양성 감광성 수지 조성물
    2.
    发明授权
    양성 감광성 수지 조성물 失效
    积极的光敏树脂组合物

    公开(公告)号:KR100183990B1

    公开(公告)日:1999-04-01

    申请号:KR1019910008819

    申请日:1991-05-29

    Abstract: 본 발명은 기재 수지로서 폴리벤족사졸 전구체, 개선된 접착성, 유연성 또는 내열성 부여용 성분으로서 유기 용매-가용성 중합체 또는 그의 전구체(예. 폴리암산), 및 감광성제로서 디아조퀴논 화합물 및/또는 디히드로피리딘 화합물을 함유함을 특징으로 하는 양성 감광성 수지 조성물을 제공한다. 이 감광성 수지 조성물은 고 해상능의 패턴을 형성시킬 수 있으며 또한 우수한 접착성 및 기계적 특성을 갖는다. 본 발명은 또한 감광제로서, 양성 감광성 수지 조성물중에 혼합될때 고해상능, 고대비성 및 후막 형성능을 제공하는 세가지 신규한 디아조퀴논 화합물을 제공한다. 또한 본 발명은 폴리벤족사졸 전구체를 감광제로서 디아조퀴논 화합물과 반응시킴으로써 수득된 새로운 타입의 양성 감광성 수지 조성물을 제공한다. 이 감광성 수지 조성물은 광노출시에 우수한 내알칼리성을 가지므로 고잔류막 비율을 제공할 수 있다.

    파지티브형감광성수지조성물및이를이용한반도체장치

    公开(公告)号:KR1019970076084A

    公开(公告)日:1997-12-10

    申请号:KR1019970018351

    申请日:1997-05-12

    Abstract: (A) 하기 화학식(1)로 나타낸 폴리아미드 100중량부:

    [식 중, X는 4가의 방향족기를 나타내고; Y는 2기의 방향족기를 나타내며; Z는 하기식으로 나타낸 기를 나타낸다:

    (식 중, R
    1 및 R
    2 는 2가의 유기기를 나타내고, R
    3 및 R
    4 는 1가의 유기기를 나타내며; a 및 b는 몰 분수를 나타내고; a+b=100몰%;a=60.0내지 100.0몰%; b=0 내지 40.0몰%; 및 n은 정수 2 내지 500이다)], (B)감광성 디아조퀴논 화합물 1 내지 100중량부, (C) 특정 구조식으로 나타낸 페놀 화합물 1 내지 50 중량부, 및 (D)특정 구조식으로 나타낸 유기규소 화합물 0.1 내지 20중량부를 함유하는 파지티브형 감광성 수지 조성물; 및 상기 감광성 수지 조성물을 이용하여 수득한 폴리벤족사졸 수지의 패턴이 반도체 소자상에 0.1 내지 20㎛의 두께로 형성된 반도체 장치.

    감광성수지조성물의패턴-프로세싱방법

    公开(公告)号:KR100496745B1

    公开(公告)日:2005-09-30

    申请号:KR1019970000082

    申请日:1997-01-06

    Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1 로 표시되는 폴리아미드와 디아조퀴논 화합물을 함유하는 포지티브 감광성 수지 조성물을 기판상에 코팅하는 단계, 상기 포지티브 감광성 수지 조성물을 예비소성시킨 다음 빛으로 조사하는 단계, 그 후에는 음이온성 표면활성제를 함유하는 알칼리성 수용액에서 노출 부분을 용해시켜 이를 제거함으로써 패턴을 얻는 단계를 포함함을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물의 패턴-프로세싱 방법에 관한 것이다. 본 발명의 음이온성 표면활성제를 함유하는 알칼리 수용액으로 현상을 실행하면, 부유 잔재가 없는, 매우 고해상도의 패턴을 얻을 수가 있다:
    [화학식 1]

    [여기서 X는 4가의 방향족 기이고; Y는 2가의 방향족 기이며; Z는

    (여기서 R
    1 및 R
    2 는 2가의 유기 기이며 R
    3 및 R
    4 는 1가의 유기기임)이고; a 와 b 는 몰 분율이며; a + b = 100 몰% ; a = 60.0 - 100 몰% ; b = 0 - 40.0 몰% 그리고 n = 2 - 500 임].

