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公开(公告)号:KR101227228B1
公开(公告)日:2013-01-28
申请号:KR1020077010429
申请日:2005-11-14
申请人: 스태츠 칩팩 피티이. 엘티디.
发明人: 리,흥태 , 김,종국 , 김,철식 , 장,기영 , 펜드세,라젠드라디.
IPC分类号: H01L23/48
CPC分类号: H01L24/85 , H01L23/13 , H01L23/4952 , H01L23/49833 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2224/04042 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05556 , H01L2224/05599 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48011 , H01L2224/48091 , H01L2224/48095 , H01L2224/48227 , H01L2224/48455 , H01L2224/48465 , H01L2224/48471 , H01L2224/48475 , H01L2224/48479 , H01L2224/4848 , H01L2224/48599 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48699 , H01L2224/48744 , H01L2224/48747 , H01L2224/49109 , H01L2224/49175 , H01L2224/49433 , H01L2224/73265 , H01L2224/85051 , H01L2224/85205 , H01L2224/85444 , H01L2224/85447 , H01L2224/85986 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0106 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2224/85181 , H01L2224/85186 , H01L2924/2065 , H01L2224/78 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/4554
摘要: 일 측면에 있어서, 본 발명은 패드와 리드 핑거 사이의 와이어 본드 배선을 특징으로 한다. 상기 와이어 본드 배선은: 리드 핑거의 본드 사이트에 위치한 지지 받침대와; 상기 다이 패드 상의 볼 본드와; 그리고 상기 지지 받침대 상의 스티치 본드를 포함한다. 상기 본드 사이트에서, 리드 핑거가 좁으며, 이로써 일부 실시예에서, 본드 사이트에서 리드 핑거의 평탄 부가 지지 받침대의 지름보다 좁다. 또한, 반도체 패키지는 기판에 장착되며 복수의 와이어 본드에 의해 기판에 전기적으로 연결된다. 여기서 각 와이어 본드는 기판상의 패드에 연결된 와이어 볼과 리드 핑거 상의 본드 사이트 위의 지지 받침대에 본딩된 스티치를 포함한다. 본드 사이트상의 리드 핑거의 폭은 지지 받침대의 지름보다 작다. 이러한 패키지에서, 패키지 기판은 2-층 기판을 포함하며, 각 층은 다이 패드 피치의 두 배인 리드 핑거 본드 피치를 가지는 복수의 리드 핑거를 포함한다. 제 1 층과 제 2 층의 리드 핑거는 엇갈려 배치되어 2-층 기판의 유효 리드 핑거 피치가 다이 패드 피치와 거의 동일하다. 일부 실시예에서, 지지 받침대는 스터드 범프의 형성에서 와이어 리드 핑거 도구를 사용하여 형성되며, 이러한 실시예에서, 지지 받침대는 리드 핑거에 금속성 연결된다. 또한, 반도체 다이와 기판 사이에 와이어 본드 배선을 형성하는 방법은: 기판의 제 1 면의 다이 장착 부분에 부착되고, 상기 기판으로부터 떨어져 활성 면을 향하게 배치된 다이를 제공하는 단계로서, 상기 기판은 상기 기판의 상기 제 1 면 내의 리드 핑거를 포함하는 패터닝된 트레이스를 가지는 상기 제공 단계와; 리드 핑거의 본드 사이트상의 지지 받침대를 형성하는 단계와; 다이 패드 상에 제 1 본드를 형성하는 단계와; 그리고 상기 지지 받침대 상에 제 2 본드를 형성하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号:KR1020070084060A
公开(公告)日:2007-08-24
申请号:KR1020077010429
申请日:2005-11-14
申请人: 스태츠 칩팩 피티이. 엘티디.
发明人: 리,흥태 , 김,종국 , 김,철식 , 장,기영 , 펜드세,라젠드라디.
IPC分类号: H01L23/48
CPC分类号: H01L24/85 , H01L23/13 , H01L23/4952 , H01L23/49833 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2224/04042 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05556 , H01L2224/05599 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48011 , H01L2224/48091 , H01L2224/48095 , H01L2224/48227 , H01L2224/48455 , H01L2224/48465 , H01L2224/48471 , H01L2224/48475 , H01L2224/48479 , H01L2224/4848 , H01L2224/48599 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48699 , H01L2224/48744 , H01L2224/48747 , H01L2224/49109 , H01L2224/49175 , H01L2224/49433 , H01L2224/73265 , H01L2224/85051 , H01L2224/85205 , H01L2224/85444 , H01L2224/85447 , H01L2224/85986 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0106 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2224/85181 , H01L2224/85186 , H01L2924/2065 , H01L2224/78 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/4554
摘要: A wire bond interconnection between a die pad and a bond finger includes a support pedestal at a bond site of the lead finger, a ball bond on the die pad, and a stitch bond on the support pedestal, in which a width of the lead finger at the bond site is less than a diameter of the support pedestal. Also, a semiconductor package including a die mounted onto and electrically connected by a plurality of wire bonds to a substrate, in which each of the wire bonds includes a wire ball bonded to a pad on the die and stitch bonded to a support pedestal on a bond site on a lead finger, and in which the width of the lead finger at the bond site is less than the diameter of the support pedestal. Also, such a package in which the package substrate includes a two-tier substrate, each tier including a plurality of lead fingers having a lead finger bond pitch about twice the die pad pitch, the lead fingers of the first tier and the second tier having a staggered arrangement. In some embodiments the support pedestal is formed using a wire bonding tool as in formation of a stud bump, and in such embodiments the support pedestal is metallurgically bonded to the lead finger. Also, a method for forming a wire bond interconnection between a semiconductor die and a substrate, by providing a die affixed on a die mount portion of a first side of a substrate and oriented with the active side oriented away from the substrate, the substrate having patterned traces including lead fingers in the first surface of the substrate; forming a support pedestal on a bond site of a lead finger; forming a first bond on a die pad; and forming a second bond on the support pedestal.
摘要翻译: 芯片焊盘和键合指状物之间的引线键合互连包括在引线指的键合位置处的支撑基座,芯片焊盘上的球接合以及支撑基座上的线圈接合,其中引线指 在焊接点处小于支撑基座的直径。 此外,包括安装在多个引线键合并且电连接到基板的裸片的半导体封装,其中每个引线键合包括接合到模具上的焊盘的线球,并且在与基板上的支撑基座上接合 引线指的键位置,并且其中引线指在键合位置处的宽度小于支撑基座的直径。 另外,封装基板包括双层基板的这种封装,每层包括多个引线指,其具有大约两倍于管芯焊盘间距的引线接合间距,第一层和第二层的引线指具有 交错排列 在一些实施例中,在形成柱形凸块时使用引线接合工具形成支撑基座,并且在这种实施例中,支撑基座冶金地结合到引线指。 另外,在半导体管芯和基板之间形成引线接合互连的方法,通过设置固定在基板的第一面的管芯安装部上并且朝向远离基板的有源侧取向的管芯,所述基板具有 图案化痕迹,包括在所述衬底的第一表面中的引线指; 在引线指的接合部位上形成支撑基座; 在芯片焊盘上形成第一键; 以及在所述支撑座上形成第二接合。
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