利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

6 条记录 (耗时 0.012 秒)

    위치 제어 이중 마그네트론
    2.
    发明授权
    위치 제어 이중 마그네트론 有权
    位置控制双磁铁

    公开(公告)号：KR100912756B1

    公开(公告)日：2009-08-18

    申请号：KR1020070108288

    申请日：2007-10-26

    申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

    发明人： 파브로프,크리스토퍼엠. ,  람,윈저 ,  궁,챠-징 ,  양,홍에스. ,  홍,일영리챠드

    IPC分类号： H01L21/203

    CPC分类号： C23C14/35 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3452 ,  H01J37/3455

    摘要： 플라즈마 스퍼터링을 위한 이중 마그네트론(60)은 소스 마그네트론(62) 및 보조 마그네트론(64)을 포함하며, 각각의 마그네트론은 타겟(18)의 중심(14)을 중심으로 각각의 반경으로 회전한다. 마그네트론의 위치는 타겟을 스퍼터링하는 단계(112)와 타겟을 세척하는 단계(116) 사이에서 상보적인 방사상 위치로 이동될 수 있다. 마그네트론은 상이한 크기, 강도 및 불균형 특성을 갖는다. 소스 마그네트론은 더 작고 더 강하며 더 불균형하고, 스퍼터 위치에서 및 에칭시 웨이퍼의 에지에 인접하여 위치된다. 보조 마그네트론은 더 크고, 더 약하며 보다 균형적이며, 타겟의 중심을 세척하고 스퍼터 위치에서 소스 마그네트론으로부터 스퍼터 이온을 안내하는데 사용된다. 각각의 마그네트론은 자신의 방사상 외부 위치에서 플라즈마 단락될 수 있다.

    위치 제어 이중 마그네트론
    3.
    发明公开
    위치 제어 이중 마그네트론 有权
    位置控制双磁铁

    公开(公告)号：KR1020080038056A

    公开(公告)日：2008-05-02

    申请号：KR1020070108288

    申请日：2007-10-26

    申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

    发明人： 파브로프,크리스토퍼엠. ,  람,윈저 ,  궁,챠-징 ,  양,홍에스. ,  홍,일영리챠드

    IPC分类号： H01L21/203

    CPC分类号： C23C14/35 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3452 ,  H01J37/3455

    摘要： A position controlled dual magnetron is provided to quickly control a position of the dual magnetron by coupling a mechanical actuator between one of link arms and a cross arm. A magnetron system is arranged to be close to a target in a plasma sputter chamber and includes an arm(150), a swing member, a first magnetron(62), and a second magnetron(64). The arm is fixed on a rotation shaft, which is elongated along a rotation axial line. The swing member is rotatably mounted on the arm on a pivot axial line, which is separated distally from the rotation axial line. The first magnetron is supported on a first position on the wing member. The second magnetron is fixed on a second position on the swing member. When the swing member is rotated in one way direction, the first magnetron is moved away from the rotation axial line, while the second magnetron moves toward the rotation axial line.

    摘要翻译： 提供了位置控制双磁控管，以通过在连杆臂和横臂之一上联接机械致动器来快速地控制双磁控管的位置。 磁控管系统布置成靠近等离子体溅射室中的靶，并且包括臂（150），摆动构件，第一磁控管（62）和第二磁控管（64）。 臂固定在沿着旋转轴线延伸的旋转轴上。 摆动构件可旋转地安装在臂上，该枢转轴线从旋转轴线向远侧分离。 第一磁控管被支撑在翼构件上的第一位置上。 第二磁控管固定在摆动构件上的第二位置。 当摆动构件沿单向旋转时，第一磁控管远离旋转轴线移动，而第二磁控管朝向旋转轴线移动。

    기판 프로세싱 챔버용 프로세스 키트
    5.
    发明公开
    기판 프로세싱 챔버용 프로세스 키트 有权
    基板加工室的工艺包

    公开(公告)号：KR1020080071090A

    公开(公告)日：2008-08-01

    申请号：KR1020080008591

    申请日：2008-01-28

    申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

    发明人： 파브로프,크리스토퍼엠. ,  홍,일영리챠드

    IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/00

    CPC分类号： H01J37/32633 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32642

    摘要： A process kit for a substrate processing chamber is provided to increase thermal conductivity by using a ring assembly and a shield installed on a circumference of a substrate supporter. A shield(201) surrounds a sputtering target facing a substrate supporter in a substrate processing chamber. A cylindrical band(214) has a bottom wall for wrapping the substrate supporter and an upper wall for wrapping the sputtering target. A support ledge(219) is extended from the upper wall of the cylindrical band to an outer radius direction. A sloped step is extended from the bottom wall of the cylindrical bend to an inner radius direction. A U-shaped channel surrounds the supporter and is coupled to the sloped step. The U-shaped channel includes a first leg and a second leg. The first leg has a plurality of gas holes(249) through which a process gas passes.

    摘要翻译： 提供了一种用于基板处理室的处理套件，以通过使用安装在基板支撑件的圆周上的环组件和屏蔽件来增加导热性。 屏蔽件（201）包围面向衬底处理室中的衬底支撑件的溅射靶。 圆柱形带（214）具有用于包覆基板支撑件的底壁和用于包裹溅射靶的上壁。 支撑凸缘（219）从圆柱形带的上壁延伸到外径方向。 倾斜的台阶从圆柱形弯曲部的底壁延伸到内半径方向。 U形通道围绕支撑件并且联接到倾斜台阶。 U形通道包括第一腿部和第二腿部。 第一支腿具有多个气体孔（249），工艺气体通过该气孔。