    액정 배향제
    7.
    发明公开
    액정 배향제 失效
    液晶取向剂

    公开(公告)号:KR1020010012467A

    公开(公告)日:2001-02-15

    申请号:KR1019997010421

    申请日:1998-03-19

    Abstract: 본발명은하기화학식 1로나타내어지는화학구조를갖는폴리이미드전구체를수지성분으로함유하는액정배향제를제공한다; [화학식 1] 본발명은상기의폴리이미드전구체및 하기화학식 2에의해나타내어지는폴리이미드전구체를, 필수성분으로함유하는액정배향제를추가로제공한다; [화학식 2] (식중, Y는 4가의지방족기를나타내고, Z는 2가의방향족기를나타내며, R은 H 또는알킬기를나타낸다).

    Abstract translation: 本发明提供一种液晶取向剂,其含有具有下述式(1)所示的化学结构的聚酰亚胺前体作为树脂成分, 本发明还提供了一种液晶取向剂,其含有作为基本组分的聚酰亚胺前体和由下式2表示的聚酰亚胺前体: (其中Y表示四价脂族基团,Z表示二价芳族基团,并且R表示H或烷基)。

    감광성수지조성물의패턴-프로세싱방법
    8.
    发明公开
    감광성수지조성물의패턴-프로세싱방법 失效
    光敏树脂组合物的图案处理方法

    公开(公告)号:KR1019980065214A

    公开(公告)日:1998-10-15

    申请号:KR1019970000082

    申请日:1997-01-06

    Abstract: 본 발명은 다음의 [화학식 1]로 표시되는 폴리아미드와 디아조퀴논 화합물을 함유하는 포지티브 감광성 수지 조성물을 기판상에 코팅하는 단계, 상기 포지티브 감광성 수지 조성물을 예비소성시킨 다음 빛으로 조사하는 단계, 그 후에는 음이온성 표면활성제를 함유하는 알칼리성 수용액에서 노출 부분을 용해시켜 상기 포지티브 감광성 수지 조서물을 제거하여 패턴을 얻는 단계를 포함함을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물의 패턴-프로세싱 방법에 관한 것이다. 본 발명의 음이온성 표면활성제를 함유하는 알칼리 수용액으로 현상을 실행하면, 부유 잔재가 없는, 매우 높은 해상도의 패턴을 얻을 수가 있다:
    [화학식 1]

    [여기서 X는 4가의 방향족 기이고; Y는 2가의 방향족 기이며; Z는

    (여기서 R
    1 및 R
    2 는 2가의 유기 기이며 R
    3 및 R
    4 는 1가의 유기 기임)이고; a와 b는 몰 분율이며; a+b=100 몰%; a=60.0-100 몰%; b=0-40.0 몰% 그리고 n=2-500임].

    파지티브형감광성수지조성물및이를이용한반도체장치
    10.
    发明授权
    파지티브형감광성수지조성물및이를이용한반도체장치 失效
    目的树脂组合物和使用该组合物的半导体器件

    公开(公告)号:KR100533488B1

    公开(公告)日:2006-04-14

    申请号:KR1019970018351

    申请日:1997-05-12

    CPC classification number: G03F7/0226 G03F7/0755 G03F7/0757 Y10S430/107

    Abstract: (A) 하기 화학식 (1) 로 나타낸 폴리아미드 100 중량부:

    [식중, X 는 4가의 방향족기를 나타내고; Y 는 2가의 방향족기를 나타내며; Z 는 하기식으로 나타낸 기를 나타낸다:

    (식중, R
    1 및 R
    2 는 2가의 유기기를 나타내고 R
    3 및 R
    4 는 1가의 유기기를 나타내며; a 및 b 는 몰 분수를 나타내고; a + b = 100 몰%; a = 60.0 내지 100.0 몰%; b = 0 내지 40.0몰% ; 및 n 은 정수 2 내지 500 이다)],
    (B) 감광성 디아조퀴논 화합물 1 내지 100 중량부,
    (C) 특정 구조식으로 나타낸 페놀 화합물 1 내지 50 중량부, 및
    (D) 특정 구조식으로 나타낸 유기규소 화합물 0.1 내지 20 중량부를 함유하는 파지티브형 감광성 수지 조성물; 및 상기 감광성 수지 조성물을 이용하여 수득한 폴리벤족사졸 수지의 패턴이 반도체 소자상에 0.1 내지 20㎛ 의 두께로 형성된 반도체 장치.

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