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公开(公告)号：KR1020080038056A
公开(公告)日：2008-05-02
申请号：KR1020070108288
申请日：2007-10-26
发明人： 파브로프,크리스토퍼엠. , 람,윈저 , 궁,챠-징 , 양,홍에스. , 홍,일영리챠드
IPC分类号： H01L21/203
CPC分类号： C23C14/35 , H01J37/3408 , H01J37/3452 , H01J37/3455
摘要： A position controlled dual magnetron is provided to quickly control a position of the dual magnetron by coupling a mechanical actuator between one of link arms and a cross arm. A magnetron system is arranged to be close to a target in a plasma sputter chamber and includes an arm(150), a swing member, a first magnetron(62), and a second magnetron(64). The arm is fixed on a rotation shaft, which is elongated along a rotation axial line. The swing member is rotatably mounted on the arm on a pivot axial line, which is separated distally from the rotation axial line. The first magnetron is supported on a first position on the wing member. The second magnetron is fixed on a second position on the swing member. When the swing member is rotated in one way direction, the first magnetron is moved away from the rotation axial line, while the second magnetron moves toward the rotation axial line.
摘要翻译： 提供了位置控制双磁控管，以通过在连杆臂和横臂之一上联接机械致动器来快速地控制双磁控管的位置。 磁控管系统布置成靠近等离子体溅射室中的靶，并且包括臂（150），摆动构件，第一磁控管（62）和第二磁控管（64）。 臂固定在沿着旋转轴线延伸的旋转轴上。 摆动构件可旋转地安装在臂上，该枢转轴线从旋转轴线向远侧分离。 第一磁控管被支撑在翼构件上的第一位置上。 第二磁控管固定在摆动构件上的第二位置。 当摆动构件沿单向旋转时，第一磁控管远离旋转轴线移动，而第二磁控管朝向旋转轴线移动。
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公开(公告)号：KR1020150043389A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：KR1020157006118
申请日：2013-07-18
IPC分类号： H01L21/203 , C23C14/04 , C23C14/54 , H01L21/67 , G05B15/02
CPC分类号： C23C14/046 , C23C14/54 , H01L21/2855 , H01L21/76843 , H01L21/76865 , H01L21/76873 , H01L21/76879 , H01L21/203 , G05B15/02 , H01L21/67011
摘要： 프로세스챔버에서기판을프로세싱하기위한방법들및 장치는, 제 1 챔버프로세스를수행하기위해프로세스제어기로부터하나또는그 초과의디바이스들을위한프로세스제어파라미터들을수신하는단계; 하나또는그 초과의디바이스들에프로세스제어파라미터들각각을전송하기위한시간을결정하는단계; 하나또는그 초과의디바이스들각각에대해, 하나또는그 초과의디바이스들각각과연관된특정신호프로세스지연들을사용하여, 프로세스제어파라미터들각각을전송하기위한결정된시간을조정하는단계; 및제 1 챔버프로세스를수행하기위해, 조정된시간들에서하나또는그 초과의디바이스들각각에프로세스제어파라미터들을전송하는단계를포함하며, 동기화제어기는하나또는그 초과의출력채널들을포함하고, 각각의채널은하나또는그 초과의디바이스들중 하나에직접적으로커플링된다.
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公开(公告)号：KR102108717B1
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：KR1020157006118
申请日：2013-07-18
IPC分类号： C23C14/04 , C23C14/54 , H01L21/285 , H01L21/768
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公开(公告)号：KR100912756B1
公开(公告)日：2009-08-18
申请号：KR1020070108288
申请日：2007-10-26
发明人： 파브로프,크리스토퍼엠. , 람,윈저 , 궁,챠-징 , 양,홍에스. , 홍,일영리챠드
IPC分类号： H01L21/203
CPC分类号： C23C14/35 , H01J37/3408 , H01J37/3452 , H01J37/3455
摘要： 플라즈마 스퍼터링을 위한 이중 마그네트론(60)은 소스 마그네트론(62) 및 보조 마그네트론(64)을 포함하며, 각각의 마그네트론은 타겟(18)의 중심(14)을 중심으로 각각의 반경으로 회전한다. 마그네트론의 위치는 타겟을 스퍼터링하는 단계(112)와 타겟을 세척하는 단계(116) 사이에서 상보적인 방사상 위치로 이동될 수 있다. 마그네트론은 상이한 크기, 강도 및 불균형 특성을 갖는다. 소스 마그네트론은 더 작고 더 강하며 더 불균형하고, 스퍼터 위치에서 및 에칭시 웨이퍼의 에지에 인접하여 위치된다. 보조 마그네트론은 더 크고, 더 약하며 보다 균형적이며, 타겟의 중심을 세척하고 스퍼터 위치에서 소스 마그네트론으로부터 스퍼터 이온을 안내하는데 사용된다. 각각의 마그네트론은 자신의 방사상 외부 위치에서 플라즈마 단락될 수 있다.
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