公开(公告)号：KR1020010111495A

公开(公告)日：2001-12-19

申请号：KR1020017010908

申请日：2000-02-23

Applicant: 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤

Inventor： 히라노다까시 ,  야마모또가게히사 ,  반바도시오 ,  마까베히로아끼

IPC: G03F7/038

Abstract: 본 발명은 플립(flip) 칩의 제조시 작업성을 개선하고, 높은 신뢰도의 반도체 장치를 제공한다. 폴리아미드 100 중량부 및 감광성 디아조퀴논 화합물을 1~100 중량부 함유하는 포지티브(positive) 감광성 수지 조성물을 장치 구조물의 표면에 도포하고, 패턴화 및 경화한다. 생성된 장치 보호용 폴리벤조옥사졸 수지 필름 및 범프 전극은 반도체 장치 성형에 사용된다.

公开(公告)号：KR1019970076084A

公开(公告)日：1997-12-10

申请号：KR1019970018351

申请日：1997-05-12

Applicant: 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤

Inventor： 히라노다까시 ,  반바도시오 ,  마까베히로아끼 ,  다께다나오시게 ,  다께다도시로

IPC: G03F7/012 ,  G03F7/00

Abstract: (A) 하기 화학식(1)로 나타낸 폴리아미드 100중량부:

[식 중, X는 4가의 방향족기를 나타내고; Y는 2기의 방향족기를 나타내며; Z는 하기식으로 나타낸 기를 나타낸다:

(식 중, R
1 및 R
2 는 2가의 유기기를 나타내고, R
3 및 R
4 는 1가의 유기기를 나타내며; a 및 b는 몰 분수를 나타내고; a+b=100몰%;a=60.0내지 100.0몰%; b=0 내지 40.0몰%; 및 n은 정수 2 내지 500이다)], (B)감광성 디아조퀴논 화합물 1 내지 100중량부, (C) 특정 구조식으로 나타낸 페놀 화합물 1 내지 50 중량부, 및 (D)특정 구조식으로 나타낸 유기규소 화합물 0.1 내지 20중량부를 함유하는 파지티브형 감광성 수지 조성물; 및 상기 감광성 수지 조성물을 이용하여 수득한 폴리벤족사졸 수지의 패턴이 반도체 소자상에 0.1 내지 20㎛의 두께로 형성된 반도체 장치.

公开(公告)号：KR100533488B1

公开(公告)日：2006-04-14

申请号：KR1019970018351

申请日：1997-05-12

Applicant: 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤

Inventor： 히라노다까시 ,  반바도시오 ,  마까베히로아끼 ,  다께다나오시게 ,  다께다도시로

IPC: G03F7/012 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/0226 ,  G03F7/0755 ,  G03F7/0757 ,  Y10S430/107

Abstract: (A) 하기 화학식 (1) 로 나타낸 폴리아미드 100 중량부:

[식중, X 는 4가의 방향족기를 나타내고; Y 는 2가의 방향족기를 나타내며; Z 는 하기식으로 나타낸 기를 나타낸다:

(식중, R
1 및 R
2 는 2가의 유기기를 나타내고 R
3 및 R
4 는 1가의 유기기를 나타내며; a 및 b 는 몰 분수를 나타내고; a + b = 100 몰%; a = 60.0 내지 100.0 몰%; b = 0 내지 40.0몰% ; 및 n 은 정수 2 내지 500 이다)],
(B) 감광성 디아조퀴논 화합물 1 내지 100 중량부,
(C) 특정 구조식으로 나타낸 페놀 화합물 1 내지 50 중량부, 및
(D) 특정 구조식으로 나타낸 유기규소 화합물 0.1 내지 20 중량부를 함유하는 파지티브형 감광성 수지 조성물; 및 상기 감광성 수지 조성물을 이용하여 수득한 폴리벤족사졸 수지의 패턴이 반도체 소자상에 0.1 내지 20㎛ 의 두께로 형성된 반도체 장치.

公开(公告)号：KR100695636B1

公开(公告)日：2007-03-15

申请号：KR1020017010908

申请日：2000-02-23

Applicant: 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤

Inventor： 히라노다까시 ,  야마모또가게히사 ,  반바도시오 ,  마까베히로아끼

IPC: G03F7/038

CPC classification number: H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/014

Abstract: 본 발명은 플립(flip) 칩의 제조시 작업성을 개선하고, 높은 신뢰도의 반도체 장치를 제공한다. 폴리아미드 100 중량부 및 감광성 디아조퀴논 화합물을 1~100 중량부 함유하는 포지티브(positive) 감광성 수지 조성물을 장치 구조물의 표면에 도포하고, 패턴화 및 경화한다. 생성된 장치 보호용 폴리벤조옥사졸 수지 필름 및 범프 전극은 반도체 장치 성형에 사용된다.

Abstract translation: 本发明提高了制造倒装芯片时的可操作性，并且提供了高可靠性的半导体器件。 将包含100重量份聚酰胺和1-100重量份光敏重氮醌化合物的正型光敏树脂组合物施加到器件结构的表面并且图案化并固化。 用于保护器件和凸块电极的所得聚苯并恶唑树脂膜用于形成半导体器件。