 位于半导体结构的第二类型半导体层上的欧姆接触层; 位于所述欧姆接触层上的第一焊盘; 部分地覆盖欧姆接触层和第一焊盘的第一绝缘层，并且包括用于打开第一焊盘的第一开口单元; 以及第一连接线，用于通过第一绝缘层的第一开口单元与第一焊盘电连接。 绝缘层包括分布式布拉格反射（DBR）层。